Gate Vorwiderstand

[Dirk (Gast)]

Hallo,

ich habe 2 Fragen zur Gate Ansteuerung eines MOSFETS:

1. Wenn man einen N Kanal MOSFET mit Treiber IC betreibt, benötigt man 
dann auch noch einen Gate Vorwiederstand (10R) oder kann man sich den 
dann sparen?

2. Kann man sich den Gate Pulldown mit einem Treiber IC auch sparen? 
Wenn ja, wie wird dies im Datenblatt bezeichnet? Dort müsste doch eine 
Info stehen, was das Gate-Treiber-IC macht, wenn sein Eingang durch den 
angeschlossenen µC noch im TiState ist.

Dirk

[MaWin (Gast)]

Dirk schrieb:
> 1. Wenn man einen N Kanal MOSFET mit Treiber IC betreibt, benötigt man
> dann auch noch einen Gate Vorwiederstand (10R) oder kann man sich den
> dann sparen?

Manchmal kann man ihn sich sparen, aber er hat auch seine Begründung:
http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.1

Dirk schrieb:
> 2. Kann man sich den Gate Pulldown mit einem Treiber IC sparen?

Ja, der Treiberausgang kann nie hochohmiger Eingang sein.

Aber eventuell muss der pull down an den Treiber-Eingang, wenn der von 
einem uC gesteuert wird, dessen Port vor der Initialisierung hochomig 
ist.

[4toTakoe (Gast)]

Kommt auf den Gate-Treiber an. Die meisten von z.B. Fairchild empfehlen 
beides zusätzlich drin zu lassen,

1. als Strombegrenzung der Treiber-FETs
2. als Pull-Down falls die Versorgung des Treiber-ICs ausfällt

[Dirk (Gast)]

o.k. Danke für Eure Antworten!