Hallo, ich frage mich gerade, welcher der maximale Strom ist, den ich mit dem http://www.farnell.com/datasheets/1339274.pdf treiben kann? ist -18A drain-source current? Und welche aufgabe hat ein Widerstand zwischen Gate und Source bzw. auch einer, der vor das Gate geschaltet wird. Wie berechnet man die? ?
Hans G. schrieb: > treiben kann? > Schalten kann. > ist -18A drain-source current? > Ja, und Peek 72A. > Und welche aufgabe hat ein Widerstand zwischen Gate und Source Damit der MOSFET besser, schneller sperren kann. Allerdings sollte die Ansteuerung schon genügend niederohmig erfolgen. > bzw. auch > einer, > der vor das Gate geschaltet wird. Damit der Gate-Strom nicht zu hoch wird. > Wie berechnet man die? Erst einmal das Datenblatt studieren. Und danach versuchen die Grenzwerte einzuhalten. Hilfreich ist auch ein Simulator wie LTspice. Allerdings ist es oft nicht einfach das passende Modell für das Device zu erhalten. In einigen Datenbätter, zB. von TI, wird eine vollständige Dimensionierung von Schaltnetzgeräten durchgeführt. Dort werden dann die üblichen Schritte zur Schaltungsdimensionierung durchgeführt. Habe etwas gefunden: http://www.ti.com/lit/an/slua560c/slua560c.pdf 9 Select FETs QE and QF 10 Input Capacitance (CIN) mfg Klaus
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Hans G. schrieb: > ich frage mich gerade, welcher der maximale Strom ist, den ich mit dem > http://www.farnell.com/datasheets/1339274.pdf > treiben kann? Nicht treiben, schalten. > ist -18A drain-source current? 18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote (1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl. > Und welche aufgabe hat ein Widerstand zwischen Gate und Source bzw. > auch einer, der vor das Gate geschaltet wird. Der zwischen Gate und Source ist ein Angstwiderstand. Der soll sicherstellen daß der MOSFET abgeschaltet bleibt wenn die Schaltung die ihn ansteuert, abgeklemmt wird oder ausfällt. Der Serienwiderstand soll den MOSFET gezielt langsamer schalten lassen um EMI zu reduzieren.
Axel S. schrieb: > 18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote > (1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A > durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht > wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit > sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl. Mit (18A)² * 2.6 mOhm = 842 mW erhöht sich die Temperatur des Si-Chips selbst bei ungünstiger Wärmeabfuhr auf dem PCB nur um 125°C/W * 842 mW = 101°C ggü. der Umgebung. Das ist also schon machbar.
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Di P. schrieb: > Axel S. schrieb: >> 18A DC schafft der MOSFET - theoretisch. Daß das Datenblatt eine Fußnote >> (1) referenziert, hast du gesehen? Die Fußnote besagt, daß du 18A >> durchjagen darfst, wenn du sicher stellst daß der MOSFET-Kristall nicht >> wärmer wird als 150°C. Und das wirst du nicht schaffen, nicht mit >> sinnvollem Kühlaufwand. Die 18A sind eine reine Marketing-Zahl. > > Mit (18A)² * 2.6 mOhm = 842 mW erhöht sich die Temperatur des Si-Chips > selbst bei ungünstiger Wärmeabfuhr auf dem PCB nur um 125°C/W * 842 mW = > 101°C ggü. der Umgebung. Das ist also schon machbar. Wenn man statt mit dem typischen Wert von R_ds_on mal mit dem garantierten Wert von 3.2mR rechnet, dann ist es gut 1W und dann muß man die Platine schon permanent auf 20°C halten um den FET nicht zu überhitzen. Genau so - Kühlkörper konstant auf 20°C (manchmal auch 25°C) - sind diese Marketingzahlen gerechnet. Nur daß man halt so ein Quadratzoll Leiterplattenfläche, das mit 1W heizt, nicht permanent auf 20°C halten kann. OK, für diesen FET sind die Zahlen nicht ganz so aus der Luft gegriffen wie für andere Beispiele die ich schon gesehen habe. Denn wenn man ein Quadratzoll Kupferfläche anbindet, dann kommt man bis ~80°C Platinentemperatur. Das sollte für die meisten Anwendungen machbar sein.
Das Quadratzoll Kupfer sollte allerdings nicht irgendwo in einem Gehaeuse versteckt, sondern offen sein. Besser ist es 2 Fet fuer halben Widerstand parallel zu schalten, dann faellt nur noch die Haelfte der Leistung an.
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