High Side Switch mit MCU

[Ebc E. (ebc)]

Hallo,
Ich habe mir eine nette Platine ätzen lassen.
Beim Layouten ist mir ein wirklich blöder Fehler unterlaufen.

Ich will die Hintergrundbeleuchtung eines LCD's schalten.
Vf = 4,2 V, Vorwiderstand ist direkt auf LCD Platine mit 6,8 Ohm.

Blöderweise habe ich einen High Side Switch mit einem NPN gezeichnet ( 
siehe Bild ).

Was gibt es nun für Möglichkeiten ohne dass ich an der Platine 
umherpfuschen muss. ( diskrete Bauweise wäre wichtig, keine SMD Bauteile 
)

--PNP Transistor nehmen , nun Nachteil ist der Spannungsabfall von 0,2 V

--P Kanal Mosfet mit niedrigen Rds On , nur finde ich da keinen in 
diskreter Bauweise.

Habt Ihr vielleicht Tipps ?

Vielen Dank

Christian

[der alte Hanns (Gast)]

> --PNP Transistor nehmen , nun Nachteil ist der Spannungsabfall von 0,2 V

Wäre mein Tipp gewesen, wo soll das Problem sein?
Allerdings verstehe ich die Dimensionierung nicht ganz, an R1 fallen 
doch 2 V ab, oder?

Nb.: 'Durchsteckmontage', nicht 'diskret'

[Martin (Gast)]

Ist mit Vf 4,2 V nur die LED gemeint oder die LED inkl. Widerstand? Im 
ersten Fall reichen 5 Volt nicht aus, im 2. Fall würde ich es mit dem 
NPN versuchen (Bedingung: VCC vom Mega 5 V).

[Ebc E. (ebc)]

4,2 V. ist laut Lcd Datenblatt, Led Vf

[Ebc E. (ebc)]

Und ja 300mA erreicht man hier nicht aber Hintergrund LED leuchtet 
einigermaßen, um so mehr Spannungsabfall aber der Transistor verursacht 
um so dunkler is halt. Nachdem mal meine Schaltung so is wie sie is, 
kann ich ja auch nicht mit einem PNP 6 V durchschalten. Weil die + 5v 
könnte ich noch erhöhen ( die ich schalten will )

[Tom (Gast)]

Ebc Ebc schrieb:
> diskreter Bauweise.

Auf der Platine ist ein Transistor der Bauform
[ ] TO92
[ ] TO3
[ ] TO220
[ ] anderer:______________
mit dem Pinout (1 2 3)
[ ] BCE
[ ] BEC
[ ] CBE
[ ] CEB
[ ] EBC
[ ] ECB
vorgesehen.
Zutreffendes bitte markieren.

[der alte Hanns (Gast)]

Mit R2=220 oder 270 Ohm wird an Q1 nicht mehr als 0.1 V abfallen; 
vielleicht kann man zusätzlich noch R1 verringern.

[Ebc E. (ebc)]

>Auf der Platine ist ein Transistor der Bauform
[X ] TO92
[x ] EBC

R2 kann ich verändern oder auch weglassen,
R1 mit 6,8 OHM, wird schwierig kleiner zu gehen ( habe einfach nichts 
kleineres ) bzw. will ich eigentlich LCD lassen so wie es ist. Wie 
gesagt R1 ist auf LCD schon drauf



>Mit R2=220 oder 270 Ohm wird an Q1 nicht mehr als 0.1 V abfallen;
Hört sich ja interessant an, wie berechnet man das ?
Wenn ich Ic für einen Strom von ca. 120 mA auslege, komm ich so auf den 
Vorwiderstand..
max Strom wäre (5V - 4,2) /  6,8 Ohm = ~118 mA.

IB = IC/ B ( nehmen wir mal ein B von ca 20 )
IB = 118 / 20  = 5,9 mA

UMegaOut = 5 V
U = 5 V - 0,7 = 4,3
R = U /I = 4,3 / 5,9 = 728 Ohm

[der alte Hanns (Gast)]

Datenblatt BC327: IC/IB=10, ich ging von 200 mA aus, und die 20 mA 
passen auch zur Belastbarkeit des uC.
Bei 120 mA sieht es etwas anders aus, dann wäre R2=330 oder 390 Ohm.

[Sgd Sgd (Gast)]

Ebc Ebc schrieb:
> --P Kanal Mosfet mit niedrigen Rds On , nur finde ich da keinen in
> diskreter Bauweise.

Wenn du mit "diskreter Bauweise" bedrahtet/THT verstehst:
http://www.mouser.com/ds/2/391/VP3203-40356.pdf
S-G-D (C-B-E) Rds<0.6R bei Id<2A

[Ebc E. (ebc)]

Ok , Berechnung nachvollziehbar, danke.
Frage wo lese ich im datenblatt die 0,1 V ab ?

[der alte Hanns (Gast)]

Diagramme VCEsat, und wenn ich genau hinschaue, sehe ich im 
NXP-Datenblatt sogar nur 0.05 V (beim BC327 mit IC/IB=10 ).

[Ebc E. (ebc)]

>
>Wenn du mit "diskreter Bauweise" bedrahtet/THT verstehst:
>http://www.mouser.com/ds/2/391/VP3203-40356.pdf
>S-G-D (C-B-E) Rds<0.6R bei Id<2A

Hey super, Rds 1 Ohm sprich zwischen Drain Source fallen 0,12 V ab, gut 
wenn beim Bc327 genau so viel abfällt, dann nehme ich wohl den BC327,

DANKE

[Ebc E. (ebc)]

>Diagramme VCEsat, und wenn ich genau hinschaue, sehe ich im
>NXP-Datenblatt sogar nur 0.05 V (beim BC327 mit IC/IB=10 ).


Ja jetzt check ichs !

Danke probiere ich dann morgen mal aus.

Thx a lot !