Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik N-Kanal Mosfet Polung ?


von epikao (Gast)


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Hallo,

bis jetzt habe ich bei N-Kanal Mosfet immer am Drain das höhere 
Potential, bzw. die Plus Spannung angeschlossen....

mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze 
umgekehrt machen kann.
Also am Source, den Pluspol...  wie im angehängten Bild.

Geht das wirklich und ohne Nachteile (wie weniger Strom) ??

Grüsse

: Verschoben durch Moderator
von (prx) A. K. (prx)


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Voll eingeschalteten MOSFETs ist es egal, in welcher Richtung der Strom 
durch sie fliesst. Die Spannungen sind entscheidend, nicht die Richtung 
des Stromflussses. Im Gegensatz zu Bipolartransistoren.

: Bearbeitet durch User
von Helmut S. (helmuts)


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Schau dir mal die Richtung der eingebauten Diode an. Dies Diode ist 
sofort leitend, wenn die Eingangsspannung größer als die 
Ausgangsspannung ist. Diese Funktionsweise macht Sinn, wenn man einen 
verlustlosen Verpolungsschutz haben will oder 2 Quellen "verodern" will.

von Hubert G. (hubertg)


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Wenn du den IC und FET wie im Datenblatt verwendest, ist es OK.
Verwirrung stiftet das Bild nur wenn man das Datenblatt nicht gelesen 
hat.

von epikao (Gast)


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Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC 
funktioniert ?
Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ?

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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epikao schrieb:
> Was muss ich am Gate für eine Spannung anlegen, damit es ohne diesen IC
> funktioniert ?
> Theoretisch also min. 10V höher als die Eingangsspannung, oder ?
1. Ja. Allerdings nicht "mindestens": 10V reichen locker aus...
2. Bitte nicht plenken!

epikao schrieb:
> mich verwirrt es jetzt aber, das man scheinbar genauso das ganze
> umgekehrt machen kann.
Siehe den Verpolungsschutz dort:
http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
Auch da ist der Mosfet "falsch" herum eingbaut. Das ist aber nur im 1. 
Augenblick interessant. Wenn die Diode dann leitet, wird sie sofort vom 
niederohmigen DS-Kanal überbrückt...

: Bearbeitet durch Moderator
von epikao (Gast)


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schon krass wie schnell hier geholfen wird :-) Danke.

kann ich das Schema (Anhang) auch für den Fall einsetzen wenn Ausgang > 
Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal 
Mosfet leitet ?

Grüsse

von Hubert G. (hubertg)


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Der FET leitet nicht, aber die Body-Diode.

von azsyre7 (Gast)


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epikao schrieb:
> Schema (Anhang)
Das ist ein Schaltplan ein Schema ist was anderes:
http://www.duden.de/rechtschreibung/Schema

von Max H. (hartl192)


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epikao schrieb:
> Ausgang >
> Eingang (bzw. Eingang macht Kurzschluss), ohne dass dabei der N-Kanal
> Mosfet leitet?
Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also 
Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten. Das ist nur eine 
Verpolschutz und ersetzt eine Diode nicht komplett.

Wenn man die Bauteile ein bisschen anders anordnet sieht man das 
besser...

BTW: Es gibt die Schaltung auch mit P-MOSFETs, das ändert aber nichts am 
Problem.

: Bearbeitet durch User
von epikao (Gast)


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gibt es eine Schaltung, die dieses Problem löst?

Ich möche ein Schaltnetzteil von XP-Power:
http://www.xppower.com/EN/100678/HDS800-Series

als Schnell-Ladegerät für LiFe Akkus verwenden.

Bei Stromausfall würde sich der Akku gemäss Hersteller über das Netzteil 
entladen.
Der Hersteller empfiehlt deshalb eine O-Ring Schaltung,

aber wie soll das jetzt funktionieren?

von Joachim B. (jar)


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Max H. schrieb:
> Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr) anliegt, also
> Vout>Vgs(thr) ist wird der FET immer leiten.

eben, ich hatte mal einen Versuchsaufbau gemacht um 2 Spannungen zu 
entkoppeln ohne diese Mist Schwellspannung an den Dioden zu haben und 
wunderte mich waum das Teil leitet wenn vom anderen Zweig Spannung kommt 
!

Es ist wirklich nur als Verpolschutz zu gebrauchen, sobald hinten 
Spannung kommt leitet der im Gegensatz zu einer Diode rückwärts.

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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epikao schrieb:
> eine O-Ring Schaltung
... hat schon überhaupt rein gar nichts mit einem O-Ring zu tun! Sondern 
es ist eine "Veroderungs-Schaltung" zweier Spannungen. Auf gut 
angelsächsisch heißt das dann "Or" von "Oder" bzw. "das Verodern" = 
"Oring".

von epikao (Gast)


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Max H. schrieb:
> Nein, wenn an Gate des FETs eine Spannung>Vgs(thr)

Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann 
leitet der Mosfet nicht, oder?

Hubert G. schrieb:
> Der FET leitet nicht, aber die Body-Diode.

verstehe ich nicht,
der Eingang macht Kurzschluss, dann liegt die Body Diode doch in 
Sperrrichtung zum PlusPol?

von Hubert G. (hubertg)


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epikao schrieb:
> Wenn ich aber den Gate bei Stromausfall automatisch abklemme, dann
> leitet der Mosfet nicht, oder?
Damit der FET sicher sperrt muss das Gate auf Source-Potential liegen, 
offen lassen erzeugt einen undefinierten Zustand.

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