Moin, Nach einer längeren Suche bin ich nun endlich verzweifelt genug einen Beitrag zu schreiben. Es geht um die Schaltverluste (NICHT um die statischen Verluste)einer MOSFET-Halbbrücke. Diese werden mit PWM-Signalen (f=20kHz) angesteuert, die vereinfachte Berechnung der Schaltverluste ergibt: Vz=100V Cr=105pF Il=30A f=20kHz Ig=540mA PV = (Cr*Vz^2*f*Il) / Ig = 1,2 W Um mein Ergebnis zu überprüfen habe ich mit LtSpice versucht die Schaltung nachzubilden, dabei wird das MOSFET-Modell des Herstellers verwendet (IRFS4115). Im Bild Waveform_PVon sind die Verluste des Einschaltvorgangs zu erkennen, der Laststrom zur Induktivität ist ca. 25A , die Schaltverluste PV betragen in einem Zeitfenster von ca. 5ns bis zu 64kW! "Gemessen" werden die Verluste aus der Spannung Vds und dem Strom durch den Halbleiter Id. Mir kommt der Wert sehr groß vor, wie werden diese Transienten mit der errechneten Größe in Bezug gebracht? Bzw. was kann ich mit der simulierten Verlustleistung anfangen? ` Ich würde die Verlustleistung gerne in ein Diagramm übertragen, auf dem Zwischenkreisspannung, Laststrom und Verluste aufgeschlüsselt sind (Surfplot). Wie kann ich meine simulierten Verluste in eine verwendbare Form bringen? Ich wäre sehr dankbar, wenn Ihr mir helfen könntet. Gruß Dan
Simulationen in diesen Zeitbereichen sind imho ziemlich fragwürdig. Das liegt allerdings wohl weniger an LTSpice selbst. Zum einen weiss man nicht, wie gut das MOSFET-Modell hier noch funktioniert. Ausserdem kann eine solche Simulation nur ein Abbild der Wirklichkeit sein, wenn auch alle parasitären Elemente mit simuliert werden. Und daran hapert es eigentlich immer - oder hast Du sämtliche realen Leitungsinduktivitäten Deiner Schaltung simuliert? Füge mal in die source- drain- oder gate Leitung 10-100nH ein und Du wirst feststellen, dass die Stromraten schonmal deutlich zurück gehen, und damit auch die Peakleistungen.
Ansonsten noch ein Tipp: Mach Dich vertraut mit dem LTspice "Measure" Kommando. Damit werden Messergebnisse in das log-file geschrieben, dass Du dann auswerten kannst.
Ansonsten zeigten sich in diesem Kontext immer deutliche Diskrepanzen zwischen Theorie (LTSpice) und Praxis (Leistungsmessung). Bei "hard-switching" sind die Verluste meist deutlich höher als durch die Umladungseffekte zu erwarten wäre. Hier kommen einfach noch ganz ordinäre Einschaltverluste aufgrund endlicher Schaltzeiten hinzu. Und bei "soft-switching" erfolgt auch die Umladung der Kapazitäten nahezu verlustlos. Da bleibt der MOSFET kalt.
Danke voltwide, natürlich gibt es parasitäre Effekte durch Leitungsinduktivitäten, die in der realen Schaltung durch z.B. ein Boucherot-Glied ausgeglichen werden müssen. Eine Verlustbestimmung sollte also nach wie durch eine Messung an der Schaltung erfolgen. Rein Interessehalber: Wie ermitteln denn die Profis die Schaltverluste in der Auslegungsphase? Wird da geschätzt, genauer simuliert oder mehrere Prototypenboards von Anfang an verblasen? Freitag ab eins macht jeder Seins, schonmal ein schönes Wochenende. Gruß voltwide schrieb: > Ansonsten noch ein Tipp: Mach Dich vertraut mit dem LTspice "Measure" > Kommando. Damit werden Messergebnisse in das log-file geschrieben, dass > Du dann auswerten kannst. Ich verwende LtSpice2Matlab zur Auswertung der Messdaten, Matlab stellt ebenfalls sämtliche Plotfunktionalität zur Verfügung. Aber ich werde mir das mal angucken. Danke dafür. voltwide schrieb: > Bei "hard-switching" sind die Verluste meist deutlich höher als durch > die Umladungseffekte zu erwarten wäre. Hier kommen einfach noch ganz > ordinäre Einschaltverluste aufgrund endlicher Schaltzeiten hinzu. > > Und bei "soft-switching" erfolgt auch die Umladung der Kapazitäten > nahezu verlustlos. Da bleibt der MOSFET kalt. Der Gate-Widerstand beträgt ca. 15 Ohm, daraus folgt eine Einschaltzeit von ca. 108 ns (simuliert und gemessen).
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