Hi zusammen Ich habe ein verständnisproblem bei MOSFETs: Wie kann ich am besten messen ob ein MOSFET funktioniert? Ich habe am Gate ein schaltbares signal zwischen 0 und 5V. Am Drain habe ich 24V, die Source habe ich offen. Eigentlich würde ich jetzt erwarten, dass wenn ich am Gate 5V anlege dass ich zwischen Source und GND 24V haben müsste, da ja der Kanal nun leitend sein sollte. Ich messe aber nur 7 oder so. Bei Gate=0V messe ich null volt. Ich frage mich nur ob diese messung sinn macht, da die Source ja so eigentlich floating ist. Habe mich auch schon gefragt, ob ich den Spannungsabfall über dem FET messen kann, aber der sollte ja eigentlich im "high" und "low" zustand gleich sein. Dann bliebe nur noch die Strommessung? danke für eine kurze aufklärung :) und gute nacht simon
simon k schrieb: > Ich frage mich nur ob diese messung sinn macht, da die Source ja so > eigentlich floating ist. Wie willst du eine vernünftige Vgs erhalten wenn Source floatet? Welchen FET verwendest du? Die Messschaltung für einen N-Ch MOSFET sieht normalerweise so aus wie im Anhang. Wenn du verhindern willst den Mosfet aus Versehen zu Grillen würde ich noch einen Widerstand in Serie zu Drain schalten.
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hi und danke für die antwort. ok, ich werde das so testen. Noch eine kleine frage: Gehe ich richtig in der annahme, dass Vds theoretisch konstant sein sollte? Wenn der FET zu ist entspricht das einem grossen widerstand und folglich einem kleinen strom und umgekehrt wenn der FET offen ist ein kleiner widerstand und grosser strom. lg simon
simon k schrieb: > Gehe ich richtig in > der annahme, dass Vds theoretisch konstant sein sollte? Bei dieser Schaltung ja, da das Amperemeter theoretisch 0 Ohm hat wüsste ich auch nicht wo außer am FET die Spannung abfallen sollte. Bei realen Schaltungen bei denen z.B. an Drain eine Last sitzt ist es dann anders: Fet sperrt: Vds=Vdd, Fet leitet Vds=Id*Rds(on);
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Max H. schrieb: > Bei dieser Schaltung ja, da das Amperemeter theoretisch 0 Ohm hat wüsste > ich auch nicht wo außer am FET die Spannung abfallen sollte. Bei realen > Schaltungen bei denen z.B. an Drain eine Last sitzt ist es dann anders: > Fet sperrt: Vds=Vdd, Fet leitet Vds=Id*Rds(on); Praktisch am Innenwiderstand der Quelle? Wenn der FET das quasi "Kurzschließt" wird die Ausgangsspannung der Quelle recht fix zusammenbrechen. Ob das für den FET und die Quelle so gut ist sei dahingestellte... Darum kann ich dir auch nur zu dem Widerstand am Drain raten: Max H. schrieb: > Wenn du verhindern willst den Mosfet aus Versehen zu Grillen > würde ich noch einen Widerstand in Serie zu Drain schalten. Dann klappt es auch mit der Spannungsänderung.
Bernhard F. schrieb: > Praktisch am Innenwiderstand der Quelle? In der Praxis auch noch am Amperemeter und den Leiterbahnan/Kabel.
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