Hallo, ich hab zwei Fragen zu den Kenndaten im Datenblatt eines Mosfets. 1) Für was benötige ich den Widerstand im durchgeschalteten Zustand Rds(on) zum Beispiel 5Ohm, was wohl schon recht hoch ist 2)Vgs (th) ist die Gateansteuerungsspannung? zum Beispiel 2-4V? 3) Was ist die Gate to Source Voltage Vgs....zum Beispiel +-20V Damit kann ich nichts anfangen? Ich möchte diesen hier für ein Projekt verwenden: http://www.conrad.biz/ce/de/product/162578/MOSFET-International-Rectifier-IRFBG30PBF-N-Kanal-Gehaeuseart-TO-220-ID-31-A-UDS-1000-V?ref=list
Sven schrieb: > Hallo, > > ich hab zwei Fragen zu den Kenndaten im Datenblatt eines Mosfets. > > 1) Für was benötige ich den Widerstand im durchgeschalteten Zustand > Rds(on) > zum Beispiel 5Ohm, was wohl schon recht hoch ist Du bist ja lustig. Dieser Widerstand steht doch z.B. zwischen deiner Spannungsquelle und deiner Last, die du schalten willst. Und gemäß diesem Widerstand fällt am FET eine Spannung ab, welche multipliziert mit dem Strom, die Verlustleistung ergibt. Also eigentlich einer der wichtigsten Kennwerte an einem FET. > > 2)Vgs (th) ist die Gateansteuerungsspannung? zum Beispiel 2-4V? Die absolut minimalste. Voll durchschalten tut das Fet da noch nicht. Dazu siehe die lustigen Grafiken mit den Linien. > 3) Was ist die Gate to Source Voltage Vgs....zum Beispiel +-20V > Damit kann ich nichts anfangen? Das IST genau deine Spannung am Gate, hast du doch oben schon erkannt! Und +-20V ist eben die max. Spannung dort. Aber Achtung: Grundsätzlich NICHT nach den "Absolute Maximimung Ratings" richten, sondern nach den Angaben unter "Electrical Characteristics".
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Hm. Bin nicht so drin in der Materie, sorry. Ich formulier es mal um. Ich möchte einen DC Magneten ansteuern. Frequenz ist 0-6Hz. Dazu habe ich die angehängte Schaltung. Ohne den Magneten dran funktioniert die Schaltung. Ich seh alles auf dem Oszilloskop. Häng ich den Magneten dran, gibt's keine Funktion mehr. Das Pulssignal für den Mosfet kommt von einem externem Frequenzgenerator mit 5V. Alle GND´s habe ich verbunden. Nun bin ich etwas ratlos.
P.S. Wenn der Magnet dran ist, ist das doch eine Reihenschaltung? Dann muss ich die 5Ohm des Mosfets sowie den Widerstand des Magneten überwinden, so dass die 5V am Gate nicht ausreichen? MfG
Sven schrieb: > Häng ich den Magneten dran, gibt's keine Funktion mehr. Was bedeutet "keine Funktion"? Wird der Magnet nicht eingeschaltet? Wird er nicht ausgeschaltet? Wird er zwar eingeschaltet, aber der Stromfluss ist zu gering? Die 5Ω erreichst du laut Datenblatt übrigens erst bei einem Ugs von 10V. Bei nur 5V kann es sein, dass der Strom durch den Magneten nur tröpfelt. Edit: Wie hoch ist der Strom des Magneten bei der Spitzenspannung von 325V? Bist du sicher, dass die Spannungsfestigkeit von C1 (50V) ausreicht?
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Genau, also erst mal den Rds (on) im Datenblatt für deine Gatespannung nachgucken. Dann den Reihenwiderstand deiner Last berechnen (inkl. den Rds(on)), dann den Strom berechnen der da überhaupt fließen kann. Dann siehst du ob erstmal theoretisch geht. Messen schadet auch nicht im Betrieb. Ein besseres Mosfet schadet auch nicht. IRLU024N nehm ich sehr gerne. gruß cyblord
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hinz schrieb: > cyblord ---- schrieb: >> IRLU024N nehm ich sehr gerne. > > Aber sicher nicht für 350V. In der Tat... eher nicht
Sven schrieb: > Ohne den Magneten dran funktioniert die Schaltung. Ohne den Magneten fliesst dank D1 kein Strom, da funktioniert also gar nichts. Sven schrieb: > Das Pulssignal für den Mosfet Warum meinst du war in der Original-Schaltung kein MOSFET sondern ein bipolarer Transistor ? Du brauchst mindestens einen Widerstand von 10k zwischen Gate und Source, und wenn es bei 5V Ansteuerrtspannung bleibt einen LogicLevel MOSFET wie IRLZ34 denn normale MOSFETs (UGSth von 2-4V) benötigen 10V um voll durchzuschalten. Allerdings schaltet über die 10k der MOSFET eher langsam ab, es könnte sinnvoll sein, einen MOSFET-Treiber zu verwenden, gibt es auch direkt mit Optokoppler verheiratet.
MaWin schrieb: > und wenn es bei 5V Ansteuerrtspannung bleibt einen LogicLevel > MOSFET Es gibt keine LL-MOSFETs für so hohe U_DS.
hinz schrieb: > Es gibt keine LL-MOSFETs für so hohe U_DS. Stimmt. Ich hab mit meinem IRLZ34 Vorschlag die 325V übersehen. Also 10V statt 5V und den IRFBG30.
Das Schaltbild des Transistors ist verkehrt. Im Original ist ein 2SK2666 verbaut. Ohne Treiber. Empfohlen wurde ein Toshiba 2SK3564. Gemessen hatte ich ohne den Magneten an den 2 Anschlußklemmen. Die Spannungsfestigkeit des Kondensators reichte bisher immer. Der Spulenwiderstand des Magneten beträgt 370 Ohm.
Sven schrieb: > Die Spannungsfestigkeit des Kondensators reichte bisher immer. Vielleicht deswegen, weil der Magnet noch nicht richtig eingeschaltet hat ;-) Theoretisch können durch den Magneten bis zu 230V · √2 / 370Ω = 0,88A fließen (abhängig natürlich von seiner Induktivität, da er mit pulsierender Gleichspannung betrieben wird). Nach dem Ausschalten fließt dieser Strom noch für ein Weilchen weiter. Anfangs lädt dieser Strom C1, danach fließt der über R2, wo ein Spannungsabfall von bis zu 0,88A · 130Ω = 114V entstehen kann, der den Kondensator zerstört. Das waren zwar alles Worst-Case-Betrachtungen, die in der Realität so wahrscheinlich nicht eintreten werden. Sie zeigen aber zumindest, dass man sich um die Spannungsfestigkeit des Kondensators Gedanken machen muss. Einfach mal einen Wert ausprobieren und hoffen, dass nichts passieren wird, ist nicht so gut, schon gar nicht bei den relativ hohen Spannungen in der Schaltung.
OK. Ich habe jetzt aus einer anderen Schaltung, diesen 2SK6666 verwendet. Jetzt ist die Funktion gegeben. Aber was ist jetzt der genaue Unterschied zwischen http://www.conrad.biz/ce/de/product/162578/MOSFET-International-Rectifier-IRFBG30PBF-N-Kanal-Gehaeuseart-TO-220-ID-31-A-UDS-1000-V?ref=list und dem Toshiba 2SK6666?
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