Ich habe diese Schaltung aufgebaut, um die Temperatur eines Heißdrahtes zu regeln. Das PWM-Signal soll von einem Arduino kommen. Allerdings fällt an dem Mosfet eine sehr große Spannung(8-9v) ab, obwohl der MOSFET laut Datenblatt bereits schalten sollte. Was mache ich falsch?
Angehängte Dateien:
:
Verschoben durch Admin
PS: Die hohe Spannung messe ich bei einem statischen Test, bei dem ich das Gate über den Widerstand mit 5v verbinde.
Der FET braucht ca 8V um voll durchzuschalten. Nimm besser einen LL Fet. Klemme den µC pin an einen 220R und 100K Widerstand. Ein Bein des 220R an das Gate Ein Bein des 100K an GND Also eine andere Schaltung (kein Spannungsteiler) und ein besseres Verhältnis. Ein Spannungsteiler, 176 zu 1000, wäre selbst für einen LL Fet ungünstig.
Felix schrieb: > Allerdings > fällt an dem Mosfet eine sehr große Spannung(8-9v) ab, obwohl der MOSFET > laut Datenblatt bereits schalten sollte. Eingeschaltet schon gerade, aber vermutlich noch lange nicht niederomhig genug. Dazu bräuchte er eine höhere Gate-Source-Spannung als 5V.
Was sollen denn diese 176 Ohm in der Schaltung? Um das Gate bei floatendem Port auf GND zu legen ersetze den mal durch 47k.
@ Felix (Gast) >Ich habe diese Schaltung aufgebaut, An sich richtig, aber R1 ist mit 176 Ohm viel zu niederohmig! 10k sind OK. > um die Temperatur eines Heißdrahtes >zu regeln. Das PWM-Signal soll von einem Arduino kommen. Allerdings >fällt an dem Mosfet eine sehr große Spannung(8-9v) ab, Zuviel. > obwohl der MOSFET >laut Datenblatt bereits schalten sollte. Sollte er das? Schon mal was von einem Spannungsteiler gehört? Mach mal R1=10k-100k Ausserdem ist das Ding offiziell KEIN Logic Level Typ, d.h. mit 5V ist er NICHT sicher voll durchgesteuert. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte Abschnitt V_GS_thr Nimm einen IRLZ34N, dann passt das.
h2o2 schrieb: > Was sollen denn diese 176 Ohm in der Schaltung? Pardon, ich habe den wohl falsch zugeordnet. Mein Fehler :)
Falk B. schrieb: > An sich richtig, aber R1 ist mit 176 Ohm viel zu niederohmig! 10k sind > OK. ??? R1 liegt zwischen 5V-PWM und Gate. Mit R1=10k schaltet der Mosfet wegen R2=1k (Gate nach Masse) nie ein, auch kein LL-Typ.
Vielen Dank für eure Antworten! Ich habe R1 so niedrig gewählt, damit auch bei den Frequenzen des PWM Signals der MOSFET nicht so lange zum umladen braucht. Mir war nicht klar, dass der bei 5V, oder genau 4,8v, noch nicht voll durchschaltet. Ich hatte die Schaltung nämlich zuerst mit ner hochohmigeren Last getestet, da lief alles super. Ich werde mit dann einfach nen logic level FET holen, um mir einen Treiberschaltkreis zu sparen.
Felix schrieb: > Vielen Dank für eure Antworten! > Ich habe R1 so niedrig gewählt, damit auch bei den Frequenzen des PWM > Signals der MOSFET nicht so lange zum umladen braucht. Mir war nicht > klar, dass der bei 5V, oder genau 4,8v, noch nicht voll durchschaltet. > Ich hatte die Schaltung nämlich zuerst mit ner hochohmigeren Last > getestet, da lief alles super. Ich werde mit dann einfach nen logic > level FET holen, um mir einen Treiberschaltkreis zu sparen. R1 ist niedrig, vielleicht etwas zu niedrig .... Aber R2 ist entweder falsch eingesetzt (aber das sachte ich eben schon) oder ERHEBLICH zu klein. In deiner Schaltung wird er mindestens 100K haben müssen. Auch, wenn du einen LL FET einsetzt.
@ ArnoR (Gast) >> An sich richtig, aber R1 ist mit 176 Ohm viel zu niederohmig! 10k sind >??? >R1 liegt zwischen 5V-PWM und Gate. Nach meiner Interpretation liegt R1 zwischen Gate und Source. Aber die Bezeichner sind ungünstig platziert, das schreit nach Missverständnissen.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.