Spricht etwas dagegen, das case limit von Leistungs-Mosfets voll auzunutzen?

[nova scotia (Gast)]

Hallo Leute, habe hier Mosfets, deren Chips mehr als den doppelten Strom 
der Bonddrähte vertragen. Sprich, der Chip bekommt höchstens 1/5 seiner 
max. zulässigen Verlustleistung, und ich kann die entstehende Wärme beim 
case limit - Strom sehr leicht auch abführen. Fragt sich nun, ob man 
sich beim Dauerstrom tatsächlich diesem Wert nähern darf? Als "Reserve" 
bleibt ja immerhin, daß das Gehäuse nie annähernd mit 175° beheizt 
wird...

Bitte keine spektakulären Neuigkeiten wie daß man auch 2 Mosfets nehmen 
könnte usw...;-)

[Lothar S. (loeti)]

> Fragt sich nun, ob man sich beim Dauerstrom tatsächlich diesem Wert
> nähern darf?

Du riskierst das die Bonddrähte an der Bondstelle bei Grenzlast den 
MosFet vorzeitig vergiften, außerdem verringert sich, auch ohne 
Vergiften, die Lebensdauer erheblich.

Grüße Löti

[Georg (Gast)]

nova scotia schrieb:
> Fragt sich nun, ob man
> sich beim Dauerstrom tatsächlich diesem Wert nähern darf?

Das ist eine Frage der Design-Philosophie. Will man eine möglichst 
zuverlässige Elektronik, dann nützt man keinen Maximalwert aus. Will man 
möglichst billig eine funktionierende Schaltung produzieren, dann schon, 
oder man geht noch darüber hinaus.

Ich habe bei meinen Produkten immer kräftig überdimensioniert, und die 
hatten auch ein ewiges Leben, aber mit chinesischen Konstruktionen 
können sie natürlich nicht konkurrieren.

Musst du also selbst entscheiden.

Georg