Ich benutze den Si8642BC-B-IS1 von Silicon Labs. Das ist ein galvanischer Trenner mit RF-Modulation. Er hat intern einen Rail-to-Rail-Ausgang mit einem 50Ohm Widerstand in Reihe zum Ausgangspin. Ich möchte am Ausgangspin einen p-Kanal-MOSFET schalten (BSS84), um das Schaltsignal quasi nach unten zu setzen. Kann man das so machen? (siehe Bild und LTspice Simulation) Es funktioniert zwar alles bis zum Ende der Signalkette, aber mir sind zwei Sachen aufgefallen. 1. Wenn man direkt am Ausgangspin des ICs misst, liegt der im Lowzustand bei etwa 2V. Der sollte doch eigentlich bei 0V liegen. Wie kommt das zu Stande? 2. Außerdem messe ich Oszillationen von 150MHz beim Ausschalten auf der Signalleitung. Sind das Reflektionen? Wenn ich noch einen zusätzlichen Gatewiderstand vor den pnp schalte, ändert das nichts an den Oszillationen. Mit einem 22R Gate-Widerstand hat es noch funktioniert, mit einem 100R Widerstand dann nicht mehr. Da war das Signal dann immer high.
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Ist V2 in der Simulation der Ausgang des Si8642? Und du willst ein +5/-16V Signal daraus machen? Dann kannst du dir den Opamp doch sparen... Und für Stabilität solltest du evtl. hinter R9 und R5 noch Kondensatoren zu GND hinzufügen.
Easylife schrieb: > Und du willst ein +5/-16V Signal daraus machen? in dieser Schaltungsvariante sieht M7 ein V_GS von -21V (und damit mehr als erlaubt...)
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Achim S. schrieb: > in dieser Schaltungsvariante sieht M7 ein V_GS von -21V Oha. Na dann eben noch einen 10K ans Gate.
Die Schaltung ist Murks. Du hast zwar wohl parasitäre Zuleitungsinduktivität und Widerstand eingebaut, aber keinen Stützkondensator zwischen +5V und -16V an den MOSFETs. Dann sagst du, daß deine Quelle 0V/5V liefern soll, aber nur 2V/5V liefert. Natürlich kannst du mit den -3V UGS den ersten MOSFET nicht ausreichend durchschalten, der ist nicht mal für 5V UGS spezifiziert (obwohl damit 2mA schaltbar sein werden, der MOSFET wäre ja bereits datenblattkonform wenn gesperrt immer noch 1mA fliesst) sondern benötigt offiziell eigentlich -10V am Gate (und nicht mehr als -20V, deine -21V waren beim zweiten MOSFET also zu viel). Wir wissen nicht, warum deine Quelle keine 0V liefert, wir wissen nicht mal ob sie als Rail-To-Rail an +5V/-16V oder an +5V/0V angeschlossen ist weil du sie nicht eingezeichnet hast, und wofür die -16V überheupt nötig sein, weil es auch dazu keinerlei Angaben gibt, geschweige denn, wieso HF-Technik nicht Analogsignale sondern langsame Schaltsignale liefern soll. Und wenn du an OUT schon den LT1807 hast, dann kannst du die MOSFETs gleich ganz weglassen und den LT1807 direkt den 50 Ohm Ausgang abhören lassen. Alles ein mysteriöses Durcheinander und daher kein Wunder wenn es nicht geht. Wenn man eine 50 Ohm Quelle hat, die wohl auch weiter weg ist, dann würde ich erst mal mit einem 50 Ohm Anschlusswiderstand am Empfängereingang arbeiten. Und wenn dann der LT1807 als Komparator folgt, scheint alles in Ordnung, bis auf eine kleine Hysterese.
M7 ist in meiner Ausgangsschaltung am Source Pin an GND und nicht an +5V angeschlossen. Sieht also ein Vgs von +5V bis -16V. Laut Datenblatt ist VGS max = +-20V. Der LT1807 ist nur für die Simulation da. In Wirklichkeit ist das ein IC, der für den Lowzustand -16V braucht und für den Highzustand mindestens -16V +2V. Im Datenblatt (Fig4) steht für VGS -3V ein Id von 100mA: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BSS84.pdf Und bei 10kOhm, dürften im On-Zustand etwa nur 2mA fließen, sollte also ok sein laut Ausgangscharakteristik. Bypasskondensatoren sind C3 und C2 in meiner Ursprungssimulation. R5 und R9 sollen Parasiten sein zwischen Bypass und MOSFETs.
Thomas schrieb: > In Wirklichkeit ist das ein IC, der für den Lowzustand -16V > braucht und für den Highzustand mindestens -16V +2V. ZD16 Si8642 --|<|--+-- IC ` | 1k | -16V ??
MaWin schrieb: > Thomas schrieb: >> In Wirklichkeit ist das ein IC, der für den Lowzustand -16V >> braucht und für den Highzustand mindestens -16V +2V. > > ZD16 > Si8642 --|<|--+-- IC > ` | > 1k > | > -16V > > ?? Das war ehrlich gesagt das Erste, was ich ausprobiert hatte. Das hat nicht dauerhaft funktioniert, da die -16V-Ebene bei starker unsymmetrischer pulsierender Belastung schwankt. So oder so, wäre das Signal so niemals auf den -16V Punkt, sondern immer auf den "floatenden" 0V-bis-5V-Punkt bezogen. Das ist natürlich schlecht, wenn ich nicht sicherstellen kann, dass -16V immer genau gegeben sind. Außerdem ist mein Si8642 nach einiger Zeit kaputt gegangen und hat nach einiger Zeit ein delay von 4us verursacht. Mit der Transistorlösung läuft er bis jetzt stabil. Fragt sich nur wie lange noch.
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