Threshold Voltage Mosfet Toleranz?

[Bert S. (kautschuck)]

Ich verstehe nicht, warum in den Datenblättern die Threshold Spannung
mit min und max angegeben wird? Das kann doch nicht sein das die 
Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert?
Z.B der 2N6761 N-Channel Mosfet hat V_th zwischen 2V und 4V?

Gruss Bert

[Herbert (Gast)]

Bert Siegfried schrieb:
> Ich verstehe nicht, warum in den Datenblättern die Threshold Spannung
> mit min und max angegeben wird? Das kann doch nicht sein das die
> Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert?
> Z.B der 2N6761 N-Channel Mosfet hat V_th zwischen 2V und 4V?

Das ist so :)

[Fet (Gast)]

Bert Siegfried schrieb:
> Das kann doch nicht sein das die
> Tresholdspannung so um die 2 Volt variiert?
Wieso nicht?

[Bert S. (kautschuck)]

Danke, nur so, dann muss man das halt messen, für Ids = 1mA gilt ja laut 
Datenblatt Vds = Vgs, dann kann ich daraus Vth berechnen.

Noch was, wenn keine Angaben zu Width und Length im Datenblatt stehen, 
was mache ich dann? Ich kann ja Vth nur berechnen über:

Vth = Vds - sqrt((2*L*Ids)/(k_p * W)) (Da Sättigung bei Vds = Vgs)

für Ids = 1mA und Vgs = Vds nach Datenblatt, doch ohne die Dimension 
nicht möglich.

[Achim S. (Gast)]

Bert Siegfried schrieb:
> Danke, nur so, dann muss man das halt messen, für Ids = 1mA gilt ja laut
> Datenblatt Vds = Vgs, dann kann ich daraus Vth berechnen.

du denkst um drei Ecken zu kompliziert. Der Hersteller deines FETs 
definiert Vth als die Spannung V_GS=V_DS, bei der ID=1mA wird.

Also wenn du nach den Testbedingungen des Herstellers Vth messen willst, 
dann schalte Gate und Source zusammen, schicke 1mA hinein und miss nach, 
welche Spannung sich einstellt: das ist Vth (ohne weitere Rechnung).

[Bert S. (kautschuck)]

Danke, ja stimmt, ist eigentlich wirklich einfach.

[Bert S. (kautschuck)]

Doch wo genau finde ich die Channel Weite und Länge?

[Abdul K. (ehydra)]

nirgends, da ne Art Betriebsgeheimnis. Und wozu auch, alles wesentliche 
is im DB angegeben.

[Bert S. (kautschuck)]

Wie genau mache ich dass dann, wenn ich z.B einen Stromspiegel baue und 
das 4-Fache des Referenzstromes haben möchte? Dann ist ja der Strom 
abhängig von:

I_ds2 = I_ref * (W_2/L_2)*(L_ref/W_ref)

Wie macht man das dann in der Realität?

Gruss Bert

[MaWin (Gast)]

Bert Siegfried schrieb:
> Wie macht man das dann in der Realität?

Mit Bipolartransistoren und definierte Emitterwiderständen.
Oder gleich OpAmos.

Denn VLSI Bauweise lässt sich nicht übertragen, und ist eh nicht so 
genau.

[Achim S. (Gast)]

Bert Siegfried schrieb:
> Wie macht man das dann in der Realität?

Gar nicht: du baust mit diskreten Leistungs MOSFETs keine genauen 
Stromspiegel auf. Das geht mit gematchten Transistoren auf dem selben 
Substrat, die die identische Fertigungsparameter und die immer die selbe 
Temperatur haben. Beim Entwerfen eines Stromspiegels auf einem IC kannst 
du auch W und L frei wählen, bei einem gekauften diskreten MOSFET halt 
nicht.

Wenn du trotzdem einen Stromspiegel aus einzelnen Transistoren zusammen 
bauen willst, kannst du W/L in diskreten Schritten variieren, indem du 
mehrere identische MOSFETs parallel schaltest. Ansonsten musst du halt 
wieder nachmessen, wann genau der 4fache Strom fließt. Wenn die 
Temperaturen der einzelnen FETs auseinander laufen, wird es dann halt 
wieder ungenau. Mit Widerständen an der Source lässt sich die Drift 
etwas reduzieren und der Innenwiderstand der Stromquelle deutlich 
erhöhen.

[Bert S. (kautschuck)]

Danke euch, wusste ich nicht.

[Abdul K. (ehydra)]

Es gibt auch welche mit rausgeführtem Teiltransistor: HEXsense. "The 
HEXSense device provides an accurate fraction of the drain current 
through
the additional two leads to be used for control or protection of the 
device"

Hat jemand ne Übersicht über vergleichbare Typen anderer Hersteller? 
Sind ja eher Exoten.