Hallo, meine Frage: Ist der Kühlkörper eines FET immer mit einem Potential (G, D, S) verbunden? Spiezielle frage ich mich das gerade zu diesem Typen: http://www.farnell.com/datasheets/1916002.pdf Hier steht zumindest nicht explizit, dass das "Thermal Pas" eine elektr. Verbindung hat. Viele Grüße
:
Verschoben durch Admin
FETvsKK schrieb: > Hier steht zumindest nicht explizit, dass das "Thermal Pas" eine elektr. > Verbindung hat. ist ja auch schwer, denn er hat laut Bild im Datenblatt gar kein metallisches Thermalpad.
Peter II schrieb: > FETvsKK schrieb: >> Hier steht zumindest nicht explizit, dass das "Thermal Pas" eine elektr. >> Verbindung hat. > > ist ja auch schwer, denn er hat laut Bild im Datenblatt gar kein > metallisches Thermalpad. oh ich sehe grade, es ist gar nicht vorder- und Rückseite. Naja es gibt welche ohne Metall.
Auf Seite 7 kann man entnehmen, dass der Kühlkörper mit Drain verbunden ist
Das "Thermal Pad" hat in der Abbildung auf Seite 7 eine Anschlußzuweisung zu Drain (Nr. 4 bei dm "Lead Assignment")
FETvsKK schrieb: > Ist der Kühlkörper eines Ja, und zwar mit D, bei allen vertikalen MOSFETs (Ausnahme wären also laterale MOSFETS wie BUZ900). Ob das Trägerblech dann nach aussen geht, oder isoliert wie beim IRFI520 ist, hängt dann vom Gehäuse ab. Hohe Leistung ist immer unisoliert.
Bei IRF sind die Typen IRFI/IRLI im Isolierten TO220 Gehäuse. Wo hohe Leistung anfängt, ist immer Definitionssache. IRFI gibt mit ganz ansehnlichen RDSons, nur durch die Isolation wird die Wärmeleitung halt schlechter.
Entweder Isolierung durch Gehäuse, Glimmerscheiben oder die gesamte Schaltung in ein Schutzgehäuse... Mh naja mal sehen. Vielen Dank für Eure Anmerkungen!
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