Hallo, muss gerade mal doof fragen. Beim Bipolartransistor, hat man ja die verlangsamung des Abschaltens Aufgrund des Ausräumens der Raumladungszone in Sättigung. Bei Mosfets, gibt es diesen Effekt doch nicht, ich könnte mir zumindest nicht vorstellen warum, klar bei riesem Vorwiderstand, wird die Gateladung Langsamer entfernt... das ist ja aber was völlig anderes als bei den Bipolaren, oder irre ich jetzt.Denn Mosfets werden ja auch meist in diesem Sättigungsbereich im Schaltbetrieb betrieben. Mit freundlichen Grüßen Macman2010
Darum wird auch eine Diode zur schnellen Entladung geschaltet.
Du irrst dich nicht. Der intrinsiche MOSFET verhält sich physikalisch sehr anders als ein Bipolartransistor. Die Sättigung (physikalisch) ist hier nicht im Bereich kleiner DS-Spannungen zu suchen (ähnlich wie beim Bipolartransistor), sondern im Bereich von hoher UDS, in dem der Kanal durch das elektrische Feld vom Drain abgeschnürt wird. Die Gate Ladung allein entspricht nicht der Speicherladung in der Basis, da sie nicht im Strompfad zwischen Drain und Source liegt und rein kapazitiv an den Kanal gekoppelt ist. Der Speichereffekt im MOSFET entsteht durch die immer vorhandene Bodydiode, die auch wieder bipolar ist.
Wenn diese Bodybuilder aber nicht leitend wird, dürfte das aber irrelevant sein.
Entschuldigung, dass heißt natürlich Bodydiode. Also verlangsamt sich der MOSFET durch hohe Ugs Spannung nicht wie ein Bipolartransistor bei hohem Basisstrom.
Du unterliegst da einem weit verbreiteten Missverständnis. Der Sättigungsbereich eines bipolaren Transistors und der eines MOSFET sind sehr verschiedene Betriebszustände. Bipolar ist klar: voll durchgesteuert. Zum MOSFET siehe dieses Bild aus Wikipedia: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/92/MOSFET-Kennlinie.svg/550px-MOSFET-Kennlinie.svg.png aus http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor Dort ist das der lineare Bereich, der aber wiederum nichts mit Linearbetrieb zu tun hat. Arno
Arno H. schrieb: > Du unterliegst da einem weit verbreiteten Missverständnis. Ging das an den TE oder an mich? Arno H. schrieb: > Dort ist das der lineare Bereich, der aber wiederum nichts mit > Linearbetrieb zu tun hat. Doch hat er, weil der Drain Strom bei kleinen UDS nahezu linear von der Drain Spannung abhängt. Jan R. schrieb: > Wenn diese Bodybuilder aber nicht leitend wird, dürfte das aber > irrelevant sein. Doch es ist relevant, weil auch das wieder etwas anderes ist als der hier erwähnte Effekt beim Bipolartransistor (BPT). Bei BPT schaltet man vom AN- zum AUS-Zustand, wenn der Speichereffekt auftritt, weil die Basis (nicht unbedingt die Raumladungzone) ausgeräumt werden muss. Bei der Bodydiode tritt der Effekt aber beim Umschalten von AUS- zu AN-Zustand auf, da hier die Raumladungszone umgeladen werden muss. Der Begriff Sperr-Erholzeit deutet schon darauf hin. Jan R. schrieb: > Also verlangsamt sich der MOSFET durch hohe Ugs Spannung nicht wie ein > Bipolartransistor bei hohem Basisstrom. Ja.
Jan R. schrieb: > Wenn diese Bodydiode aber nicht leitend wird, dürfte das aber > irrelevant sein. ich glaube du verstehst mich falsch.. Wenn nie Strom in die Diode fließt, da einfach kein Strom in die Richtung fließt sprich die Diode nie aktiv ist, dann ist sie doch irrelevant. Und damit auch deren Eigenschaften.
Jan R. schrieb: > Wenn nie Strom in die Diode fließt, da einfach kein Strom in die > Richtung fließt sprich die Diode nie aktiv ist, dann ist sie doch > irrelevant. Und damit auch deren Eigenschaften. Die Diode liegt effektiv zwischen Drain und Source. Wenn sie hohe Spannungen sperrt (hohe Drain Spannung), dann ist ihre Kapazität und gespeicherte Ladung anders als wenn sie eine sehr niedrige Spannung sperrt oder in Durchlassrichtung geschaltet wird. Die Ladungsänderung findet größtenteils über einen Ausgleichstrom statt. Es gibt keine Dioden ohne Sperrstrom, d.h. ein kleiner Sperrstrom fließt sowieso.
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