Hallo Leute, im Anhang ist ein sehr exotischer Boost Konverter mit zwei Induktivitäten. Dieser soll angeblich keinen RHPZ Effekt erzeugen. Bis auf diverse Schematas und ein paar Auslegungen für die Induktivitäten und Kondensatoren habe ich leider nicht all zu viel zu denen gefunden. Jetzt möchte ich gerne einen Demonstrator hierfür aufbauen, weiß aber leider nicht, wie im himmel Willen die Treiber für die FETs zu realisieren sind. Ich wäre für jeden Tipp dankbar!
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Mosfet-Treiber IC, z.B. von IXDD609 oder IXDD614, dazu einen DC/DC Converter mit galvanischer Trennung und für das Steuersignal z.B. ADuM1200 zur galvanischen Trennung ... Das ganze für jeden FET bauen, dann sind zum einen Deine Steuersignale geschützt und Du mußt Dir keine gedanken machen was das Puls-/Pausenverhältnis angeht!
Wie soll dass den "boosten" können?
>DC/DC Converter mit galvanischer Trennung
Sollte aber einer sein mit kleiner kapazitiven Kopplung
Flo schrieb: > Gateübertrager? Klingt gut! Da muss ich mich aber erst einmal reinlesen - aber das sollte sich lohnen :) Skyper schrieb: > Mosfet-Treiber IC, z.B. von IXDD609 oder IXDD614, dazu einen DC/DC > Converter mit galvanischer Trennung und für das Steuersignal z.B. > ADuM1200 zur galvanischen Trennung ... So etwas in der Art hatte ich auch erst gedacht, aber verworfen da die meisten DC/DC Wandler einen miserablen Wirkungsgrad haben und extreme Leerlaufverluste. Auch die Treiber und die Trennung sind nicht gerade günstig realisierbar...
Ich habe gerade echt Mühe, rauszufinden, wie das Ding überhaupt funktionieren soll. Kann es mir jemand erklären? Schaltet man Q1 durch, baut L2 ein Feld auf, schaltet man Q1 ab, entsteht zwischen Q1 und L2 eine negative Spannung, die kann nur aus Ct Ladung abziehen, über die Bodydiode von Q2 fließt Strom nach. Nutzen davon? Wenig. C2 ist auf Batteriespannung, dafür sorgt die Bodydiode von Q2. Schaltet man Q2 durch, passiert genau: nichts. Ist L1 und L2 vielleicht magnetisch gekoppelt? Aber was soll Q2? Sobald man den durchschaltet, fließt Ladung aus Cout zur Batterie und dreht das Feld in L1 um... Rätsel... Edit: Achso! Das ist eine Ladungspumpe. Q2 soll als verlustarme Diode dienen, und gepumpt wird über Ct, oder?
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Das Ding ist eine überkomplizierte Ladungspumpe. Läßt man Strom durch L2 fließen und schaltet diesen ab, treibt L2 die Spannung an Ct über das Niveau der Betriebsspannung. Während dieser Zeit soll Q2 die verlustarme Diode machen. Diese Spannung an Ct gelangt beim erneuten Einschalten von Q1 über L1 auf die Ausgangsseite, L1 soll die daraus resultierende Stromspitze glattbügeln.
Hier (http://www.researchgate.net/profile/Jose_Cobos/publication/44269146_Boost-based_MPPT_Converter_Topology_Trade-off_for_Space_Applications/links/00b7d52e68f7871ec4000000.pdf) werden einige Boost-Regler gezeigt, so auch meiner...
Interessantes Konzept, habe ich so noch nicht gesehen. Ich würde für den Anfang ja Q2 erstmal durch eine Schottky Diode ersetzen, dann kannst du dir diese Ansteuerung schon mal sparen. Für einen N-Ch FET bräuchtest du eine deutlich negative Spannung am Gate, um ihn abzuschalten - schwierig zu erzeugen... Um es zu vereinfachen, könnte man für Q1 einen P-Ch FET benutzen, dann reicht dir als Ansteuerung eine PWM mit 0V / Vbat, vorausgesetzt Vbat ist deutlich über Vth des FETs. Welche Spannung hast du denn am Eingang (Vbat)?
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Joe F. schrieb: > Ich würde für den Anfang ja Q2 erstmal durch eine Schottky Diode > ersetzen, dann kannst du dir diese Ansteuerung schon mal sparen. Ja, das dachte ich auch, aber ich muss rund 100W bei 24V (aus minimal 12V "machen") also reichlich viel Strom durch die Diode jagen. Also würde ich 3-5W (also rund 3-5% Effizienz) einbüßen. - Aber ja prinzipiell reicht eine Diode ;-)
Gate Drive Transformer. Das ist ein erproptes Konzept und das Potential auf dem der FET liegen darf wird nur durch die Isolation des Trafos limitiert.
Flip schrieb: > Ja, das dachte ich auch, aber ich muss rund 100W bei 24V (aus minimal > 12V "machen") also reichlich viel Strom durch die Diode jagen. Ist dann diese eher ungewöhnliche Topologie wirklich besser als ein klassischer synchroner Boost?
Gerd E. schrieb: > Ist dann diese eher ungewöhnliche Topologie wirklich besser als ein > klassischer synchroner Boost? Mußt Du suchen nach: 'Understanding the Right-Half-Plane Zero' Denn wie Flip schrieb: > Dieser soll angeblich keinen RHPZ Effekt erzeugen.
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Gerd E. schrieb: > Ist dann diese eher ungewöhnliche Topologie wirklich besser als ein > klassischer synchroner Boost? Kommt drauf an, was du unter Besser bezeichnest. Effezienz - eher nicht, maximal gleichwertig. Aber eben RHPZ ist ein wichtiger punkt für mich, da ich mind. vier dieser Regler (gespeist aus unterschiedlichen Quellen) parallel schalten muss. magic smoke schrieb: > Gate Drive Transformer. Das ist ein erproptes Konzept und das Potential > auf dem der FET liegen darf wird nur durch die Isolation des Trafos > limitiert. Ich habe mit denen leider noch nicht gearbeitet, aber mal kurz nach typen gesucht... Ganz schön teuer die Dinger, wenn es explizit Gate Transformatoren sein sollen... Kann ich da nicht einfach Impulsübertrager 1:1 nehmen? sowas wie Murata 786 Serie (http://www.murata-ps.com/data/magnetics/kmp_786.pdf) Berechnet man die auf das penibelste, oder nimmt man, was man bekommt?
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