Verstärker mit Doppelgate-FET

[Tobias P. (hubertus)]

Tach zusammen

ich möchte gerne einen Verstärker bauen. Einerseits soll der Eingang so 
hochohmig wie möglich sein, andererseits soll die Verstärkung 
einstellbar sein, damit ich eine AGC realisieren kann. Daher möchte ich 
einen Doppelgate-FET benutzen, da sich mit diesem in gewissen Grenzen 
die Verstärkung einfach über das zweite Gate beeinflussen lässt.

Jetzt meine Frage. Kennt ihr Literatur oder einige praktische 
Faustformeln für die Dimensionierung mit einem solchen Doppelgate FET? 
Vor allem auch betreffend der Anpassung der Ausgangsimpedanz. Ich möchte 
eine 50 Ohm Last treiben.

[pnu (Gast)]

Die Entkopplung Ausgang-Eingang ist besonders gut, das war wegen der 
Abstrahlung der Oszillatorfrequenz bei Eingangsstufen von HF-Empfängern 
wichtig. Das andre Feature war die steuerbare Verstärkung.
Sie waren früher in den TV-Tunern fast die Standardlösung für 
HF-Eingangsstufen.

Sinnvoller Betrieb ist erst ab Vdd von > 8V möglich.
Die Rauscheigenschaften sind wegen der MOS-Technik nicht so besonders 
gut. Deswegen bringen die dual-gate-fets erst bei Frequenzen oberhalb 
100 MHz Vorteile gegenüber bipolaren HF-Transistoren.
Was den Ausgangswiderstand anbelangt: so im niedrigen kOhm-Bereich, sie 
wurden immer mit Schwingkreisen am Drain betrieben. 50 Ohm musste mit 
Transformation betrieben werden, wegen des rel. geringen Stroms (wenige 
mA)ging direkte Ausganglast von 50 Ohm nicht.

In den Datenblättern der gängigen Typen oder ind den Schaltbildern von 
TV-Tunern dürften sich viele Standard-Bemessungen finden lassen.

An 50-Ohm-Last ist die Verwendung von bipolaren HF-Transistoren die 
bessere Lösung. Die fahren zwar mit deutlich größeren Strömen und können 
wegen der inneren Rückkopplung keine solch große Verstärkung, sind aber 
wegen des großen Stroms übersteuerungsfester als Mosfets.

Weit verbreitet sind auch HF-ICs als SMD-Verstärkerbausteine. In 
iihnenSMD-Technik lässt sich die Entkopplung ein-aus besser erreichen 
und damit haben solche Bausteine größere verstärkung als diskrete 
HF-Transistoren

[Nonsens (Gast)]

Tobias Plüss schrieb:
> Jetzt meine Frage. Kennt ihr Literatur oder einige

Hier im Forum gab es schon mal Themen zum Dual Gate FET, die auch noch 
Links zu Anwendungen und Schaltplänen enthalten:

http://www.mikrocontroller.net/forum/all?filter=Dual-Gate&x=6&y=7

[Rainer V. (rudi994)]

Tobias Plüss schrieb:
> Literatur

"Das FET-Kochbuch", Texas Instruments, ISBN 3-88078-001-3, ist schon 
älter (1. Auflage 1977). Auch mit Berechnungs- und Anwendungsbeispielen 
zu Dual-Gate-MOSFETs wie BF900, BF905, 3N204, 3N205, z.B. Antennen-Amp, 
TV-Kanal-Amp, multiplikat. Mischer, UHF-Vorstufe, AFu-2m-Konverter, zum 
Schluß eine Sammlung diverser Schaltungen und FET-Typenübersicht.

[Helmut S. (helmuts)]

> Ich möchte eine 50 Ohm Last treiben.

Allein mit einem Mosfet erzielst du wegen der doch bescheidenen 
Steilheit aber nur ein Verstärkung kleiner 1.  Wenn du mehr Verstärkung 
haben willst dann solltest du einen hochohmigeren Widerstand am Drain 
nehmen und einen Emitterfolger hinterher schalten.