Hallo, wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines Transistor im Datenblatt...(also wenn Transistor Off) liegt der Strom im nA oder uA Bereich? Falls Letzteres, wieviel ca.? Danke
epikao schrieb: > Hallo, wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines > Transistor im > Datenblatt...(also wenn Transistor Off) Der wird nicht angegeben weil es keinen Sinn macht. Achte statt dessen auf I_CBO. > liegt der Strom im nA oder uA Bereich? Falls Letzteres, wieviel ca.? Beides, je nach Sperrschichttemperatur.
ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm zwischen Collector und Emitter aufweist?... verdammt wenig, nicht?
Ist es wirklich so schwer einfach mal ins Datenblatt zu gucken ? http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC846_SER.pdf ICBO collector-base cut-off current VCB = 30 V; IE = 0 A; 15 nA VCB = 30 V; IE = 0 A; Tj = 150°C; 5 uA sagt doch deutlich wie gut der sperrt. Bei 150 GradC also (besser) wie 6 MOhm, bei 25 GradC besser als 2 GOhm. Übrigens sind die Standard-Kleinleistungs-Transistoren sehr gut im Sperrverhalten. 2N1711 FFB2222A (NPN 10nA @ 25GradC)
>ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm >zwischen Collector und Emitter aufweist?... Wo?
MaWin schrieb: > Ist es wirklich so schwer einfach mal ins Datenblatt zu gucken ? > http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC846_SER.pdf > ICBO collector-base cut-off current und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?! da steht Collector-Basis! transistor schrieb: >>ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm >>zwischen Collector und Emitter aufweist?... > > Wo? hier (vor Mosfet-Feldeffekt Titel): http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html ich zitiere: Links also wieder die Ausgangssituation für ein NAND mittels Schalter. Man kann tatsächlich Transistoren in Reihe schalten. Werden beide Transistoren mit 1 angesteuert, werden beide leitend und etwa die Masse wird auf y gelegt. Der Widerstand beträgt nun so etwa 60Ω, im Gegensatz zum gesperrten Zustand von etwa 330KΩ (ein Transistor leitend) bis 600KΩ (beide Transistoren gesperrt).
epikao schrieb: > und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?! > da steht Collector-Basis! Natürlich. Schon hinz schrieb, daß der andere keine Sinn macht. Der Strom fliesst nun mal von C nach B, E kommt erst nach B. Was du dann bei B damit machst, ist deine Sache. Du kannst B an Masse legen, also mit E verbinden, dann ist das direkt der Collector-Emitter-Strom. Du kannst B offen lassen, dann sammeln sich die Ladungsträger bis B etwas positiver als E ist und diese nA abfliessen können. Dabei wird der Transistor den Strom verstärken, wie er das immer tut, sagen wir ums 100-fache, also fliesen bei offener Basis dann 100*ICBO, also 1.5uV (bei 25 GradC maximal). Das Datenblatt weiss nicht, was du machen wirst. Wer Ahnung hat, lässt B nicht offen, sondern legt ihn auf 0V (in Bezug zum E).
epikao schrieb: > ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm > zwischen Collector und Emitter aufweist?... Wenn Du zum Messen die beiden Drähte zwischen Daumen und Zeigerfinger klemmst, könnte das etwa hinkommen. :-)
epikao schrieb: >> ICBO collector-base cut-off current > und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?! > da steht Collector-Basis! Denk mal drüber nach was wohl das "O" bedeuten soll. > http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html Ganz großes Kino!
hinz schrieb: > Denk mal drüber nach was wohl das "O" bedeuten soll. > >> http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html > > Ganz großes Kino! was meinst du mit Kino? Unfug? "0" - Basis auf 0, Masse/Emitter?? Vielen Dank aber, hat mir schon sehr geholfen :-)
und noch was, kann ich den Sperrstrom also auch erhöhen, indem ich z.B. ein 100Kohm Widerstand zwischen Basis und Emitter schalte?
Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte Eigenschaft :-)
Marian B. schrieb: > Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte > Eigenschaft :-) und was nützt diese Antwort auf meine obige Frage?!
Es gibt einfach Transistoren bei denen ist nicht viel spezifiziert, denn messen kostet Geld. Wenn man aus einem bestimmten Grund auf eine Spezifikation angewiesen ist, dann muß man sich einen anderen Hersteller suchen oder meistens sogar einen anderen Transistortyp wählen.
epikao schrieb: > Marian B. schrieb: >> Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte >> Eigenschaft :-) > > und was nützt diese Antwort auf meine obige Frage?! Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den Sperrstrom eher verringern wollen würde. Und ja. Wie MaWin schon ausführte, hilft es enorm, den Basisanschluß des Transistors nicht offen zu lassen sondern irgendwie mit GND zu verbinden. Je niederohmiger man diese Verbindung macht, desto geringer wird der resultierende Sperrstrom im Kollektorkreis.
epikao schrieb: > und noch was, kann ich den Sperrstrom also auch erhöhen, indem ich z.B. > ein 100Kohm Widerstand zwischen Basis und Emitter schalte? Wenn Du erniedrigen bzw. den "Sperrwiderstand" meinst, und statt 100 kOhm z.B. 10 kOhm nimmst, dann ja.
> wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines Transistor im
Datenblatt
Die Frage war doch klar aber offensichtlich lesen die meisten die Frage
nicht genau.
Axel S. schrieb: > Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den > Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den Sperrstrom > eher verringern wollen würde. wieso? In meiner Applikation sind die Transistoren meist gesperrt und in einer Akku-Anwendung. Ich möchte dass dann möglichst wenig "Sperr/Leckstrom" fliesst...
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3903-D.PDF Da gibt es eine Spec Icex mit 50nA. Allerdings für Ueb=3V, also Ube=-3V. Ob du die hast?
epikao schrieb: > Axel S. schrieb: >> Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den >> Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den Sperrstrom >> eher verringern wollen würde. > > wieso? In meiner Applikation sind die Transistoren meist gesperrt und in > einer Akku-Anwendung. > Ich möchte dass dann möglichst wenig "Sperr/Leckstrom" fliesst... ...und deshalb willst Du den Sperrstrom erhöhen? (siehe 12.00 Uhr)
Harald W. schrieb: > ...und deshalb willst Du den Sperrstrom erhöhen? (siehe 12.00 Uhr) ouu das ist missverständlich ausgedrückt, nicht erhöhen sondern verringern habe ich gemeint x-D sorry
Für den Fall steht ja alles bereits oben - halbwegs niederohmige Ansteuerung (sodass die BE-Strecke nicht auf die Idee kommt vorwärts zu leiten), passender Typ und niedrige Temperatur bedingen kleine Leckströme.
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ok. hier mal konkret meine Schaltung.... das Relais darf erst ziehen, wenn eine der beiden 10V Signale wegfallen. Kann ich bzgl. Stromaufnahme was optimieren? Oder wird was wegen den hohen Widerstände kritisch?
epikao schrieb: > das Relais darf erst ziehen, wenn eine der beiden 10V Signale wegfallen. D.h. so lange das Relais ausgeschaltet ist, also du "keinen Strom" verbrauchen darfst, hast du fast unendlich viel Strom (na ja, zumindest 1mA) aus den 10V Eingängen zur Verfügung ? Ist die Masse der 30V zwangsweise mit der Masse der 10V verbunden ? Du musst bloss 7mA schalten. Dein Relais braucht nur 24V, du hast aber 30V ?
MaWin schrieb: > D.h. so lange das Relais ausgeschaltet ist, also du "keinen Strom" > verbrauchen darfst, hast du fast unendlich viel Strom (na ja, zumindest > 1mA) aus den 10V Eingängen zur Verfügung ? die 10V Signale können auch 10mA liefern... aber auch der Strom der Signale muss möglichst gering sein (weil alles vom Akku kommt). MaWin schrieb: > Ist die Masse der 30V zwangsweise mit der Masse der 10V verbunden ? Ja MaWin schrieb: > Du musst bloss 7mA schalten. > Dein Relais braucht nur 24V, du hast aber 30V ? nur 7mA Ja, das Relais verträgt bis 150% der Nominalspannung. Aber ich habe ein Vorwiderstand vorgesehen, nur noch nicht berechnet. Schlussendlich sind die 30V das Minimum. Der Akku wird aber bis ca. 45V haben - im vollen Zustand.
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Durch die N-FETs hast du sehr niedrige Eingangsströme. Durch die 10 MΩ und zwei-dreifach Darlington niedrigen Ruhestrom.
epikao schrieb: > ok. hier mal konkret meine Schaltung.... > > Kann ich bzgl. Stromaufnahme was optimieren? Du könntest die LED in Reihe zum Relais schalten, das verringert die Stromaufnahme und vernichtet etwas von der zu hohen Spannung.
Marian B. schrieb: > Durch die N-FETs hast du sehr niedrige Eingangsströme. > Durch die 10 MΩ und zwei-dreifach Darlington niedrigen Ruhestrom. stimmt, die Schaltung ist viel besser. Danke ArnoR schrieb: > Du könntest die LED in Reihe zum Relais schalten, das verringert die > Stromaufnahme und vernichtet etwas von der zu hohen Spannung. es ist eine niedrig-Strom LED... die nur 2mA benötigt - dann würde das Relais nicht ziehen. Und bei einer normalen LED würde sie nicht leuchten. Danke trotzdem :-)
epikao schrieb: > es ist eine niedrig-Strom LED... die nur 2mA benötigt - dann würde das > Relais nicht ziehen. > Und bei einer normalen LED würde sie nicht leuchten. Danke trotzdem :-) Aha, der LED-Spezialist hat gesprochen...
epikao schrieb: > stimmts nicht? Nein, nichts von deinen Aussagen stimmt. Schau einfach mal in ein LED-Datenblatt. Low-Current-LEDs kann man auch bei höheren Strömen als 2mA betreiben, die begrenzen den Strom nicht, und normale leuchten auch bei 2mA. Die Emission ist näherungsweise proportional zum Strom. Low-Current-LED, Seite 3, Diagramme links: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MM2MAGE_LED5MM2MAGN_LED5MM2MART%23KIN.pdf Standard-LED, Seite 4, Diagramme links: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MMSTGE_LED5MMSTGN_LED5MMSTRT%23KIN.pdf
Die Schaltung mit den FETs und dem Darlington ist schon gut. Für weniger Leckstrom wäre noch ein Widerstand von etwa 100K-1M von Basis nach Emitter beim 2. Transistor sinnvoll: dann wird der Leckstrom des 1. Transistors nicht noch verstärkt. Wegen der Variablen Batteriespannung wäre es ggf. sinnvol den Strom für das Relais zu begrenzen / Regeln, mit Hilfe eines Widerstandes am Emitter. Auch eine grobe Regelung mit etwa einer Diode als Ref. wäre vermutlich schon ausreichend.
ArnoR schrieb: > Low-Current-LED, Seite 3, Diagramme links: > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MM2MAGE_LED5MM2MAGN_LED5MM2MART%23KIN.pdf interessante 2mA Low Current LED ... läuft scheinbar auch noch mit 20mA, wusste ich nicht. nunja, meine verwendete LED hat 7.5mA als Maximum... ok. würd auch gehen in Serie, da das Relais nur ca. 5mA braucht. Aber ist mir zu nahe an der Grenze... http://www.distrelec.ch/Web/Downloads/_t/ds/LxT679_ger-eng_tds.pdf?mime=application%2Fpdf
Lurchi schrieb: > Die Schaltung mit den FETs und dem Darlington ist schon gut. Für weniger > Leckstrom wäre noch ein Widerstand von etwa 100K-1M von Basis nach > Emitter beim 2. Transistor sinnvoll: dann wird der Leckstrom des 1. > Transistors nicht noch verstärkt. Ich kann doch auch einfach den BCV47 Darlington Transistor nehmen, statt die zwei Transistoren, oder?
Klar. Darlington ist Darlington. Beim Zeichnen vom Plan habe ich allerdings den Basisräumwiderstand (oben bereits von Lurchi angesprochen) vergessen. Wenn der im integrierten Darlington nicht eingebaut ist, solltest du einen externen vorsehen. >10 kΩ reichen. Bzgl. der Relaisspannung könnte man einfach einen adäquaten Vorwiderstand benutzen. Sollte es mit dem nicht möglich sein unter allen Akkuspannungen die Spezifikation des Relais einzuhalten, kann man dem Relais parallel eine Zenerdiode verpassen.
epikao schrieb: > hier (vor Mosfet-Feldeffekt Titel): > http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html > ich zitiere: > Links also wieder die Ausgangssituation für ein NAND mittels Schalter. > Man kann tatsächlich Transistoren in Reihe schalten. Werden beide > Transistoren mit 1 angesteuert, werden beide leitend und etwa die Masse > wird auf y gelegt. Der Widerstand beträgt nun so etwa 60Ω, im Gegensatz > zum gesperrten Zustand von etwa 330KΩ (ein Transistor leitend) bis 600KΩ > (beide Transistoren gesperrt). Vermutlich ist es ein Fehler vom Autor. Ursprünglich war es sicher mal für Ge-Transis geschrieben. Da sind solche Restströme möglich. Irgendwann mußte er mit der Zeit gehen, und hat es auf Si-Transis umgeschrieben. Da ist ihm das mit den 330K durch die Lappen gegangen.
michael_ schrieb: > Vermutlich ist es ein Fehler vom Autor. > Ursprünglich war es sicher mal für Ge-Transis geschrieben. Da sind > solche Restströme möglich. > Irgendwann mußte er mit der Zeit gehen, und hat es auf Si-Transis > umgeschrieben. > Da ist ihm das mit den 330K durch die Lappen gegangen. vielen Dank. Damit ist auch mein letztes Fragezeichen geklärt. Einzig was noch gegen die Fet-Lösung spricht, ist die wesentlich höhere Empfindlichkeit gegenüber ESD. NPN Transistoren sind aus meiner langjährigen Reparatur-Erfahrung höchst selten ein Ausfallgrund....
Marian B. schrieb: > Klar. Darlington ist Darlington. Beim Zeichnen vom Plan habe ich > allerdings den Basisräumwiderstand (oben bereits von Lurchi > angesprochen) vergessen. Wenn der im integrierten Darlington nicht > eingebaut ist, solltest du einen externen vorsehen. >10 kΩ reichen. ist die Basisspannung zum Schalten, dann nicht zu klein - bei einem 10Mohm? 30V: 10010000 × 10000 = 0.02V ... minimum aber 1.5V benötigt?
Davor ist doch bereits ein Transistor mit seiner Stromverstärkung... (es geht um die BE-Strecke von Q2)
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Marian B. schrieb: > Davor ist doch bereits ein Transistor mit seiner Stromverstärkung... (es > geht um die BE-Strecke von Q2) kann man Q1 nicht einfach weglassen - und für Q2 den BCV47 also Darlington nehmen?
Das habe ich oben bereits bestätigt. Q1 & Q2 sind ein Darlington und können auch durch einen integrierten Darlington wie den BCV47 implementiert werden.
Marian B. schrieb: > Das habe ich oben bereits bestätigt. Q1 & Q2 sind ein Darlington und > können auch durch einen integrierten Darlington wie den BCV47 > implementiert werden. und dieser Basisräumwiderstand ist dann unnötig? Danke
Kann man das nicht in DTL Technik machen (eben so wie früher)? http://elektroniktutor.oszkim.de/digitaltechnik/ttl_cmos.html im entsprechenden Abschnitt..
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