Hallo allerseits! Habe eine Schaltung gebaut, in der 8 MOSFETs parallel einen maximalen Strom von 800A schalten. Das Problem ist nun folgendes: Wenn dieser maximale Strom fließt brennen immer zwei MOSFETs durch, obwohl das gesamte Mosfet-Array 1400A aushält. Die MOSFETs sind sternförmig angeordnet (s. Skizze), die Sourcen sind alle mit der kreisförmigen Kupferschiene verbunden, die Drains jeweils sternförmig inne Mitte. Jetzt das merkwürdige: Es brennen immer die MOSFETs durch, die am nächsten an Minuspol-Verbindung sind (Grüne Pfeile). Die anderen MOSFETs werden normal warm und bleiben funktionstüchtig. Liegt das wirklich an dem kleinen Wegunterschied des Kupfers, das ein MOSFET durchschmort, die anderen gerademal lauwarm werden? PS: Die Kupferschienen entsprichen einem Querschnitt von 12mm².
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Sterben die an Überspannung? Was denkst Du? Hast Du evtl. mal ein Foto vom Aufbau? Wird der Motor mit PWM betrieben? Snubber parallel zu den Fets? Kreisförmig ist ansich richtig. Dann aber von jedem Fet einen kurzen 4-6mm² zu einem Sternpunkt führen. Von dort weiter. In der >Rewgel sterben die Fets an Überspannung.(Avalanche-Betrieb) Wie sieht die Ansteuerung aus? Welche Treiber? Für jeden ein? oder alle Fets an einem Treiber. Schaltzeiten sind auch ernorm wichtig.
Das schaut schon ganz nach 1000 Amp. aus...:-)) Wurden Aufbau und Zeichnung mit der gleichen Sorgfalt angefertigt?
Langerleiter schrieb: > Liegt das wirklich an dem kleinen Wegunterschied des Kupfers Ja. Warum machst du nicht 8 gleichmäßig auf den Kreis verteilte gleich lange Masseanschlüsse, die in einen Einzigen zusammengefasst werden?
Tja das ist eine sehr schöne Skizze. ;) Bitte teile uns mal die Typen der Mosfets mit, das hilft enorm. Wird das als Schalter oder als Linearregel-Verstärker benutzt? So, ohne zu wissen welcher Mosfet es ist: - Zu wenig Spannung an den Gates, dadurch werden sie nicht ganz geöffnet - Ja, bei den Strömen sind paar cm Kupfer schon als Widerstand anzusehen, und bei den niedrigen Rdson ist dann schon die Kupferlänge schützend für die anderen, weil ja der meiste Strom über die ersten 2 fließt. Sternpunkt ist eine echte Abhilfe. Und vergiß nicht, die Gates brauchen auch noch jeder einen Widerstand um parasitäres Schwingen zu unterbinden.
Außerdem sind die FET offensichtlich elektrisch und damit auch thermisch isoliert auf dem Kühlblech montiert - keine gute Idee!
@ Langerleiter (Gast) >Habe eine Schaltung gebaut, in der 8 MOSFETs parallel einen maximalen >Strom von 800A schalten. Das Problem ist nun folgendes: Wenn dieser >maximale Strom fließt brennen immer zwei MOSFETs durch, obwohl das >gesamte Mosfet-Array 1400A aushält. Ohne Kühlung? >Die MOSFETs sind sternförmig angeordnet (s. Skizze), die Sourcen sind >alle mit der kreisförmigen Kupferschiene verbunden, die Drains jeweils >sternförmig inne Mitte. Aber der Anschluß am Außenring ist NICHT koaxial! Das holst du dir statisch und vor allem dynamisch schön unsymetrische Belastungen der MOSFETs an den Hals! > Jetzt das merkwürdige: Es brennen immer die >MOSFETs durch, die am nächsten an Minuspol-Verbindung sind (Grüne >Pfeile). Logisch. >Liegt das wirklich an dem kleinen Wegunterschied des Kupfers, das ein >MOSFET durchschmort, die anderen gerademal lauwarm werden? Auch. Aber ggf. auch am nichtsymetrischen Magnetfeld bei den dynamischen Schaltvorgängen.
Hochstromtechniker schrieb: > Außerdem sind die FET offensichtlich elektrisch und damit auch thermisch > isoliert auf dem Kühlblech montiert Das mit dem Kühlkörper nenne ich wahren Optimismus ;-)
Langerleiter schrieb: > Die MOSFETs sind sternförmig angeordnet (s. Skizze), die Sourcen sind > alle mit der kreisförmigen Kupferschiene verbunden, die Drains jeweils > sternförmig inne Mitte Und was ist mit den Gates? Irgendwie erinnert mich die Anordnung an einen Ringoszillator oder an ein Magnetron ...
Langerleiter schrieb: > Liegt das wirklich an dem kleinen Wegunterschied des Kupfers, das ein > MOSFET durchschmort, die anderen gerademal lauwarm werden? Wahrscheinlich kommt zusätzlich die Wärme aus den 800A durch die Kupferschiene, das sind ja am Anschluss die ganzen 800A und nehmen dann von MOSFET-Lasche über MOSFET-Lasche bis zur gegenüberliegenden Ecke auf 0A ab. Ebenso ist der Spannungsabfall zwischen den MOSFETs am Anfang viel höher als weiter hinten.
Eine Leitung hat typisch 10nH pro cm Länge. Wenn du im Ring einseitig einspeist, werden die nächstgelegenen MOSFETs Strom 'sofort' übernehmen, während die weiteren wie hinter einer Drossel den Strom zeitversetzt übernehmen. Es hilft nix, es muss 'vollsymmetrisch' aufgebaut werden, indem !alle! Leitungen gleich lang sind. ArnoR hat das schon richtig skizziert.
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