Guten Abend liebe Forengemeinde, ich habe heute das erste mal mit LTspice experimentiert und war etwas überrascht. Bevor ich zu meinem Problem komme eine kleine Frage vorweg: Wo kann ich in LTspice den Verstärkungsfakter von Transistoren einsehen/ändern? Nun zu meinem eigentlichen Problem: Ich habe die angehängt Schaltung simuliert und verschiedenste Werte für R1 und R2 durchprobiert. Allerdings ist es mir fast unmöglich gewesen, ~0,7V an der Basis-Emitter Strecke zu messen. Bei sehr kleinen Werten für R1 ist Ube auf über 3V angestiegen und da war ich doch etwas verdutzt. Hier noch ein paar Messwerte für Ube bei R2 = 500Ohm R1=500Ohm Ube= 0,87V R1=100Ohm Ube= 1,22V R1=10Ohm Ube= 2,87V Ich bin davon ausgegangen, dass der Transistor bei steigendem Ib einfach besser durchschaltet, aber dennoch ~0,7V an der Basis-Emitter Strecke abfallen. Wo ist hier mein Denkfehler? Mit ist natürlich durchaus bewusst, dass 10Ohm als Basiswiderstand schon recht klein sind, ich war nur über die steigende Ube gestolpert und habe daher noch einige Messungen aufgenommen.
Hallo, du simulierst eine Schaltung, bei der die Basis auf 5 V gelegt wird. Das bedeutet, dass die Ube nicht anders als 5 V sein kann. Ein Maschenumlauf bestätigt dieses, wegen des sehr geringen Basisstromes wird am Widerstand praktisch keine Spannung abfallen. Versuche mal, die Basisspannung durch einen Spannungsteiler festzulegen. Da ich derzeit meinen Rechner neu aufbaue, habe ich lein LTSPICE drauf (noch nicht, jedenfalls). Villeicht mache ich später noch eine Zeichnung. Robert
Laie schrieb: > Hier noch ein paar Messwerte für Ube bei R2 = 500Ohm > R1=500Ohm Ube= 0,87V > R1=100Ohm Ube= 1,22V > R1=10Ohm Ube= 2,87V > Wo ist hier mein Denkfehler? Der Transistor hat eine Stromverstärkung von ca. 400. Welchen Sinn soll es da haben, einen Basisstrom zu erzwingen, der um Größenordnungen größer als der Kollektorstrom ist? Du stellst vollkommen sinnlose Werte ein und wunderst dich, dass sich der Transistor nicht wie von dir erwartet verhält? Die Ube~0,7V ist keine Konstante, sondern ein Wert, der sich bei normalen sinvollen Betriebsparametern (Ic/Ib, Uce) auf der Eingangskennlinie des Transistors in etwa ergibt.
Ube=2,87V sollten - "normale Werte vorausgesetzt - unmöglich sein. Die B-E-Strecke verhält sich ähnlich wie eine Diode. Für diese Spannung müsstest Du schon mächtig herumstromern (Ibe).
Amateur schrieb: > Ube=2,87V sollten - "normale Werte vorausgesetzt - unmöglich sein. > Die B-E-Strecke verhält sich ähnlich wie eine Diode. Für diese Spannung > müsstest Du schon mächtig herumstromern (Ibe). Ooch, schau dir mal Basis- und Emitterwiderstand im Modell an.
>Ooch, schau dir mal Basis- und Emitterwiderstand im Modell an.
Ich finde die Widerstände sehen hübsch aus!
Ein wenig Beschäftigung mit der Kennlinie einer Diode ändert an meiner
Aussage nichts.
Die Werte kann ich bestätigen. Bei Rb=10 Ohm fließen da aber auch etliche hundert mA. Wenn man in das Datenblatt schaut, wundert es einen nicht .. Der Beriech ist zwar nicht mehr angegeben, Vbe von über 1,5V werden aber schon angezeigt. Und auch die Vorwärtsspannung einer 1N4148 kann deutlich über 1,5V steigen. Aber eigentlich will man das nicht. Laie schrieb: > Ich bin davon ausgegangen, dass der Transistor bei steigendem Ib einfach > besser durchschaltet, aber dennoch ~0,7V an der Basis-Emitter Strecke > abfallen. Wo ist hier mein Denkfehler? ... dass Faustregeln außerhalb der üblichen Betriebszustände immer noch gelten.
LTSPice sagt für NXP BC337-40 Bei Ib=102mA ist Vbe=1,8V .. die Frage wäre, ob LTSpice hier auch die Temperaturerhöhung berücksichtigt.
> Bei Ib=102mA ist Vbe=1,8V .. die Frage wäre, ob LTSpice hier auch die Temperaturerhöhung berücksichtigt. Das normale Transistormodell von SPICE kennt keine Selbsterwärmung. Die hohe UBE-Spannung mit 10Ohm Vorwiderstand an +5V hängt mit den Basiswiderständen RB und RBM im SPICE-Modell zusammen. .model BC337-40 NPN(IS=7.809E-14 NF=0.9916 ISE=2.069E-15 NE=1.4 BF=436.8 IKF=0.8 VAF=103.6 NR=0.991 ISC=6.66E-14 NC=1.2 BR=44.14 IKR=0.09 VAR=14 RB=70 IRB=2.00E-04 RBM=8 RE=0.12 RC=0.24 XTB=0 EG=1.11 XTI=3 CJE=3.579E-11 VJE=0.6657 MJE=0.3596 TF=5E-10 XTF=2.5 VTF=2 ITF=0.5 PTF=88 CJC=1.306E-11 VJC=0.3647 MJC=0.3658 XCJC=0.455 TR=2.50E-08 CJS=0 VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.843 Vceo=45 Icrating=500m mfg=NXP) Das Modell sieht man, wenn man "Pick new transistor" gewählt hat. Mit Ctrl-c kann man dann den Modell-Text in die "Zwischenablage" kopieren.
Ändere den Basiswiderstand auf 180kOhm. Gruss Robert
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Bearbeitet durch User
Amateur schrieb: >>Ooch, schau dir mal Basis- und Emitterwiderstand im Modell an. > > Ich finde die Widerstände sehen hübsch aus! > > Ein wenig Beschäftigung mit der Kennlinie einer Diode ändert an meiner > Aussage nichts. Bist ja auch nur ein Amateur.
Helmut S. schrieb: > Die hohe UBE-Spannung mit 10Ohm Vorwiderstand an +5V hängt mit den > Basiswiderständen RB und RBM im SPICE-Modell zusammen. Und RE nicht zu vergessen.
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