Ungewolltes Entstehen eines Schwingkreises durch Zenerdiode

[Schneeleopard (Gast)]

Hallo,

ich habe gelernt, dass man durch paralleles Verschalten einer Zenerdiode 
zu einem Schutzobjekt dieses vor zu hoher Spannung schützen kann. Ist es 
so, dass so eine Zenerdiode auch "kapazitive" Effekte hat, und man so 
durch das Parallelverschalten auch einen Schwingkreis "ungewollt" 
entstehen lassen kann?

[Helge A. (besupreme)]

Geht bestimmt. Allerdings ist die geringe Kapazität nur in hochohmigen 
Meßschaltungen oder im MHz-Bereich von Belang. Im Datenblatt deiner 
Z-Diode ist der Parameter angegeben.

[Chris (Gast)]

Die Güte des Schwingkreises dürfte auch relativ schlecht sein =)

[Peter R. (pnu)]

Jede Z-Diode hat wie andre Sperrschicht-Dioden eine Spannunsgsabhängige 
Kapazität im Sperrzustand. Bei Durchbruch entsteht parallel zu dieser 
Kapazität ein Widerstand entsprechend du/di

Unterhalb Uz verhält sich die Diode wie eine normale PN-Sperrschicht. Im 
Durchbruchbereich kommt dann ein Widerstand (rz) und eine 
Spannungsquelle Uz parallel ins Ersatzschaltbild.

[Arsenico (Gast)]

Da hat wieder JEMAND einen Elko eingespart , gelle.

[Anja (Gast)]

Helge A. schrieb:
> Allerdings ist die geringe Kapazität nur in hochohmigen
> Meßschaltungen oder im MHz-Bereich von Belang.

300-500 pF für eine BZX85 bei Spannungen unter 5V würde ich nicht 
vernachlässigen.
Wenn das zu sehr stört kann man auch eine normale 1N4148 mit 4pF in 
Reihe schalten. (natürlich erhöht sich die Spannung um 0.7V

Gruß Anja