Hallo, ich habe in LTSPice den Schaltvorgang eines MosFets simuliert und entsprechend V_DS und I_D geplottet. Im Plot kann ich die Schaltzeiten Problemlos ablesen. Die in LTSpice abgelesenen Schaltzeiten unterscheiden sich jedoch um den Faktor ~10 von denen die im Datenblatt unter gleichen Randbedingungen angegeben werden. Entsprechend ergeben sich auch Unterschiede in den Verlustleistungen auf die es mir im Ende ankommt. Das MosFet Modell ist das richtige. Da gleiche Problem tritt auch in PSPice auf. Kann mir jemand bei dem Problem helfen? Plot und Datenblatt sind im Anhang.
Gerrit Scherke schrieb: > Im Plot kann ich die Schaltzeiten Problemlos ablesen. Und was liest Du da ab - also mal konkret in Zahlen gefasst? > Die in LTSpice abgelesenen Schaltzeiten unterscheiden sich > jedoch um den Faktor ~10 von denen die im Datenblatt unter > gleichen Randbedingungen angegeben werden. ??? Das Datenblatt redet von einstelligen Nanosekunden. In Deinem Plot sehe ich einstellige Nanosekunden. Wo ist das Problem?
Im DB ist das wahrscheinlich induktives Schalten, während deine Simulation eine ohmsche Last hat. Das hat einen gewissen Einfluss.
- Zuleitungsinduktivitäten - Kapazitäten sind spannungsabhängig
Du willst den Fet aber nicht in einstellgen Nanosekunden schalten lassen... das mach besser nicht. Das gibt mehr Probleme also es loest. Zumal der Treiber nicht trivial ist. 10V Gatespannung.. auf 1.5nF in 10ns ergibt einen Strom von 1.5Ap. Das waer dann einen Treiber, der mind 1.5A kann. zB den MIC4427, ein 1.5A Typ. Der hat 7 Ohm und kann 1nF in 25ns schalten. Reicht nicht. zB der MIC4422, ein 9A Typ, der hat 1.6 Ohm und kann 10nF in 25ns schalten. Schon eher.
Mit der Infineon-Lib [1] stimmen zumindest die Größenordnungen. Für das den Unterschied (und das Geklingel) sind die durchaus realistischen Induktivitäten - Ls=2n Ld=1n Lg=3n - verantwortlich, die dem mit LTspice aus gelieferten VDMOS-Modell fehlen. Zu den Messbedingungen ist bei Infineon aber außer den allgemeinen Definitionen [2] nichts zu finden. [1] http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+Simulation+Model+-+PSpice+-+OptiMOS%E2%84%A2+100V.zip?fileId=db3a30433d346a2d013d459a89bf5736 [2] http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+Application+Note+-+OptiMOS+Power+MOSFET+Datasheet+Explanation+-+English.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b6b8c6a3424c4
dyne schrieb: > Mit der Infineon-Lib [1] stimmen zumindest die Größenordnungen. Kann mir BITTE mal jemand erklären, warum die auf dem Plot im Ursprungsartikel nicht stimmen sollte?
Possetitjel schrieb: > dyne schrieb: > >> Mit der Infineon-Lib [1] stimmen zumindest die Größenordnungen. > > Kann mir BITTE mal jemand erklären, warum die auf dem Plot > im Ursprungsartikel nicht stimmen sollte? Ist im Bild schwer zu erkennen - aber die Simulation liefert Schaltzeiten ton=3,8ns bzw. toff=7,2 vs. 24ns im DB. Wobei auch mit den L td(on)/tr bzw. td(off)/tf nicht besonders gut passen.
dyne schrieb: > Ist im Bild schwer zu erkennen - aber die Simulation liefert > Schaltzeiten ton=3,8ns bzw. toff=7,2 vs. 24ns im DB. Hmm. Okay. Im Datenblatt finde ich tr=12ns und tf=5ns. > Wobei auch mit den L td(on)/tr bzw. td(off)/tf nicht > besonders gut passen. Okay, mein Fehler. Ich habe nur auf die Anstiegs- und Abfallzeit geachtet und nicht gesehen, dass die Verzögerungszeiten wirklich daneben liegen. td_on=2ns (simuliert) bzw. 12ns (Datenblatt), das ist wirklich krass.
Possetitjel schrieb: > td_on=2ns (simuliert) bzw. 12ns (Datenblatt), das ist wirklich > krass. Aber normal, also Abweichungen von Simulationen zu Datenblattangaben. Und dann gibt es noch die Realität, das ist dann noch mal ne Ecke anders.
Vielen Dank schon einmal für die zahlreichen Antworten. Fügt man der von mir im ersten Post gezeigten Ersatzschaltbild die entsprechenden parasitären Induktivitäten Lg, Ls und Ld hinzu, stimmen die Steig- bzw. Fallzeiten gut mit den Werten des Datenblattes (12ns) überein. Passende Verzögerungszeiten ergeben sich nicht. Gibt es vielleicht noch zusätzliche Erklärungen oder Ersatzschaltbilder für die Bibliotheken von Infineon, ähnlich zu den verschiedenen Modell Level in Spice? Für mich als Leihen sind die im Modell verwendeten subcircuits nicht durchschaubar. Bzw. hat jemand Erläuterungen zum Modell Editor in LTSpice? Die integrierte Hilfe ist mir keine allzu große Hilfe die Modellierung in LTSpice zu verstehen.
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Bearbeitet durch User
Probiers mal mit 50 Ohm Quellen. War mal zumindest früher üblich. Im DB steht was von Rg=1,4 Ohm, ne Seite weiter bei den Schaltzeiten Rg plötzlich 1,6 Ohm und als extern gekennzeichnet. Da kann man nur spekulieren.
Der Aubau, das Layout ist auch wesentlich. Mit Steckbrett ist da nichts. Zeig mal.
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