Hallo Leute, ich würde gerne eine Emitterschaltung Dimensionierung und zwar soll diese im Rückkoppelzweig eine Diode mit Kapazitäten haben oder die üblichen WIderstand Kondensatorschaltung. Habt ihr hierfür Empfehlenswerte Seiten, in denen die Schaltung Dimensioniert wird'? Bzw Formel vorgegeben sind.
Lutz schrieb: > ich würde gerne eine Emitterschaltung Dimensionierung und zwar soll > diese im Rückkoppelzweig eine Diode mit Kapazitäten haben oder die > üblichen WIderstand Kondensatorschaltung. Gibts das auch als Schaltplan mit Bauteilnamen?
Passt doch. Eine Rückkopplung kann eine Mitkopplung oder eine Gegenkopplung sein. Auf jeden Fall ist aber eine Gegenkopplung eine Rückkopplung...
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Entschuldige, ich hatte das Foto nicht richtig ausgewählt. Ich wusste Leider nicht wie man die Schaltung nennen kann außer, "Gegenkopplung mit einer Diode"
Wozu dient diese Schaltung? Ist das eine besondere Verzerrerschaltung?
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Diese Schaltung aufgrund der Diode einen noch geringere Temperaturabhängigkeit haben. Ne andere Frage, wenn ich die Emitterschaltung aufbaue und unten im Emitter zur Gegenkopplung eine Kapazität mit einbaue in welcher Größenordnung muss diese sein ? Re/10 ?
Lutz schrieb: > zur Gegenkopplung eine Kapazität mit einbaue in welcher Größenordnung > muss diese sein ? Das hängt davon ab, welche Grenzfrequenz du haben willst... Auf jeden Fall sind die beiden C's wechselspannungsmäßig einfach in Reihe geschaltet. Zusammen mit dem (kleinen) dynamischen Widerstand der Diode.
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Lothar M. schrieb: > Das hängt davon ab, welche Grenzfrequenz du haben willst... > > Auf jeden Fall sind die beiden C's wechselspannungsmäßig einfach in > Reihe geschaltet. Zusammen mit dem (kleinen) dynamischen Widerstand der > Diode. Das stimmt schon, aber ich muss ja die Grenzfrequenz auf einen WIderstand beziehen C = 1/(2*pi*fg*X)
Lutz schrieb: > Diese Schaltung aufgrund der Diode einen noch geringere > Temperaturabhängigkeit haben. Das macht man aber ganz anders. Bei Germanium wurde die Temperatur noch kompensiert, bei Silizium ist sowas meist unnötig.
Lutz schrieb: > Diese Schaltung aufgrund der Diode einen noch geringere > Temperaturabhängigkeit haben. > > Ne andere Frage, wenn ich die Emitterschaltung aufbaue und unten im > Emitter zur Gegenkopplung eine Kapazität mit einbaue in welcher > Größenordnung muss diese sein ? Re/10 ? Also ich kann da nur eine Verschlechterung durch diese Diode erkennen. Zeig mal bitte einen Link auf einen Artikel in dem sie die Vorteile dieser Schaltung erläutern.
michael_ schrieb: > Das macht man aber ganz anders. > Bei Germanium wurde die Temperatur noch kompensiert, bei Silizium ist > sowas meist unnötig. Es geht mir erst einmal um die Überprüfung der Schaltung, dann kann ich die Diode immernoch durch einen Stromspiegel ersetzen... Helmut S. schrieb: > Lutz schrieb: >> Diese Schaltung aufgrund der Diode einen noch geringere >> Temperaturabhängigkeit haben. >> >> Ne andere Frage, wenn ich die Emitterschaltung aufbaue und unten im >> Emitter zur Gegenkopplung eine Kapazität mit einbaue in welcher >> Größenordnung muss diese sein ? Re/10 ? > > Also ich kann da nur eine Verschlechterung durch diese Diode erkennen. > Zeig mal bitte einen Link auf einen Artikel in dem sie die Vorteile > dieser Schaltung erläutern. Das ist leider in einem Buch geschrieben, ich weiß nicht inwiefern ich hier die Bücher Zitieren darf oder etwas davon reinposten kann ? Eine idee? Oder reicht es einfach wenn ich es zitiere?
Lutz schrieb: > Es geht mir erst einmal um die Überprüfung der Schaltung, dann kann ich > die Diode immernoch durch einen Stromspiegel ersetzen... Ich hoffe, das du weißt, das gleichstrommäßige und wechselstrommäßige Gegenkopplung zwei verschiedene Sachen sind.
> Das ist leider in einem Buch geschrieben, ich weiß nicht inwiefern ich
hier die Bücher Zitieren darf oder etwas davon reinposten kann ? Eine
idee? Oder reicht es einfach wenn ich es zitiere?
Abschreiben ist immer erlaubt. Du musst nur dazu zitieren. Schreib mal
ab.
Außerdem Titel, Author?
Zitate aus Büchern sind durchaus erlaubt - wenn auch nach gewissen Grundsätzen. https://de.wikipedia.org/wiki/Zitat#Deutschland. Ich bin nicht qualifiziert oder gar befugt juristischen Rat zu geben, meine aber, dass auch die Diskussion einer Literaturstelle, insbesondere wenn es sich um die Beschreibung einer Struktur oder eines Verfahrens handelt ein Werk in einem Sinne ist, der es erlaubt, die Textstelle, bzw. das Bild zu zitieren. Anders ist ja eine Diskussion in der Regel auch nicht möglich, da man nicht voraussetzen kann, dass jeder Leser das Buch auch besitzt. Was hingegen über die Grenze hinausgeht, ist die reine Wiedergabe ohne das es einem (Diskussions-)Zweck dient. Oder Zitate, die das ganze Buch umfassen.
Lutz schrieb: > Das ist leider in einem Buch geschrieben, ich weiß nicht inwiefern ich > hier die Bücher Zitieren darf oder etwas davon reinposten kann ? Sag den Titel, Autor und die ISBN. Die doofe Schaltung finden wir dann schon.
Ich glaube ich habe jetzt den Zweck der Diode erkannt (Simulation mit LTspice). Wenn der Emitterspannung/strom steigt, dann sinkt der Diodenstrom. Dadurch ergibt sich eine "Kompensation" der e-Funktion der Ic(Ube)-Kennlinie in gewissen Grenzen und ergibt bei nicht all zu großer Aussteuerung einen kleineren Klirrfaktor. Abhängig von der unteren Grenzfrequenz müssen die Cs schon im Bereich von 100uF sein, wenn amn 100Hz untere Grenzfrequenz haben will.
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Hallo, ich habe mal die Dateien für die Simulation mit LTspice angehängt. Am besten ist es, wenn man statt der Diode den gleichen Transistor verwendet. Mit "View-> SPICE Error Log" kann man nach der Simulation den Klirrfaktor ablesen. Gruß Helmut Nachtrag: Die Eingangskondensatoren C3, C6, C9 am besten auf 10u erhöhen.
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Ja,genau wunderbar. Das Buch ist von unserem Studenten hier und ich habe mir das durchgelesen und bekomme diese Schaltung einfach nicht Dimensioniert. Zum einen hat der Verfasser des Buchs bei der "Herleitung" Indizies der WIderstände vergessen. Ich habe zwar ein paar Annahmen gemacht aber bekomme Sie dennoch nicht Dimensioniert. Es ist aus dem Buch "Halbleiterschaltungstechnik - von Gerhard H.F. Seehausen" Vielleicht Könnt ihr mir helfen. Mein Ziel ist es für einen Versuchsaufbau einer Ersatzschaltung eine Sinushalbwelle von Ue = 2V auf 35 V zu Verstärken. Ich habe zuerst eine Emitterschaltung genommen und diese dann mit Gegenkopplungskondensatoren dimensioniert. (Siehe Anhang) Durch die 180° Phasendrehen ist das Signal etwas unschön. Zuerst habe ich mir überlegt ich könnte zwei Emitterfolgen in Serie schalten (Vu=10) leider geht der Transistor dann in Sättigung... EIn Operationsverstärker kommt leider nicht in Frage:/ Jetzt muss nur noch das Signal gedreht werden
Lutz schrieb: > Mein Ziel ist es für einen Versuchsaufbau einer Ersatzschaltung eine > Sinushalbwelle von Ue = 2V auf 35 V zu Verstärken. Du willst nur eine Halbwelle verstärken? Welche denn? Wie genau denn nur die eine Halbwelle? Vielleicht solltest du erst mal einen aktiven Einweggleichrichter bauen, um nicht auch einen Teil der anderen Halbwelle zu verstärken. Bei einer Emiitterschaltung lässt sich das nicht gut einstellen. Du musst einfach mehr über dein Problem erzählen. > Durch die 180° Phasendrehen ist das Signal etwas unschön. Also die positive Halbwelle? > Zuerst habe > ich mir überlegt ich könnte zwei Emitterfolgen in Serie schalten (Vu=10) Ein Emitterfolger macht keine Phasendrehung, da kannst du auch 20 in Serie schalten, das ändert nichts. Und Verstärken (Vu=10) tun die auch nicht, sondern nur leicht dämpfen. Um die Phasendrehung der Emitterschaltung rückgängig zu machen bzw. zu vermeiden, kannst du eine komplementäre Schaltung verwenden. Die Serienschaltung von 2 Emitterschaltungen ist keine gute Lösung. > leider geht der Transistor dann in Sättigung... Ja, weil die 2. Emitterschaltung entweder ein schon zu großes Signal verstärken soll oder sich für V=1 bei den Pegeln kein vernünftiger Arbeitspunkt einstellen lässt.
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