gateladung mosfet

[mosfet (Gast)]

Hallo,

ich habe eine verständnisfrage:

wovon ist die Gesamtgateladung eines MOSFETs abhängig? Von Gate-Source 
Spannung (Spannungshub) oder Drain-Source-Spannung?

Auf dieser Seite http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber sthet:

"Abschließend ist zu erwähnen, dass die Gesamtladung Qgate von IGBTs und 
MOSFETs stark vom verwendeten Spannungshub des Treibers abhängt."

[mosfet (Gast)]

mosfet schrieb:
> Hallo,
>
> ich habe eine verständnisfrage:
>
> wovon ist die Gesamtgateladung eines MOSFETs abhängig? Von Gate-Source
> Spannung (Spannungshub) oder Drain-Source-Spannung?
>
> Auf dieser Seite http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber sthet:
>
> "Abschließend ist zu erwähnen, dass die Gesamtladung Qgate von IGBTs und
> MOSFETs stark vom verwendeten Spannungshub des Treibers abhängt."

In den Datenblättern der MOSFETs zeigen die Grafiken, dass die Qg von 
UDS abhängig ist.

[MaWin (Gast)]

mosfet schrieb:
> wovon ist die Gesamtgateladung eines MOSFETs abhängig? Von Gate-Source
> Spannung (Spannungshub) oder Drain-Source-Spannung?

Vorsicht, unterscheide Ladung (Coloumb) von Kapazität (nanoFarad).

Die Kapazität bleibt gleich, die Ladung steigt mit der Spannung.

Zudem gibt es ekelhafte Rückwirkungseffekt, z.B. steigt die Spannung am 
Gate, der MOSFET schaltet stärker durch, die Spannung am Drain sinkt, 
was kapatitiv auf das Gate durchschlägt und jenes wieder entlädt, 
wiodurch man mehr Ladestrom aufwenden muss um zu der zum Durchschalten 
benötigten Hate-Spannung zu kommen als es die Kapazität alleine vermuten 
lässt, es gibt also eine effektive Kapazität.

[mosfet (Gast)]

MaWin schrieb:
> mosfet schrieb:
>> wovon ist die Gesamtgateladung eines MOSFETs abhängig? Von Gate-Source
>> Spannung (Spannungshub) oder Drain-Source-Spannung?
>
> Vorsicht, unterscheide Ladung (Coloumb) von Kapazität (nanoFarad).
>
aber es gibt eine abhängigkeit oder?

das Bild im Anhang aus einem Datenblatt zeigt die Eingangskapazität Ciss 
die beim Ein- und Ausschalten umgeladen werden muss in abhängigkeit von 
UDS. Ciss ist ja nicht immer konstant.

Ist die Ladung die hinein oder von ihm hinaus befördert werden muss beim 
Ein- und Ausschalten bei z.B UGS=10V, UDS=80V kleiner als bei UGS=10V, 
UDS=20V ??

[mosfet (Gast)]

mosfet schrieb:
> MaWin schrieb:
>> mosfet schrieb:
>>> wovon ist die Gesamtgateladung eines MOSFETs abhängig? Von Gate-Source
>>> Spannung (Spannungshub) oder Drain-Source-Spannung?
>>
>> Vorsicht, unterscheide Ladung (Coloumb) von Kapazität (nanoFarad).
>>


Noch eine Frage: wohin verschiebt sich die Ciss kennlinie bei UGS=10V?