Hallo, ich bin aktuell auf der Suche nach einer Gleichrichterbrücke deren lowside-Dioden durch MOSFETs ersetzt sind, damit das interne und das externe Ground nicht allzuweit auseinander liegen. Der angehängte Simulationsaufbau kommt mit den beispielhaft gewählten Bauteilen auf eine Spannungsdifferenz (GND_ext - GND_INT) von gerade mal 9mV also fast nichts. Kopfschmerzen bereitet mir jetzt allerdings, dass es kaum fertige Bausteine für diese "Problem" gibt. Übersehe ich da etwas essentielles? Schöne Grüße, Thorsten
Ja! Den Preis! Ein paar dioden gibt es für Pfennige! FETs sind teurer und erst recht die dazugehörige Ansteuerung. - Mal ganz von dem ggf. katastrophalen Folgen eines "Verschaltens" - was bei "einfachen" Dioden nicht möglich ist.
http://www.mikrocontroller.net/attachment/43223/DE2008071001.pdf http://www.setron.de/de/ueber-setron/linear_technology_news/lt_news_archiv_2013/2013-11-LT4320-Aktiver-Brueckengleichrichter-vermindert-Leistungs--und--de usw... Gruß Chris
Hans schrieb: > FETs sind teurer und erst recht die dazugehörige Ansteuerung. - Mal ganz > von dem ggf. katastrophalen Folgen eines "Verschaltens" - was bei > "einfachen" Dioden nicht möglich ist. Jupp, deswegen ja nur lowside. Die Anwendung ist rein DC, von daher ist die Ansteuerung auch sehr überschaubar. Beim Hochfahren kurz messen wo der Strom nun fließt -> MOSFET einschalten und gut ist's. Chris schrieb: > http://www.setron.de/de/ueber-setron/linear_technology_news/lt_news_archiv_2013/2013-11-LT4320-Aktiver-Brueckengleichrichter-vermindert-Leistungs--und--de Den LT4320 habe ich schon gefunden, aber der ist natürlich viel zu hochpreisig, schießt er über's Ziel (nur lowside) und dann auch noch nur ein Controller. Wären die MOSFETs mit integriert, könnte man drüber nachdenken.
Hi, wenn man nur eine Seite der Brücke durch FETs ersetzen will, braucht man keine zweite Gleichrichterfunktion. Es reicht ein einfaches Schalten. Gate von M1 mit VL und Gate M2 mit VR verbinden. Funktioniert bei Eingangsspannungen über Ugsth und unter Vgsmax. Grüße
Thorsten S. schrieb: > damit das interne und das externe Ground nicht allzuweit auseinander > liegen. Es git kein externes Ground. Dort ist Wechselspannung. Ein Gleichrichter mit aktiven Dioden im negativen Zweig verhindert nicht, dass du die Eingangsleitungen und die Ausangsspannung voneinander isolieren musst, egal wie klein die Spannung ist, die an den unteren Dioden abfällt. Jeder Draht der Eingansleitung kann bis zu (Wechselspannungshöhe) Spannungsdifferenz haben zum internen Ground hinter dem Gleichrichter.
Potibrutzler schrieb: > Gate von M1 mit VL und Gate M2 mit VR verbinden. Funktioniert bei > Eingangsspannungen über Ugsth und unter Vgsmax. Der Hinweis ist gut. Danke! Allerdings liegt die Eingangsspannung bei bis zu 30 eher 36 V, reißt also Vgsmax. Da war ich wohl zu voreilig...wenn ich die Dioden D5 und D6 über einen Draht brücke, schließe ich auch die Eingangsspannung kurz. War der Tipp so gedacht? MaWin schrieb: > Thorsten S. schrieb: >> damit das interne und das externe Ground nicht allzuweit auseinander >> liegen. > > Es git kein externes Ground. > Dort ist Wechselspannung. Nicht bei meiner Anwendung, rein DC.
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Hi, mit kurzgeschlosenen D5 und D6 hast du keine Brücke mehr. Den einzigen Sinn deiner Schaltung kann ich nur als Verpolschutz erkennen. Wenn die Eingangsspanung verpolt angeschlossen wird, hast du deine 36V zwischen den GNDs. Grüße
Hi, Potibrutzler schrieb: > Wenn die Eingangsspanung verpolt angeschlossen wird, hast du deine 36V > zwischen den GNDs. ne, sorry ist Falsch, gegen die angeschlossene Quelle entsteht nur der Spannungsabfall über dem FET. Die 36V liegen nur zwischen GND und dem Minusanschluss der Buchsen an. Grüße
Potibrutzler schrieb: > Den einzigen Sinn deiner Schaltung kann ich nur als Verpolschutz > erkennen. Der Sinn besteht in der Funktion eines Eingangs. Je nachdem wie die Spannung angeschlossen wird, arbeitet die nachfolgende Schaltung im Modus A bzw. B.
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