Gegenüber normalen Transistoren hat ein Shottkytransistor eine Shottkydiode zwischen der Basis - Kollektor Strecke. Wieso ist dieser Transistor nun schneller und warum geht keine normale Silizium Diode? Angeblich geht der Transistor nicht un Sättigung. Wieso verstehe ich nicht. Müsste es nicht einige höhere Schaltverluste geben wenn der Transistor noch im linearen Bereich arbeitet?
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Angenommen die Diode hat 0.3V und der Transistor schaltet bei UBE von 0.7V. Der Transistor schaltet ein, die Spannung am Kollektor sinkt und sinkt, bis sie 0.399V erreicht. Dann zieht die 0.3V Schottky die Spannung an der Basis auf 0.3999V + 0.3V = 0.6999V und der Transistor schaltet ab, die Spannung 0.399V sinkt also nicht weiter. Es stellt sich ein statischer Zustand ein. Ja, quasi ein "Linearbetrieb", allerdings an der Grenze zur Sättigung, aber eben nur an der Grenze. Noch nicht drin. Natürlich ist da eine vereinfachte Erklärung.
... und wenn der Sättigungszustand vermieden wird, kann der Transistor viel schneller ausgeschaltet werden.
Derp schrieb: > Angeblich geht der Transistor nicht un Sättigung. Wieso verstehe ich > nicht. Wenn du den Transistor als Übersteuerungsschalter dimensioniert hast ist das auf jeden Fall so. Was passiert ohne die Schottky Diode? Der Transistor schält durch, sobald der benötigte Basisstrom fließt. Beim übersteuerungsschalter fließt jedoch ein größerer Basisstrom, als benötigt wird => der Transistor übersteuert. Das führt dazu, dass die Speicherzeit (ts) des Transistors ansteigt, wegen den überschüssigen Ladungsträgern, die in die Basis-Emitter Strecke fließen. Die Schottky Diode wird leitend wenn der Spannungsabfall zwischen Basis und Kollekter 0,3V ist und somit der Transistor fast ganz durchgeschaltet ist. Die überflüssigen Ladungsträger, die nun noch mit dem überschüssigen Basisstrom kommen fließen über den Kollektor durch den Emitter ab und haben keinen Einfluss auf die RLZ der Basis Emitter Strecke, somit erhöht sich auch nicht die Speicherzeit. Diese bleibt quasi bei null und der Transistor kann gar nicht in die Sättigung kommen. Durch die nicht vorhanden Speicherzeit schält der Transistor auch duetlich schneller aus. Einfach mal die theoretischen Grundlagen des Schalttransistors nachlesen => Tietze Schenk ist da immer ne gute Adresse ;)
Derp schrieb: > Angeblich geht der Transistor nicht un Sättigung. Wieso verstehe ich > nicht. Weil Sättigung vereinfacht gesagt der Zustand ist in dem UCE kleiner UBE wird. Mit Schottky Diode kann aber UB nur um ca. 0,3V größer UCE werden, was die vollständige Sättigung verhindert. > Müsste es nicht einige höhere Schaltverluste geben wenn der Transistor > noch im linearen Bereich arbeitet? Ja das stimmt, dafür wird der aber viiiel schneller. Man kann die ganzen überzähligen Ladungsträger ja nicht wie beim MosFet wieder aus der basis 'herausziehen', sondern die müssen sich im Endeffekt mit Stromverstärkungsfaktor über CE abbauen. Fazit: Tausche niedrigen ON - Verlust gg. Geschwindigkeit
> Schottky, Walter Schottky!
Genau.
Und wenn überhaupt stolz sein wollen auf irgendetwas, dann eher auf eine
solche Tatsache als auf eine Weltmeisterschaft im Fußball.
>Weltmeisterschaft im Fußball.
NEIN. NICHT Fritz Walter. Walter Schottky!
Auch wenn's manchmal den Anschein haben mag, ich bin nicht anno 54 stehengeblieben. Aus! Aus! Aus! Der Thread ist aus!
<OT> Ich hab noch nie mit einem Transistor geschält, aber gescholten hab ich sie schon. Bei Nichtfunktion. ;) </OT> In Schaltstufen mit normalen Bipolartransistoren wird auch gelegentlich die Basis leergeräumt durch Erzeugen einer negativen Basisspannung. Das beschleunigt den Ausschaltvorgang recht wirkungsvoll.
JoostW schrieb: > Angenommen die Diode hat 0.3V und der Transistor schaltet bei UBE > von > 0.7V. > > Der Transistor schaltet ein, die Spannung am Kollektor sinkt und sinkt, > bis sie 0.399V erreicht. Dann zieht die 0.3V Schottky die Spannung an > der Basis auf 0.3999V + 0.3V = 0.6999V und der Transistor schaltet ab, > die Spannung 0.399V sinkt also nicht weiter. Es stellt sich ein > statischer Zustand ein. Ja, quasi ein "Linearbetrieb", allerdings an der > Grenze zur Sättigung, aber eben nur an der Grenze. Noch nicht drin. > > Natürlich ist da eine vereinfachte Erklärung. Danke für die Antworten! Ich glaube langsam komme ich der Sache näher. Aber ich verstehe nicht ganz was damit gemeint ist, dass der Transistor abschaltet. Heißt das, dass UBE unter 0,7V werden will wenn UCE <0,399V wird? Bedingt dadurch schaltet der Transistor ab, und erst dann wider an wenn die Spannung an UCE >0,399V ist weil dann die Basis wider ihre 0,7V bekommt?
Der Transistor entzieht seiner eigenen Basis jede Energie, die ihn in die Sättigung führen würde. Daher bleibt das System "nur" in einem fast übersteuerten Zustand.
Helge A. schrieb: > Ich hab noch nie mit einem Transistor geschält, Ich schon. Wenn man das (Metall-)transistorgehäuse abschält, bekommt man einen Fototransistor. :-)
Die Sättigung mit ihren langsamen Eigenschaften wird mit Hilfe einer zusätzlichen Schottkydiode zwischen Basis und Kollektor unterdrückt. Siehe auch: http://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-TTL
Derp schrieb: > Heißt das, dass UBE unter 0,7V werden will wenn UCE <0,399V > wird? Bedingt dadurch schaltet der Transistor ab, und erst dann wider an > wenn die Spannung an UCE >0,399V ist weil dann die Basis wider ihre 0,7V > bekommt? Ein Transistor ist kein digitaler Schalter. UCE schnürt über den Einfluss auf UBE dynamisch den Strom ab was zeitgleich zur UCE Erhöhung führt. 0,7V und 0,3V sind keine exakten Werte und es gibt keinen Kipp / Schaltpunkt. Man kann den Schottky Transistor nicht verstehen wenn man den bipolaren Tansistor und Diodenkennlinien nicht verstanden hat. Helge A. schrieb: > Basis leergeräumt durch Erzeugen einer negativen Basisspannung. Ja, das wäre die aufwändige Alternative zur Schottky Diode.
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