Ansteuerung Trafo mit Mittelanzapfung

[Andreas R. (andreasr)]

Hallo,

für den Bau eines Sinuswechselrichters 12V -> 230V habe ich überlegt 
einen Trafo mit Mittelanzapfung so anzusteuern dass die Mittelanzapfung 
auf +12V liegt und die "Enden" der Primärwicklung über 2 
N-Kanal-MOSFET's auf Masse gezogen werden (s. Schaltung). Die MOSFET's 
sollen über eine Sinus-PWM angesteuert werden.
Der Vorteil gegenüber einer Vollbrückenansteuerung wäre die Einsparung 
von 2 FET's + Treiber. Ich frage mich ob ich auch Freilaufdioden 
verwenden muss. Wahrscheinlich ja, da beim Abschalten der Spule die 
Induktionsspannung sonst nicht abgebaut werden kann. Die eingebauten 
Dioden in den MOSFET's helfen hier vermutlich nicht. Kann mir jemand 
einen Tipp geben?

[Andrew T. (marsufant)]

Glückwunsch, so wird das schaltungstechnisch schon seit 30 Jahren 
gemacht.

Orientiere Dich doch einfach an einem Beitrag der Zeitschrift ELV,

da ist die Bauanleitung ein WR  300VA exakt mt Mittelanzapf und Schalten 
gegen Masse veröffentlicht.

Damals noch mit BIP-Transistoren. Ändert aber nix am Prinzip.

[noreply (Gast)]

Bitte nochmal durchdenken, nicht das 460 Volt rauskommen. ;-)

[Andreas R. (andreasr)]

Das Argument mit der überhöhten Spannung ist berechtigt. Ich habe nicht 
erwähnt, dass die PWM noch skaliert wird abhängig von der 
Eingangsspannung. Einen idealen Trafo vorausgesetzt würden 230V schon 
bei 8,48V (6V ist der Effektivwert) am Eingang erreicht. Je größer die 
Eingangsspannung wird umso mehr wird die PWM reduziert. Damit sollten 
die 230V gut genug ausgeregelt werden.

Andreas

[Andreas R. (andreasr)]

@Andrew: Danke für den Tipp mit ELV. Leider scheint der Link nicht zu 
funktionieren. Über Google finde ich nur den fertigen Wandler. Ich 
wollte aber selber bauen :-)

Andreas

[MaWin (Gast)]

Andreas Richter schrieb:
> Ich frage mich ob ich auch Freilaufdioden verwenden muss.

Nein, natürlich nicht, denn am anderen Spulenende entstehen ja 
Spannungen von 24V, das würde eine Freilaufdiode verhindern wollen und 
dabei zerbraten.

Entweder eine 27V Z-Diode nach Masse, eine 13V Z-Diode in Reihe mit 
einer nirmalen nach +12V oder einen DRC Snubber azs Diode, Kondensator 
und Widerstand wie bei Flyback-Schaltnetzteilen.


> Die eingebauten Dioden in den MOSFET's
> helfen hier vermutlich nicht.

Natürlich nicht, die sind ja an der ganz falschen Stelle.

Aber was ist mit Blindstrom wärhend einer phasenverschobenen Halbwelle 
kapazitiver und induktiver Lasten? Der erscheint rücktransformiert auch 
an deinen Schslttransistoren und muss fliessen können.

[Andreas R. (andreasr)]

Ok die Sache mit dem Blindstrom würde dann doch für eine Vollbrücke 
sprechen. Da sind beide Enden der Primärwicklung immer auf einem festen 
Potential und der Strom kann immer fließen.