Was mich vor allem nervt ist der hohe Verluststrom bei geschlossenem NPN
MOSFET. Ein höherer Widerstand schaltet aber zu langsam, da das Gate vom
PNP ziemlich gross ist. Leider kann ich den Pullup nicht mit einem uC
steuern, da ich ja die 12V Spannung brauche. Irgendwie beisst sich die
Katze dauernd in den Schwanz....
Christian S. schrieb:> Ein höherer Widerstand schaltet aber zu langsam, da das Gate vom PNP> ziemlich gross ist.
WIE schnell willst du denn WAS damit schalten?
Bei geringer Schaltgeschwindigkeit kannst du einfach den Widerstand
höher machen.
Alternative1: Nimm einen MOSFET-Treiber.
https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
Alternativ: Nimm einen ProFET, den kannst du Highside einbinden und mit
TTL schalten.
Übrigens, NPN und PNP gibts nur bei Bipolar-Transistoren. Bei FETs heißt
das N-Kanal und P-Kanal.
Christian S. schrieb:> NPN MOSFET.Christian S. schrieb:> da das Gate vom PNP
Was bitte sind das für neue revolutionäre Mosfets?
Was du eigentlich willst ist eine Totem Pole oder Push Pull Stufe, oder
besser ein fertiger Mosfet Treiber
@ Christian S. (dragony)
>das Problem ist nicht mit einem NPN zu lösen, da ich VCC schalten muss.
Auch das könnte ein NPN schalten, wenn gleich die Lösung nicht unbedingt
optimal ist.
>Derzeitige Lösung:
Komischer Schaltplan, vor allem dein Ausgangs-MOSFET.
>Was mich vor allem nervt ist der hohe Verluststrom bei geschlossenem NPN>MOSFET.
Dann nimm einen MOSFET-Treiber ala ICL7667. Oder mach es so.
https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten.3Fhttps://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png> Ein höherer Widerstand schaltet aber zu langsam, da das Gate vom>PNP ziemlich gross ist.>steuern, da ich ja die 12V Spannung brauche. Irgendwie beisst sich die>Katze dauernd in den Schwanz....
Nö. Dein Wissen ist nur etwas begrenzt.
@ Christian S. (dragony)
>Da steht aber, dass der ICL7667 ein reiner Low-Side Treiber ist.
Ja, aber da deine 12V ja konstant sind und nicht bis 20 oder mehr Volt
gehen, funktioniert der für dich problemlos. Hat sogar 2 Kanäle.
Christian S. schrieb:> Irgendwie beisst sich die Katze dauernd in den Schwanz....
Ja, es sollte sich herumgesprochen haben, das Katzen nur
sehr wenig Ahnung vom Aufbau von Treiberschaltungen haben...
Du musst ja nicht unbedingt so eine unsymmetrische Schaltung mit Pull-Up
oder Pull-Down Widerstand aufbauen. Man kann das auch symmetrisch
machen. Außerdem kann es helfen, für die Treiberschaltung bipolare
Transistoren zu verwenden, die haben nämlich geringere Kapazitäten.
Hallo Stefan,
wie würde denn ein symmetrischer Ansatz aussehen? Ich möchte ja gerne
den Pull-Up los werden, weiss aber nicht wie. (Ohne jetzt einen Fix und
Fertig Treiber zu nehmen)
@ Christian S. (dragony)
>wie würde denn ein symmetrischer Ansatz aussehen?
Mal meine Links angeschaut?
https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png>Ich möchte ja gerne>den Pull-Up los werden, weiss aber nicht wie. (Ohne jetzt einen Fix und>Fertig Treiber zu nehmen)
Warum nicht? Zu einfach? Zu Stromsparend?
Falk B. schrieb:> Mal meine Links angeschaut?>> https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png
Hier möchte ich noch anmerken, dass es in deinem Fall besser wäre R2 an
die Basis von Q2 zu nehmen.
Erstens spielt es dann keine Rolle mehr ob jetzt 4.5V oder 5V an die
Basis gelangen, zweitens möchtest du wahrscheinlich 0V/12V am Gate haben
und nicht 36V/24V.
Ausserdem kannst du Q2 dann durch einen N-Fet ersetzen wenn du möchtest.
Operator S. schrieb:> Falk B. schrieb:>> Mal meine Links angeschaut?>>>> https://www.mikrocontroller.net/attachment/34752/P_FET.png>> Hier möchte ich noch anmerken, dass es in deinem Fall besser wäre R2 an> die Basis von Q2 zu nehmen.> Erstens spielt es dann keine Rolle mehr ob jetzt 4.5V oder 5V an die> Basis gelangen, zweitens möchtest du wahrscheinlich 0V/12V am Gate haben> und nicht 36V/24V.> Ausserdem kannst du Q2 dann durch einen N-Fet ersetzen wenn du möchtest.
Die Schaltung kommt aus dem Thread:
Beitrag "Wie Ugs (p-FET) sinnvoll begrenzen?"
Die Gatespannung ist schon ok, ist ein P-Channel. Ich dachte auch erst
dass die Ugs überschritten wird, aber weil der Transistor als
Stromquelle geschaltet ist eben nicht.
Allerdings wird bei der Auslegung für 36V Betriebsspannung die
Verlustleistung des SMD-Transistors ausgereizt, 250 mW. Sollte man nicht
machen.
Also ich habe jetzt mal bei Mouser mir einige der 10001 Gate-Driver
angeschaut und blicke da nicht wirklich durch. Der Satz von Falk, dass
ich für meinen PNP auch einfach einen Low Side Treiber nehmen kann, hat
nur noch eine weitere Frage aufgeworfen. Warum?
Naja ich wollte jetzt einfach mal ein paar bestellen und praktische
Erfahrungen sammeln. Ich habe einfach mal den billigsten rausgesucht.
http://www.mouser.ch/ProductDetail/Microchip-Technology/TC4452VPA/?qs=sGAEpiMZZMvQcoNRkxSQkvJ0kzRPsMabovQzFarStXQ%3d
Wäre dieser geeignet, einen P-Kanal MOSFET mit einem 5V uC an- und
abzuschalten, der an 12V hängt? Und wenn ja, wieso brauche ich keinen
speziellen High-Side Gate Driver?
@Christian
Könntest Du mal die Katze (nicht die, die sich in den Schwanz beißt) aus
dem Sack lassen?
Für eine, wie von Dir geplante Schaltung fehlen schlicht und einfach ein
paar grundlegende Informationen.
Wie sieht's z.B. mit dem gewünschten Strom aus? µA, mA, A oder kA?
Wie sieht es mit der Schaltfrequenz aus? Gelegentlich Ein/Aus oder PWM?
Ist "R Last" eine echte Ohm’sche Last oder ein Symbol?
Ich rate mal, dass kein Analogbetrieb benötigt wird.
Ich möchte mir eine High-Power Ladungspumpe basteln, die aus 9.6V knapp
18V/3A erzeugen kann. Das ganze soll mit einem uC gesteuert werden,
damit ich auch noch mit der Regelsoftware rumspielen kann.
Das Entladen des Kondensators war kein Problem, da habe ich ein Logic
Level N-MOS genommen. Als ich dann zum Laden kam, Überraschung, ging das
nicht mehr, da ich ja den Transistor direkt an VCC hängen musste.
Also habe ich einen Logik Level P-MOS genommen. Das ging beim Testen mit
3V auch ganz gut, bis ich den Spannungsregler eingebaut habe, da ich ja
mit 9.2V Eingangsspannung fahren möchte, der uC aber nur 5.5V verträgt.
Tja und dann, oh noch eine Überraschung, ging der P-MOS nicht mehr
zu....
Was man so alles lernt beim Basteln....
@Christian S. (dragony)
>Ich möchte mir eine High-Power Ladungspumpe basteln, die aus 9.6V knapp>18V/3A erzeugen kann.
AHA! Wenn gleich das möglich ist, ist es wenig sinnvoll. Ein DC/DC
Wandler mit Spule kann das besser. Gibt es fertig im Laden.
>Das Entladen des Kondensators war kein Problem, da habe ich ein Logic>Level N-MOS genommen.
jaja, der übliche Murks. ;-)
Nein leibe Kinder, SO macht man das NICHT! Man baut sich wenigstens eine
gescheite Halbbrücke aus MOSFETs oder bipolaren Transistoren, aber
sicher NICHT einen getrennten High- und Lowside Schalter!
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