Hallo an alle, für einen Wechselrichter (3 Halbbrücken) muss ich grob überschlagen, welchen Rth die Kühlkörper der Transistoren benötigen. Für diese Abschätzung benötige ich die Durchlass und Schaltverluste der Mosfets und die Durchlass und Schaltverluste der Diode. Daten: f=100kHz, Uzk=300V, I=10A mit Transistordaten will ich euch jetzt nicht langweilen Hier mal meine Überlegung dazu (bezogen auf einen Transistor): PdurchlassTransistor=Rdson*Idrain²*DutyCycle=21,6W Der DurtyCycle wechselt von 0,1 bis 0,9, daher hab ich mal mit dem worst case gerechnet. Das Ergebnis scheint mir von der größenordnung plausibel. PschaltTransistor=f*(Eon+Eoff)=3,8W Auch hier denke ich bewegt sich der Wert in einem sinnvollen Bereich. PdurchlassDiode=Uf*If*f*tdeathtime=0,18W Bei einer Halbbrücke trägt die Diode ja nur den Strom, wenn beide Transistoren aus sind. Und dies geschieht ja nur in der Totzeit des Treibers. Pschaltdiode=Preverserecovery=f*Uzk*Qrr=100kHz*300V*13uC=390W Dieser Wert springt so total aus der Reihe, ca 10 mal so hoch wie die restlichen Verluste zusammen. Aber die Berechnungsformel müsste eigentlich stimmen (Quelle: AN 989 International Rectifier). Könnte hierbei ein Fehler vorliegen, auf den ich gerade nicht komme?
20Watt Durchschaltverluste sind viel zuviel. Das waeren ja mit 200mOhm. Nimm da was Besseres, was viel Besseres.
240mOhm Durchlassverluste hat der Transistor. Da gibt es nicht viel besseres auf dem Markt. Im Gegenteil, das ist sogar ziemlich State of the Art im Moment. Also ob am Ende 40 oder 60 Watt rauskommen ist mir eigentlich relativ egal, aber hier kommt ja nicht 40 sondern 400 Watt raus. Der Haken liegt an den Pvrr der Diode. Denke da ist mein Ansatz einfach falsch. Gruß Jens
Jens_Heisst schrieb: > Hier mal meine Überlegung dazu (bezogen auf einen Transistor): > PdurchlassTransistor=Rdson*Idrain²*DutyCycle=21,6W > Der DurtyCycle wechselt von 0,1 bis 0,9, Da aber alle 6 Transistoren zusammen auf demselben Kühlkörper sitzen, rechne einfach 300% für alle zusammen. Jens_Heisst schrieb: > Pschaltdiode=Preverserecovery=f*Uzk*Qrr=100kHz*300V*13uC=390W Ich denke mal, wenn du schon Coloumb einrechnest, brauchst du die Spannung nicht mehr.
>240mOhm Durchlassverluste hat der Transistor
Dann nimm doch 3 parallel. Dann ist die Verlustleistung noch ein
Drittel.
Vor Jahrzehnten im Physik-Leistungskurs habe ich solche Rechnungen per Einheiten überprüft. Wenn eine Leistung dann keine Watt sondern WattVolt als Einheit hat, dann ist es keine! Nimm den Faktor 300 aus den 390W und alles ist gut.
Wenn die Leistung problematisch wird, sollte man sich mal SiC-MOS-FETs ansehen. Trotz 1,2 kV ist Ron bei 100 mOhm. vielleicht findet sich ein 600 V-Typ.
wr schrieb: > warum 3 halbbrücken? Es handelt sich (wieder mal raten angesagt mit den paar Daten) evtl. um einen 3-Phasen WR?
Bastler schrieb: > Vor Jahrzehnten im Physik-Leistungskurs habe ich solche Rechnungen > per > Einheiten überprüft. Wenn eine Leistung dann keine Watt sondern WattVolt > als Einheit hat, dann ist es keine! Nimm den Faktor 300 aus den 390W und > alles ist gut. 1 Coulomb = 1 As Wenn ich jetzt nur mal die Einheiten überprüfe: 1C*1V*1Hz=1As*1V*1/s=1W Wenn ich die 300V weglasse kommt ja 1,3A raus
Wenn das u vor dem C kein Schreibfehler ist, fehlt in der Rechnung noch ein Faktor für die Größenordnung, oder? Das wären dann 390 Milliwatt. Richtig?
Ups! OK, sorry. Da steht ja noch ein k vor dem Hz. Bitte um Verzeihung. --
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