Hallo, bis jetzt habe ich bei N-Kanal Mosfet immer am Drain das höhere Potential, bzw. die Plus Spannung angeschlossen.... mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze umgekehrt machen kann. Also am Source, den Pluspol... wie im angehängten Bild. Geht das wirklich und ohne Nachteile (wie weniger Strom) ?? Grüsse
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Voll eingeschalteten MOSFETs ist es egal, in welcher Richtung der Strom durch sie fliesst. Die Spannungen sind entscheidend, nicht die Richtung des Stromflussses. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren.
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Schau dir mal die Richtung der eingebauten Diode an. Dies Diode ist sofort leitend, wenn die Eingangsspannung größer als die Ausgangsspannung ist. Diese Funktionsweise macht Sinn, wenn man einen verlustlosen Verpolungsschutz haben will oder 2 Quellen "verodern" will.
Wenn du den IC und FET wie im Datenblatt verwendest, ist es OK. Verwirrung stiftet das Bild nur wenn man das Datenblatt nicht gelesen hat.
Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC funktioniert ? Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ?
epikao schrieb: > Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC > funktioniert ? > Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ? 1. Ja. Allerdings nicht "mindestens": 10V reichen locker aus... 2. Bitte nicht plenken! epikao schrieb: > mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze > umgekehrt machen kann. Siehe den Verpolungsschutz dort: http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz Auch da ist der Mosfet "falsch" herum eingbaut. Das ist aber nur im 1. Augenblick interessant. Wenn die Diode dann leitet, wird sie sofort vom niederohmigen DS-Kanal überbrückt...
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schon krass wie schnell hier geholfen wird :-) Danke. kann ich das Schema (Anhang) auch für den Fall einsetzen wenn Ausgang > Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal Mosfet leitet ? Grüsse
epikao schrieb: > Schema (Anhang) Das ist ein Schaltplan ein Schema ist was anderes: http://www.duden.de/rechtschreibung/Schema
epikao schrieb: > Ausgang > > Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal > Mosfet leitet? Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten. Das ist nur eine Verpolschutz und ersetzt eine Diode nicht komplett. Wenn man die Bauteile ein bisschen anders anordnet sieht man das besser... BTW: Es gibt die Schaltung auch mit P-MOSFETs, das ändert aber nichts am Problem.
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gibt es eine Schaltung, die dieses Problem löst? Ich möche ein Schaltnetzteil von XP-Power: http://www.xppower.com/EN/100678/HDS800-Series als Schnell-Ladegerät für LiFe Akkus verwenden. Bei Stromausfall würde sich der Akku gemäss Hersteller über das Netzteil entladen. Der Hersteller empfiehlt deshalb eine O-Ring Schaltung, aber wie soll das jetzt funktionieren?
Max H. schrieb: > Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also > Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten. eben, ich hatte mal einen Versuchsaufbau gemacht um 2 Spannungen zu entkoppeln ohne diese Mist Schwellspannung an den Dioden zu haben und wunderte mich waum das Teil leitet wenn vom anderen Zweig Spannung kommt ! Es ist wirklich nur als Verpolschutz zu gebrauchen, sobald hinten Spannung kommt leitet der im Gegensatz zu einer Diode rückwärts.
epikao schrieb: > eine O-Ring Schaltung ... hat schon überhaupt rein gar nichts mit einem O-Ring zu tun! Sondern es ist eine "Veroderungs-Schaltung" zweier Spannungen. Auf gut angelsächsisch heißt das dann "Or" von "Oder" bzw. "das Verodern" = "Oring".
Max H. schrieb: > Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann leitet der Mosfet nicht, oder? Hubert G. schrieb: > Der FET leitet nicht, aber die Body-Diode. verstehe ich nicht, der Eingang macht Kurzschluss, dann liegt die Body Diode doch in Sperrrichtung zum PlusPol?
epikao schrieb: > Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann > leitet der Mosfet nicht, oder? Damit der FET sicher sperrt muss das Gate auf Source-Potential liegen, offen lassen erzeugt einen undefinierten Zustand.
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