Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik LTspice Lineare FET-H-Brücke


von Magneto F. (fpga_stud)


Angehängte Dateien:

Lesenswert?

Hallo zusammen


Ich möchte gerne eine lineare FET-H-Brücke aufbauen. Da mir Transistoren 
oder Leistungsops einfach zu hohe Verluste haben, habe ich die FETs 
genommen.

Meine Schaltung funktioniert sehr gut, solange ich sie Halb-Brücke mit 
einer in meinem Falle 12V Fix-Spannung an der anderen Seite nutze. 
Jedoch kann LTspice die Vollbrücke nicht simulieren?!??

Habe ich etwa einen Fehler gemacht?

: Verschoben durch Admin
von Kuchosauronado (Gast)


Lesenswert?

Magneto Freak schrieb:
> Da mir Transistoren
> oder Leistungsops einfach zu hohe Verluste haben, habe ich die FETs
> genommen.

Ähh? Wie jetzt?
Solange du keine digitale Edstue davon machst ist der Verlust gleich zu 
einem Leistungsop oder BJTs... Tzz

von Klaus R. (klara)


Lesenswert?

Kuchosauronado schrieb:
>
> Ähh? Wie jetzt?
> Solange du keine digitale Edstue davon machst ist der Verlust gleich zu
> einem Leistungsop oder BJTs... Tzz

Und MOSFets sind überwiegend nicht für lineare Hochleistungen geeignet. 
Siehe Google: Hotspots bei MOSFETs.
mfg klaus

von Magneto F. (fpga_stud)


Lesenswert?

Ich möchte gerne eine genaue und sehr rauscharme Ausgangsstufe mit einer 
Bandbreite von so 10kHz. Wenn ich dies mit einer gektackteten Stufe 
lösen möchte, wird es beinahe unmöglich. Die Schaltverluste wären 
deutlich zu gross und der Frequenzabstand zwischen Nutzsignal und 
Schaltsignal sehr klein was eine Filterung seeehr kompliziert macht. Ich 
rechne mit einer Gesamtleistung von 100-200W.

Darum gedenke ich den Ausgang linear mit FETs zu gestalten. Die 
Ausgangsspannung, oder der Ausgangsstrom wird dann über einen 
Shunt-Widerstand und einen PI-Regeler sauber eingestellt. Mir sind somit 
alle nicht-Idealitäten der FETs und OPs am Ausgang egal, da ich dies 
hochpräzise nachregeln werde.

Bezüglich Hotspot werde ich mal nachlesen, denke jedoch so aus dem Bauch 
heraus, dass ich damit keine Probleme haben werde...


Nebenbei, die FET-Schaltung funktioniert einwandfrei, wenn ich alle FETs 
durch einfache Transistoren ersetze. Dann jedoch mit grösseren Verlusten 
und nicht mehr dem Erreichen der Speisespannung.

von Gästchen (Gast)


Lesenswert?

Klaus Ra. schrieb:
> Und MOSFets sind überwiegend nicht für lineare Hochleistungen geeignet.
> Siehe Google: Hotspots bei MOSFETs.
> mfg klaus

Na ja, die H-Brücke ist nicht unbedingt für lineare Hochleistungen 
gedacht. Sie ist doch für schnelle Schaltvorgänge da, d.h. MOSFETS 
werden SCHNELL mit PWM angesteuert. Und es gibt sogar MOSFETS die 
lineare Aufgaben können.

von Holm T. (Gast)


Lesenswert?

So, ich sitze bequem und habe mir Popcorn besorgt...

Gruß,

Holm

von Gästchen (Gast)


Lesenswert?

Na dann viel Spaß beim sitzen...

von Magneto F. (fpga_stud)


Lesenswert?

Naja... FETs sind zwar gut mit einem PWM ansteuerbar, jedoch ist bei 
100kHz oder 1MHz definiv Ende. Für kleinleistungen oke, jedoch für 
grössere leider nicht. Daher die Idee oder eher die Notwendigkeit das 
ganze linear zu machen und die hohe Verlustleistung halt einzustecken.

von Gästchen (Gast)


Lesenswert?

Hi,

eine Sache verstehe ich nicht. Du schreibst dass "Schaltverluste wären 
deutlich zu groß". Wodurch denn? Wenn du einen MOSFET schnell schaltest 
bzw. schnell ansteuerst ist doch dein Schaltverlust recht minimal da die 
Verlustleistung nur sehr kurz anliegt.(das ist µs/ms-Bereich). Den 
Gegenteil erreist du wenn du einen MOSFET linear ansteuerst wo die 
Verlustleistung sehr lange anliegt und deinem MOSFET gar nicht gut tut.

Gruß.

von Paul B. (paul_baumann)


Lesenswert?

Holm Tiffe schrieb:
> So, ich sitze bequem und habe mir Popcorn besorgt...

Wie wäre es mit einem vernünftigen Mittagessen?

Immer diese Popcorn-Fresserei und der ganze Bildschirm voll klebriger
Krümel...

MfG Paul

von Magneto F. (fpga_stud)


Lesenswert?

Schalte mal einen FET mit mehreren 100kHz, dann bemerkst du die 
Schaltverluste... Aber wie schon mehrmals angetönt, muss ich die 
Schaltfrequenz mit so 100-120dB unterdrücken. Somit benötige ich ein 
Filter 6.Ordnung, wenn ich eine Bandbreite von 10kHz haben möchte und 
mit 100kHz schalte. Dies ist recht kompliziert und da ich mit 
unterschiedlichen Lasten arbeiten werde (Resistiv, Induktiv) verhält 
sich mein Filter immer wieder total anders...

von Gästchen (Gast)


Lesenswert?

Also wenn es um Schaltverluste geht, du wirst aber durch Linearbetrieb 
wesentlich höhere Verluste an MOSFETS haben, oder?

Anderes Thema: wenn nun die Schaltfrequenz eine Störung verursacht, nimm 
doch einfach MOSFETS die du linear betreiben kannst.

von Magneto F. (fpga_stud)


Lesenswert?

Genau!

Darum auch meine Schaltung mit den FETs, welche ich linear durch einen 
OP betreibe. Das Problem ist ja nur, dass die Schaltung irgendwie ein 
Problem hat und sobald ich die volle H-Brücke simuliere, das Programm 
unendlich lange rechnet....

von voltwide (Gast)


Lesenswert?

Magneto Freak schrieb:
> Habe ich etwa einen Fehler gemacht?

Ja!
Du steuerst bei Halbbrücken gleichphasig an!

von Klaus R. (klara)


Lesenswert?

Magneto Freak schrieb:
> Genau!
>
> Darum auch meine Schaltung mit den FETs, welche ich linear durch einen
> OP betreibe. Das Problem ist ja nur, dass die Schaltung irgendwie ein
> Problem hat und sobald ich die volle H-Brücke simuliere, das Programm
> unendlich lange rechnet....

Na ja, bei mir schwingt die Schaltung mit ca. 270 KHz.
mfg klaus.

von voltwide (Gast)


Lesenswert?

Wenn sich LTSpice totrechnet, liegt das meisten daran, dass die 
Schaltung "zu einfach" ist. Das meine ich ganz ernst.

Brich die Simulation an der Stelle ab und probe vorzugsweise die 
Stromflüsse durch Spannungsquellen, Dioden etc. Meist findest Du 
irgendwo Oszillationen mit aberwitzigen Frequenzen im Teraherz-Bereich, 
an denen Spice ewig rumrechnet.

Dieses praxisferne Verhalten ergibt sich daraus, dass die Schaltungen 
irgendwo zu "ideal" sind. Es liegt definitiv NICHT am Simulator, sondern 
eher am Simulanten.

Gib jeder Spannungsquelle einen endlichen Innenwiderstand, nimm nie 
generische Dioden, sondern irgendeinen konkreten Typen... usw. usf.

Ein paar parasitäre Elemente an der richtigen Stelle, und es flutscht 
wieder - habe ich schon zig mal durchgemacht.

von Ulrich H. (lurchi)


Lesenswert?

Ob man BJTs oder spezielle MOSFETs nimmt, die für den linearen Betrieb 
vorgesehen sind macht keinen großen Unterschied bei den Verlusten. Die 
Sättigungsspannung ist in ähnlicher Größenordnung, bzw. bei den BJTs 
eher kleiner. Einen Vorteil haben die MOSFETs wenn es sehr schnell sein 
soll - dann wird aber das Layout sehr kritisch bis man den Unterschied 
nutzen kann.
Bei nur 24 V ist die Wahl der MOSFETs noch nicht so kritisch.

Die Schaltung kann schwingen, weil der OP die Kapazitive Last durch die 
MOSFETs ggf. nicht verträgt.
Man muss für so wenig Spannung auch nicht gleichen einen OP für 140 V 
nehmen. Für 24 V reicht auch noch ein NE5532.

Wenn die Verluste kleiner werden sollen, könnte man ggf. eine Klasse G 
Endstufe nehmen, also mit 2 Spannungen arbeiten. So groß ist der Gewinn 
bei nur 24 V aber eher nicht.

von Gästchen (Gast)


Lesenswert?

Ulrich H. schrieb:
> Ob man BJTs oder spezielle MOSFETs nimmt, die für den linearen Betrieb
> vorgesehen sind macht keinen großen Unterschied bei den Verlusten. Die
> Sättigungsspannung ist in ähnlicher Größenordnung, bzw. bei den BJTs
> eher kleiner.

Ich weiß nicht ob du das pauschal meinst, wenn ja dann stimmt die 
Aussagen nicht ganz. Wenn wir Ströme höher als 10A betrachten, bei 
MOSFETS (für linearen Betrieb optimiert) wirst du im gesättigten Zustand 
ca. ein Zehntel von der Verlustleistung haben was BJT's haben. Bei 
Vollbrücken braucht man eben oft hohe Ströme.

Gruß.

von Ulrich H. (lurchi)


Lesenswert?

Bei BJTs hat man in der Sättigung und für den Transistor angemessenem 
Strom einen Spannungsabfall von vielleicht 0,5 V (Kollektor-Emiter). Die 
für Linearbetrieb geeigneten MOSFETs haben einen vergleichsweise hohen 
ON-Widerstand. Da ist man vor allem beim P-Kanal auch schnell über 1 V, 
wenn man keine ausgesprochen großen Transistoren nehmen will. Wenn man 
gar in den Bereich kommt, das man mehrere parallel schalten muss - 
braucht man Source Widerstände, die üblicherweise größer sein müssen als 
die Emitterwiderstände bei BJTs.

Einen geringen Spannungsabfall kann mit mit Schaltenden MOSFETs, 
insbesondere bei recht niedriger Spannungsfestigkeit erreichen.

Die Frage wäre da eher ob man eine Vollbrücke braucht und nicht ggf. mit 
einer Halbbrücke und dann +-24 V Versorgung auskommt.

Die Verlustleistung kommt auch vor allem vom Prinzipiellen Limit einer 
Klasse B Endstufe. Besser ginge es mit Klasse G (2 Spannungen) oder 
Klasse D.

von Holm T. (Gast)


Lesenswert?

Abgesehen von den C-E bzw. D-S Widerständen der Transistoren brauchen 
BJTs
noch Basisstrom der bei dicken Transen auch merkliche "Verluste" 
verursacht
und zwar hinsichtlich der Gesamteffektivität der Schaltung.

Bei einer "analogen" H-Brücke gehe ich davon aus, das diese nicht 
geschaltet wird sondern die Transistoren irgendwo quer über ihre 
Kennlinien gefahren werden, wenn dem so ist, ist prinzipiell die 
Verlustleistung die Selbe, egal ob FET oder BJT.

Soviel zum gemütlich sitzen.

@Paul: komm her, ich brate Dir ne Wurst..

Gruß,

Holm

von Paul B. (paul_baumann)


Lesenswert?

O.T.

Holm Tiffe schrieb:
> @Paul: komm her, ich brate Dir ne Wurst..

Tolle Wurst!
;-)

Danke für die Einladung, aber ca. 250km Entfernung zwischen uns machen
die Soße teuerer als den Braten, um im Bild zu bleiben.

MfG Paul

Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.