Hallo, ich möchte mir paar Mosfets hinlegen zum experimentieren. Habe mir dafür nun den IRLZ34N rausgesucht, Logic-Level und günstigt im Preis. Nun weis ich aber nicht recht, ob es etwas zubeachten gibt hinsichtlich der niedrigen Vgs. Muß man diese begrenzen? Oder kann man den einfach so wie einen normalen Mosfet verwenden nur mit dem Unterschied das er etwas zeitiger voll durchschaltet? Ein Vorwiderstand für Vgs ist nicht notwendig? Nur vielleicht ein Pulldown am Gate (Gate zu Source) damit er wieder sicher sperrt? Danke.
mosfet schrieb: > Nun weis > ich aber nicht recht, ob es etwas zubeachten gibt hinsichtlich der > niedrigen Vgs. Muß man diese begrenzen? Das Datenblatt sagt, dass der Grenzwert für Vgs bei +-16 V liegt. Wenn deine Ansteuerung mehr als das produzieren könnte, musst du sie begrenzen, sonst nicht. > Ein Vorwiderstand für Vgs ist nicht notwendig? Kontraproduktiv, da er mit Cgs einen Tiefpass bildet. > Nur vielleicht ein Pulldown am Gate (Gate zu Source) damit er wieder > sicher sperrt? Das hängt von deiner Ansteuerung ab. Wenn du eine push-pull-Stufe zum Ansteuern nimmst, dann ist der Widerstand witzlos: bei High verbraucht er nur unnütz Strom, und bei Low wird die Treiberstufe sowieso stromergiebiger sein. Wenn du mit einem floatenden Gate rechnen musst, kann sich ein pulldown-R lohnen. Aktiv ausschalten würde ich ihn aber auf diese Weise nicht, denn während der Entladephase von Cgs würde der Transistor den aktiven Bereich durchlaufen und Verlustleistung produzieren.
Hallo, das hilft schon weiter. Nur das mit dem "aktiv nicht entladen von Cgs" habe ich noch nicht verstanden. Wenn ich das Gate mit sauberen Takt, also nicht floaten, ansteuere, dann muß sich doch Cgs auch irgendwie entladen bei 0V Signal. Das würde er doch dann über das Ansteuersignal machen. Ich dachte ein Widerstand zwischen Gate und Source hilft um den Mosfet schneller zu sperren eben weil das C dadurch schneller entladen wird. Falsch?
Jörg Wunsch schrieb: >> Ein Vorwiderstand für Vgs ist nicht notwendig? > > Kontraproduktiv, da er mit Cgs einen Tiefpass bildet. Produktiv, da es die Treiberstufe entlastet (Strombegrenzung beim Umladen der Gate-Kapazität). Ein sehr kleiner Vorwiderstand reicht (z.B. 33 Ohm). Jörg Wunsch schrieb: >> Nur vielleicht ein Pulldown am Gate (Gate zu Source) damit er wieder >> sicher sperrt? > > Das hängt von deiner Ansteuerung ab. Wenn du eine push-pull-Stufe > zum Ansteuern nimmst, dann ist der Widerstand witzlos: bei High > verbraucht er nur unnütz Strom, und bei Low wird die Treiberstufe > sowieso stromergiebiger sein. Auf jeden Fall Pull-Down. Die "push-pull-Stufe" ist in der Regel ja ein Microcontroller, der erstmal Booten muss. In dieser Zeit sind die I/Os in der Regel floatend, und dein MosFET macht was er will. Je nachdem, ob eine Last daran hängt oder nicht, kann das zu sehr viel Wärme führen wenn der MosFET dabei unkontrolliert im aktiven Bereich rumeiert. Ein 100K Pulldown oder Pullup verbraucht keine Leistung, und hält das Gate sicher auf Low oder High solange der Treiber floatet. mosfet schrieb: > Nur das mit dem "aktiv nicht entladen von Cgs" > habe ich noch nicht verstanden. Wenn ich das Gate mit sauberen Takt, > also nicht floaten, ansteuere, dann muß sich doch Cgs auch irgendwie > entladen bei 0V Signal. Das würde er doch dann über das Ansteuersignal > machen. Ich dachte ein Widerstand zwischen Gate und Source hilft um den > Mosfet schneller zu sperren eben weil das C dadurch schneller entladen > wird. Falsch? Es kommt eben darauf an, wie der MosFET angesteuert wird. Mit einem Push-Pull Ausgang kannst du das Gate aktiv über 2 Transistoren sowohl auf High als auch auf Low ziehen. Das ist sehr gut und schnell. Manchmal hat man aber z.B. "nur" einen Open-Drain oder Open-Collector Ausgang zur Ansteuerung, dann braucht man einen Pull-Up. Je nach Dimensionierung des Pull-Ups entstehen hier Verzögerungen, bis die Spannung am Gate die Threshold erreicht hat, da der Kondensator am Gate ja nur "langsam" über den Pull-Up geladen werden kann.
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