Hallo Zusammen! Ich habe eine Frage bezüglich der Verwendung eines IGBTS als Schalter in einem Hochsetzsteller. Der Hochsetzsteller aht die typische Topologie aus Spule, Schalter, Diode D und Lastwiderstand R (siehe unten). Das IGBT-Modul, welches ich verwende ( Link Datenblatt: http://www.infineon.com/dgdl/DS_IKP15N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa3708e65ee0 ) hat allerdings noch eine antiparallele Diode. Normalerweise fließt bei einem HS_Steller der Strom, wenn der Schalter sperrt, in Masche 2 über die Diode und den Lastwiderstand. Jetzt frage ich mich, wie das mit der antiparallelen Diode ist beim IGBT ? Wann fließt ein Strom durch die Freilaufdiode ? Fließt überhaupt ein Strom durch die Freilaufdiode oder während der kompletten Zeit in der der IGBT sperrt? Vielen Dank
Klaus schrieb: > Das IGBT-Modul, welches ich verwende ... > hat allerdings noch eine antiparallele Diode. Das ist nicht nur bei diesem IGBT so, dass ist grundsätzlich bei jedem IGBT und FET so. Nennt sich Invers- oder Body-Diode und lässt sich auch nicht vermeiden. Soll heißen der Hersteller baut da nicht extra eine Diode mit ein. In deinem Anwendungsfall sollte aber über die Diode sowieso kein Strom fließen.
Kevin S. schrieb: > Das ist nicht nur bei diesem IGBT so, dass ist grundsätzlich bei jedem > IGBT und FET so. Nein, bei IGBTs ist das eine separate Struktur, oder sogar ein separater Chip. Und bei MOSFETs ist das nur bei V-MOSFETs so, laterale MOSFETs können einen separat herausgeführten Substratanschluss haben.
Stimmt, tut mir Leid. Wahr wohl etwas voreilig. Beim IGBT scheint es mittlerweile doch Einige zu geben die keine Diode mehr haben, dass hatte ich noch nicht mitbekommen. Bei den FETs werden aber fast nur Vertikale verwendet. Und bei den wenigen Anwendungen wo Laterale zum Einsatz kommen sind nur wenige davon Kombinierte. Von daher dürfte das eher eine exotische Ausnahme sein. Aber es gibt sie natürlich und man sollte keine pauschalen Aussagen machen. Von daher vielen Dank für deinen Hinweis.
Kevin S. schrieb: > exotische Ausnahme CD4007 ist gängig, BSS83 nicht ganz so, aber keineswegs exotisch.
@ hinz (Gast) >> exotische Ausnahme >CD4007 ist gängig, BSS83 nicht ganz so, aber keineswegs exotisch. Als Leistungsschalter eher ungeeignet ;-)
Falk Brunner schrieb: > @ hinz (Gast) > >>> exotische Ausnahme > >>CD4007 ist gängig, BSS83 nicht ganz so, aber keineswegs exotisch. > > Als Leistungsschalter eher ungeeignet ;-) Muss man halt ein paar mehr nehmen. ;-)
hinz schrieb: > Klaus schrieb: >> Fließt überhaupt ein >> Strom durch die Freilaufdiode? > > Nein. Ja. Wenn nach Energieauskopplung die Spannung am Col. wieder fällt, kann die durchaus bis kräftig unter Null schwingen. Die Inversdiode verhindert das weitgehend. IGBT im Boostwandler ? Du hast einen dreiecksförmigen Strom. Bei I=0 schaltet der IGBT ein. Das kann der schnell Bei I=Max schaltet der IGBT aus, gleichzeitig steigt UC sehr schnell weil das Magnetfeld 'nachdrückt'. Da ist der IGBT schneckenlangsam Die Verluste entstehen hauptsächlich im Ausschaltmoment. Genau da ist der IGBT schlecht, das kann der MosFet viel besser.
Passt zwar nicht 100% hier dazu, aber ich hätte mal eine Frage bezüglich IGBT oder MOSFET. Laut dieser Seite http://electronicdesign.com/interconnects/igbts-or-mosfets-which-better-your-design sind inzwischen IGBTs auch für höhere Schaltfrequenzen besser geignet als MOSFETs, außer sie werden mit einem geeigneten Gate-Treiber angesteuert, dann sind sie etwa gleich gut. Kann man das so pauschaisieren, hat sich der IGBT über die Jahre so verbessert gegenüber dem MOSFET?
Wieviel Amper müssen die Schalter in so einem Hochsetzsteller maximal oder minimal schalten können? Maximaler Laststrom oder maximaler Drosselstrom?
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