Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Probleme mit Vollbrücken-Gegentaktwandler


von txg (Gast)


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Ich hätte da gerne mal wieder ein Problem.

Es geht um einen Vollbrücken-Gegentaktwandler, der mal als 
230V-Rechteckwechselrichter (ggf. später auch Sinus) dienen soll.

Layout habe ich in Ausschnitten mal angehängt, Polygone aus Gründen der 
Übersicht nicht gezeichnet.

Die Brücke ist mit 80V/3mOhm-Mosfets aufgebaut, Trafo ist dieser hier:
http://www.datasheets360.com/pdf/837225297988912458

Dahinter ein Brückengleichrichter und 4x 400V/120µF als Zwischenkreis. 
Eine weitere Last hängt da momentan nicht dran, abgesehn vom 
Spannungsteiler (300k) für die Zwischenkreisspannungsmessung. Die 
sekundärseitige Vollbrücke ist nicht bestückt.

Wenn ich die Schaltung ohne Gleichrichter (d.h. Sekundärseite des Trafos 
hängt in der Luft) in Betrieb nehme (an 30V vom Labornetzteil) 
funktioniert alles wunderbar, Stromaufnahme knapp 0,2A. PWM mit momentan 
40kHz kommt von einem PIC18. Gate-Spannungen sehen wunderbar aus, rise 
180ns, fall <100ns. Daraus schließe ich dass Brückenschaltung und 
Ansteuerung grundlegend in Ordnung sind.

Sobald ich den Brückengleichrichter einlöte, steigt die 
Zwischenkreisspannung auf 280V an, ABER:

a. Die Stromaufnahme steigt auf gut 1A an.
b. Der Gleichrichter erwärmt sich überraschend stark auf etwa 55°C, 
obwohl ja sobald der Zwischenkreis voll ist kein nennenswerter Strom 
mehr fließen sollte.
c. Die knapp 30W Leistungsaufnahme werden anscheinend zu großen Teilen 
in den (primärseitigen!) Mosfets in Wärme umgesetzt, denn die fangen 
relativ schnell an sich auszulöten?!

Was ist da falsch? Mir ist vollkommen schleierhaft wie dieses Verhalten 
zustande kommt, Hilfe wäre toll.

: Verschoben durch Admin
von Flip (Gast)


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Der Gleichrichter ist  zu schlecht für deine schaltfrequenz und die 
Primäre ansteuerung fängt schon bei 30W an sich auszulöten.

Flip

von Flip (Gast)


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Achja viele der Leitungen sind selbst für 1A deutlich zu klein, und was 
du bei  der Mosfetansteuerung falsch machst kann man mangels 
informationen ja nur raten.

von txg (Gast)


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Zu schlecht heisst zu langsam?
Handelt sich um diesen hier:
http://www.farnell.com/datasheets/1719736.pdf
Im Datenblatt steht leider nichts zu den Schaltgeschwindigkeiten, aber 
SMPS wird als Anwendung genannt. Gibt es denn was besser passendes in 
idealerweise der gleichen Bauform?

von txg (Gast)


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Wie geschrieben: Im Screenshot sind die Polygone damit es übersichtlich 
bleibt nicht gezeichnet. Die Leitungen sind deutlich dicker. Habe 
nochmal einen Screenshot mit Polygonen angehängt.

Die Gate-Ansteuerung habe ich so schon bei mehreren Projekten gemacht 
und das gab nie Probleme: ADUM4223 (isolierter 4A Halbbrückentreiber), 
3,9Ohm Gatewiderstand, Versorgung mit galvanisch getrennten 12V aus 
einem Traco DC/DC mit 47µF am Ausgang. Die Gates habe ich mir mit dem 
Oszi angeschaut und die genannten meiner Einschätzung nach guten 
Schaltzeiten von 180ns on und <100ns off gemessen.

von Flip (Gast)


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Der Gleichrichter geht wohl nicht weit über Netzfrequenz, ist als 
Primärgleichrichter in SMPS gedacht. In dem Gehäuse was schnelles finden 
wird sehr schwer.

Bei Schaltungen  ist es üblich diese nicht in Textform weiterzureichen. 
Dafür gibt es Schaltpläne. Da die ja aber top secret sind....

"Ich habe ein auto gebaut, BMW V6-Motor (190Ps), Lenkrad, Bremspedal, 
Karosserie in Rot (Zur anschaulichkeit nur türen dargestellt) Reifen 
(5mm Profil. Warum fährt es nur rauchend und langsam rückwärts?"

Flip

von txg (Gast)


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Okay, das hilft mir schonmal weiter.

Ich habe mal nach passenden Gleichrichterdioden gesucht, was wäre davon 
zu halten?
http://www.farnell.com/datasheets/1524898.pdf
tyical recovery time 17,5ns klingt doch ganz gut. Die dürfte man für 
erste Tests auch halbwegs vernünftig auf der jetzigen Platine 
unterbringen können.

von txg (Gast)


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Neue schnelle Gleichrichterdioden sind bestellt und werden bald 
getestet.

Kann mir mal noch jemand den Zusammenhang zwischen dem zu langsamen 
Gleichrichter sekundärseitig und den heiß werdenden Mosfets primärseitig 
erklären? Das ist mir noch nicht ganz klar.

von Flip B. (frickelfreak)


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Die Primärseite ist schlichtweg so schlecht designt dass sie schon bei 
der geringen leistung überhitzt. da das ja aber alles hochgeheim ist 
kann man nur raten woran es liegt.

von txg (Gast)


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Flip B. schrieb:
> Die Primärseite ist schlichtweg so schlecht designt dass sie schon
> bei
> der geringen leistung überhitzt. da das ja aber alles hochgeheim ist
> kann man nur raten woran es liegt.

Ich habe weiter getestet, jetzt mit diesen Dioden (650V/8A Ultrafast):
http://www.infineon.com/dgdl/DS_IDV08E65D2_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433d68e984013d6956ef27064a

Und siehe da, die Schaltung lief erstmal so wie sie sollte, wenn auch 
immer noch ohne Last. Stromaufnahme im Leerlauf mit den neuen Dioden 
etwa 150mA, und der Zwischenkreis ist praktisch sofort auf Nennspannung. 
Mosfets bleiben kalt.

Irgendwas ist allerdings nach wie vor im Argen, denn zwei davon sind 
nach wenigen Minuten gestorben. Habe für weitere Tests jetzt nochmal 
eine Nummer größer (1200V/60A) bestellt, sind aber noch nicht geliefert.

von txg (Gast)


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Ergänzung: "zwei davon" = zwei von den neuen schnellen 
Gleichrichterdioden.

Dazu nochmals der Hinweis darauf dass die Gate-Verläufe in Ordnung sind. 
Den Rest der Primärseite habe ich doch komplett gezeigt.

von Sascha (Gast)


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Es geht um den Schaltplan, nicht um das Layout. Du benutzt Eagle, also 
wollen wir das Bild mit den grünen Linien und den roten Bauteilen.

Der Grund für das Ableben der Dioden könnte sein dass dein Trafo keine 
Snubber hat. Mess doch mal die Spannung an einem Primäranschluss des 
Trafos bzw. auf der Sekundärseite. Du wirst überrascht sein was da so 
los ist.

von txg (Gast)


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Okay, gerne. Den Leistungsteil habe ich als PNG angehängt, da ist auch 
die Gate-Ansteuerung mit drauf.

Danke für den sehr guten Hinweis mit den Snubbern. Tatsächlich habe ich 
primärseitig mit dem Oszilloskop bei 30V Versorgung Peaks bis 70V messen 
können. Sekundärseitig habe ich noch nicht mit dem Oszi gemessen, werde 
ich aber definitiv noch nachholen. Das klingt für mich nach einer 
ziemlich wahrscheinlichen Ursache für das Diodensterben.

von LED-Lampe (Gast)


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txg schrieb:
> Kann mir mal noch jemand den Zusammenhang zwischen dem zu langsamen
> Gleichrichter sekundärseitig und den heiß werdenden Mosfets primärseitig
> erklären? Das ist mir noch nicht ganz klar.

Das ist ein Klassiker bei Schaltnetzteilen. Wenn die Dioden zu langsam 
sind (du bist nicht der erste der da 50Hz-Dioden verwendet) sperren sie 
nicht sofort sobald die Brücke umschaltet. Die Folge ist ein 
Recovery-Strom rückwärts durch die Dioden. Gemeinerweise macht der sich 
aber in den Schaltern eher bemerkbar als in den Dioden.

Bisher selber nur bei Stepup-Wandlern beobachtet aber auch mit Trafo 
dazwischen sollte die Ursache die selbe sein.

Lösung: Dioden mit sehr geringer Recoveryzeit (trr).

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