P-MosFet langsamer Ausgangsspannungsanstieg

[chris (Gast)]

Hallo Forum,

in anghängter PDF ist eine absolut einfache Spannungstabilisierung 
aufgebaut welche auch funktioniert. Nun möchte ich aber das der P-MosFet 
langsam durchsteuert und in  5-10s die UB an UBEND zur Verfügung stellt. 
Das Konstrukt habe ich auf dem Steckbrett aufgebaut und es funktioniert 
auch das nach ca. 15-18s der PMOS komplett durchgesteuert ist.

Gedankengang:

ab -2V kann der PMOS leitend werden das heißt bei
    Usource:                = 39V
    Usource.gate.min: = - 2V bis -4V
    Ugate:                   = 37V bis 35V

Ugs sollte maximal +-20V sein
d.h
    Usource = 39V
    Ugs        = +- 20V
    Ug          = 19V  ist die minimalste Spannung die anliegen darf ? 
Korrekt?

Was muss verbessert werden damit es sauber funktioniert?

Gruß Chris

[Detlef K. (adenin)]

Wie schnell entläd sich C7 wenn man das Gerät ausschaltet?
Was passiert, wenn man kurz aus (ca. 1s), und dann wieder einschaltet?

[Atmega8 A. (atmega8)]

Das Symbol deiner beiden MosFETs ist falsch, der Gate-Strich muss über 
Source sein.

Du machst aus R4 einfach zwei Widerstände und am mittleren Abgriff 
verbindest du den unteren Kontakt von R5, der momentan zu ... Source des 
BS170 geht.

Der BS170 ist ein N-Kanal FET, also vertausche dort Drain und Source, 
denn so arbeitet er nicht.

[Atmega8 A. (atmega8)]

Detlef Kunz schrieb:
> Wie schnell entläd sich C7 wenn man das Gerät ausschaltet?
> Was passiert, wenn man kurz aus (ca. 1s), und dann wieder einschaltet?

Er muss den Spannungsteiler R4.1 und R4.2 so dimensionieren dass gerade 
so die passende Gate-Spannung erreicht wird, dann wird das Gate auch 
sofort entladen.

Dass der Entladeprozess etwas dauert ist klar.
Er kann aber das Gate und Source von "V7" mit Hilfe eines pnp-Transstors 
verbinden wenn die Versorgungsspannung des Eingangs (Spannung an C6) zu 
niedrig ist.

[chris (Gast)]

Atmega8 Atmega8 schrieb:
> Das Symbol deiner beiden MosFETs ist falsch, der Gate-Strich muss über
> Source sein.

ja der BS 170 war falsch gepolt (geändert ) aber der IRF ist ein P-Mos 
und damit muss doch Source an UB und Drain ist der Ausgang ähnlich 
PNP-Transistor ?

Ich probiers es mal auf dem Steckbrett aus mit den vorgeschlagenen 
Änderungen.

Ist denn der Gedankengang der Spannungen korrekt oder fehlerfhaft?

[Atmega8 A. (atmega8)]

chris schrieb:
> Atmega8 Atmega8 schrieb:
>> Das Symbol deiner beiden MosFETs ist falsch, der Gate-Strich muss über
>> Source sein.
>
> der IRF ist ein P-Mos und damit muss doch Source an UB und Drain
> ist der Ausgang ähnlich
> PNP-Transistor ?

Es geht nicht um die Beschaltung, das Symbol ist einfach falsch erstellt 
worden.

Schau dir mal dein Symbol und das hier an.
http://www.sprut.de/electronic/switch/pkanal/pkanal.html

Dort ist der Gate-Strich über Source und bei dir ist er über Drain.
Das mag für dich nur eine unwichtige Kleinigkeit sein, aber für mich ist 
es verwirrend.

Du hast das Symbol vielleicht nicht mal erstellt, ich will dich nur auf 
den Fehler hinweisen.