Hallo, Ich habe heute Transistoren aus China zugestellt bekommen und habe ein paar davon getestet. Das kam dabei raus. BC337-25 (NPN) B-E: 839 ohm E-B: 1 B-C: 830 ohm C-B: 1 K-E: 1 E-C: 1 BC327-25 (PNP) B-E: 1 E-B: 800 ohm B-C: 1 C-B: 798 ohm K-E: 1 E-C: 1 BC547B (NPN) B-E: 838 ohm E-B: 1 B-C: 828 ohm C-B: 1 K-E: 1 E-C: 1 BC558B (PNP) B-E: 1 E-B: 818 ohm B-C: 1 C-B: 807 ohm K-E: 1 E-C: 1 Sind die Werten so in Ordnung? Kann man sie irgendwie anders testen, um z.B. rauszufinden, ob die echt sind? Oder kann man es nur rausfinden, wenn man die an ihre Grenzen treibt?
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Kauf dir einfach einen Transistortester, oder bau dir einen. So testet man keine Transistoren. Die Alternative ist Du testest Sie in deiner Schaltung für die sie sind (vorher mit funktionierender Referenz). Funktioniert die Schaltung wie sie soll ist es gut. Wenn nicht, eben nicht.
Hallo, Due solltest Dich ein wenig mit der Funktionsweise von Transistoren beschäftigen, dann findest Du raus, daß das so nicht sinnvoll ist. Zumindest sind die Transitoren in Ordnung, was ihr Diodenverhalten betrifft. Gruß aus Berlin Michael
Sind chinesische BC547 widerstandsfähiger? Europäische Distributoren liefern den 1000er Gurt in ca. 48h. Einen anderen Grund als große Stückzahlen kann ich mir nicht vorstellen, in China zu bestellen. (15 Tage auf einen Brief mit 30 Transistoren zu warten ist mir zu albern.) Die Echtheit ist schlecht zu ermitteln, wenn man keinen (bereits erwähnten) Transistortester hat. Es bleibt tatsächlich nur ein aufwändiger Test, wobei der nicht destruktiv sein muss. Gute Transistortester (mit Anschluss für den Computer) erzeugen die Kurvenschar für den Verstärkungsfaktor recht schnell und konfigurierbar. Damit ist schnell klar, ob bei 80% Maximalkollektorstrom auch die notwendige Verstärkung zustande kommt. Aber wenn du Angst hast, ob 7-19 Miniplasttransistoren gefälscht sind, bestell' in Europa. Ein guter Transistortester schlägt nämlich auch mit >50€ zu Buche.
> Aber wenn du Angst hast, ob 7-19 Miniplasttransistoren gefälscht sind, > bestell' in Europa. Ein guter Transistortester schlägt nämlich auch mit > 50€ zu Buche. Der TT, der hier im µCNet zu Hause ist, kostet auf Ebay u. ä. um die 20 Euro. Kann ich nur empfehlen.
Boris O. schrieb: > Die Echtheit ist schlecht zu ermitteln, wenn man keinen (bereits > erwähnten) Transistortester hat. Was wäre denn ein "unechter" Transistor?
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Ok, das heißt, es hat keinen Sinn so den Transistor zu testen bzw. damit kann man nur die Grundfunktionalität feststellen. Bezüglich die Schaltung: man kann im Prinzip so was bauen als BPS BC337 NPN Transistor: Anhang oben Darf man bei dieser Schaltung z.B. zwei Massenpunkte miteinander verbinden? Wenn ich den Datenblatt richtig verstanden habe, kann man bei B-E 0,7-5v durchjagen(Das ist quasi meine Steuerleitung. Muss man da vielleicht eine Diode einbauen? oder kann da nicht zurück fließen?) C-E ist bis 40-50V max 800mA belastbar (kurze Zeit auch bis 1A) Unter Led ist so eine Art Verbraucher gemeint. Fazit: Um überhaupt feststellen zu können, ob die Eingaben in Datenblatt stimmen, muss der Transistor im BSP BC337 nur so ca. 700-800mA Dauerbelastung überleben PS: Sind meine Überlegungen richtig? oder eher komplett daneben?
Aldder Schwede, Cent Produkte in China zu bestellen ist echt albern. Was der Transistor Tester dir nicht sagen kann könnte eventuell wichtig sein. Wie verhalten sich die China Viecher im gesättigtem Bereich und unter last.
Christian schrieb: > Bezüglich die Schaltung: man kann im Prinzip so was bauen als BPS BC337 > NPN Transistor: Anhang oben Kann man so bauen! Wahrscheinlich geht allerdings die Basis-Emitter-Strecke kaputt deines Transistors kaputt. Christian schrieb: > Darf man bei dieser Schaltung z.B. zwei Massenpunkte miteinander > verbinden? Dein Schaltbild zeigt nur eine Masse Christian schrieb: > Wenn ich den Datenblatt richtig verstanden habe, kann man bei B-E 0,7-5v > durchjagen Spannungen "legt man an". Ströme fließen. Diese Unklarheit auszuräumen könnte das gannze Chaos vielleicht ein wenig eindämmen. Christian schrieb: > Muss man da vielleicht > eine Diode einbauen? Die BE-Strecke ist eine Diode. Besser wäre es einen Widerstand einzubauen um diese zu schützen. Christian schrieb: > Unter Led ist so eine Art Verbraucher gemeint. Hier verhindert sie effektiv, dass ein nennenswerter Kollektorstrom flißen kann. Sie ist verpolt. Christian schrieb: > -E ist bis 40-50V max 800mA belastbar (kurze Zeit auch bis 1A) Wie viel Strom würde deine LED denn in Durchlassrichtung aushalten?
Kenner schrieb: > Christian schrieb: >> Wenn ich den Datenblatt richtig verstanden habe, kann man bei B-E 0,7-5v >> durchjagen > > Spannungen "legt man an". Ströme fließen. Diese Unklarheit auszuräumen > könnte das gannze Chaos vielleicht ein wenig eindämmen. Und um das Chaos noch weiter einzudämmen. In einer derartigen Schaltung wird an die Basis ein Widerstand vorgeschaltet, der den Strom einstellt, der durch die Basis rinnt. Denn: Transistoren sind stromgesteuert. Am anderen Ende des Widerstands können auch 10 KiloVolt sein, wenn sie nur über den Widerstand soweit abfallen können, dass der (laut Ohmschen Gesetz) fliessende Strom ausreichend ist, um den Transistor durchzusteuern. An der Basis stellt sich dann wie von selbst die dazu passende Spannung ein und der Rest fällt am Widerstand ab. Also: woieviel Strom brauchst du über die C-E Strecke. Den teilst du durch den Verstärkungsfaktor und weisst damit, wieviel Strom du mindestens durch die Basis schicken musst, damit der Transistor entsprechend aufsteuern (da der T hier ja als Schalter benutzt wird). Mit diesem Strom und der bekannten Ansteuerspannung sowie der Spannung, die an der Basis stehen bleibt, rechnest du dir aus wie gross der entsprechende Widerstand sein muss. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm Im übrigen. Alle von dir genannten Transistortypen sind 08-15 Standardtransistoren, die man hier in Europa um Centbeträge kaufen kann. Wie besch... muss man sein um sowas in China zu bestellen. Für 4 Euro kannst du von zb BC337 sogar in der Apotheke Conrad ganze 100 Stück einkaufen.
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Mit Led habe ich zu spät gemerkt, dass die verkehrt ist. Wie ich schon ober geschrieben habe, unter Led meine ich irgendein Verbraucher, der in der Lage wäre, 500mA zu verbraten und zwar eine gewisse Zeit lang. Bezüglich B-E würde kaputt gehen: meinst du wegen dem fehlenden Wiederstand? Jap die zweiten Masse habe ich nicht extra gezeichnet, weil ich nicht genau weiß woher damit, außer vielleicht beide zu verbinden. Ich wollte halt an C-E ca. 18-24v anlegen (1 Stromquelle) und dann noch mit ca. 0,7v B-E (2 Stromquelle) die Strecke C-E aufmachen. Oder kann man nicht einfach so 2 unterschiedliche Massenpotenziale(von Quelle 1 und 2) zusammenlegen? Danke
Danke Karl Heinz Ich habe eher paar Module bestellt und Transistoren kamen eher dazu
Christian schrieb: > mit ca. 0,7v B-E (2 Stromquelle) die Strecke C-E aufmachen. Oder kann > man nicht einfach so 2 unterschiedliche Massenpotenziale(von Quelle 1 > und 2) zusammenlegen? Was heisst 'kann man nicht'. Du musst sogar. Spannungen sind Potentialdifferenzen. So etwas wie 0V absolut gibt es nicht. Erst dadurch, dass du einzelne Schaltungsteile mit ihren jeweiligen Massen zusammenschliesst, bringst du sie elektrisch auf das gleiche Bezugspotential. 2 Batterien, die unabhängig voneinander nebeneinander liegen
1 | Batterie A Batterie B |
2 | |
3 | +-Pol +-Pol |
4 | |
5 | +--+ +--+ |
6 | +--+--+--+ +--+--+--+ |
7 | | | | | |
8 | | | | | |
9 | | | | | |
10 | | | | | |
11 | | | | | |
12 | | | | | |
13 | +--------+ +--------+ |
14 | |
15 | - Pol - Pol |
haben keinen gemeinsamen Bezug. Es gibt keinen sinnvollen Zusammenhang zwischen irgendeinem der beiden Pole der Batterie B zu einem der beiden Pole der Batterie A. Erst dadurch, dass du 2 Pole miteinander verbindest, zb die beiden hier
1 | Batterie A Batterie B |
2 | |
3 | +-Pol +-Pol |
4 | |
5 | +--+ +--+ |
6 | +--+--+--+ +--+--+--+ |
7 | | | | | |
8 | | | | | |
9 | | | | | |
10 | | | | | |
11 | | | | | |
12 | | | | | |
13 | +--------+ +--------+ |
14 | | | |
15 | +----------------+ |
16 | |
17 | - Pol - Pol |
bringst du die beiden auf ein gemeinsames Bezugspotential. Erst jetzt kannst du eine sinnvolle Aussage der Spannungslage vom +-Pol der Batterie B zu irgendeinem der Pole der Batterie A treffen.
Ok, ich war mir halt nicht sicher, ob man einen Transistor als so Art Relais mißbraucht könnte. d. h. mit kleineren Strom einen größeren Verbraucher kontrollieren.
Christian schrieb: > Ich habe heute Transistoren aus China zugestellt bekommen und habe ein > paar davon getestet. Das kam dabei raus. > > BC337-25 (NPN) > B-E: 839 ohm Ohm ist ne Fehlmessung oder Falschmeldung!
Christian schrieb: > Ok, ich war mir halt nicht sicher, ob man einen Transistor als so Art > Relais mißbraucht könnte. d. h. mit kleineren Strom einen größeren > Verbraucher kontrollieren. Ja. Genau das ist die Anwendung, die mit "Transistor als Schalter" gemeint ist. Ein Transistor ist ein Bauteil, das mit einem kleinen Strom einen größeren Stromfluss kontrollieren kann. Quasi wie ein Wasserhahn, der sinnigerweise mit Wasser auf und zu gedreht wird.
So eine kleine Rechnung um das ganze besser zu vertehen: Schaltung oben und noch dazu der Ausschnitt aus dem Datenblatt BC337: LED: 12v, 600mA R2=20 Ohm R=U/I Du hast oben geschrieben, dass um die Stromstärke für B-E und somit passenden Widerstand zu ermitteln, muss man die Stromstärke (0,6A) von Collector durch den Verstärkungsfaktor teilen. Jetzt halt die Frage, wo genau finde ich den? Ich nehme an, dass es hFE wäre. Unter hFE Classification: In der oberen Zeile sind warscheinlich die Spannung 16,25 und 40v angegeben und was sind dann hFE1 und hFE2. Oder ist hFE1 unsere Stromstärke aus dem Collector? Und Anhand von hFE1 können wir passenden Sättigungsfaktor (hFE2) auswählen. (60, 100 oder 170)? Bei 600mA wäre es dann ~150-170?
michael_ schrieb: > Lese das mal alles und komme dann wieder. > https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor Das ist alles gut und so. Aber wo finde ich diese ganzen Informationen im Datenblatt?
Die Stromverstärkung schwankt bei Bipolartransistoren so stark, dass es keinen Sinn macht sich an einem Wert fest zu klammern und auf einen bestimmten Kollektorstrom zu hoffen. Wenn man ihn nur als (langsamen) Schalter einsetzt, kann man den Transistor einfach in Sättigung betreiben. Da du willst, dass der Transistor in jedem Fall voll durch steuert, solltest du mit dem kleinsten h_FE rechnen das dort steht. Für große Kollektorströme trifft h_FE2 zu und ist mit 60 angegeben. I_B = I_C / h_FE = 600mA / 60 = 10mA (Basistrom) An der Basis-Emitter-Diode fallen gewöhnlich 0,7V ab; bleiben 4,3V die bei 10mA am Vorwiderstand abfallen müssen. R1 sollte also einen Wert von rund 430 Ohm haben.
Vielen Dank für BSP. d. h. hFE1 wird ausschließlich für die kleineren Ströme verwendet und hFE2 für die größere? Aber wo liegt die Grenze, was klein und was groß sein sollte. Als BSP BC337, der kann theoretisch so um 800mA schaffen (wahrscheinlich eher so um 700mA) Man kann aber auch durch C-E nur 20mA durchjagen. Oder nimmt man immer der kleinste Wert? Ps: Bezüglich "An der Basis-Emitter-Diode fallen gewöhnlich 0,7V ab", d. h dieser Wert steht immer unter Vce Sättigungsspannung und man muss nur V B-E s mit Vce subtrahieren?
Was könnte Vce heissen? Was könnte Vbe heissen? Auch wenn du noch nicht viel Ahnung hast - mitdenken ist immer erlaubt.
Christian schrieb: > Vielen Dank für BSP. d. h. hFE1 wird ausschließlich > für die kleineren Ströme verwendet und hFE2 für die > größere? Aber wo liegt die Grenze, was klein und was > groß sein sollte. Na Entschuldigung... aber das steht doch ausdrücklich da - Spalte "Conditions" (=Messbedingungen): hFE1 ist bei Ic = 100 mA gemessen, hFE2 bei Ic = 300 mA. In anständigen Datenblättern gibt es ein extra Diagramm für hfe als Funktion von Ic. > Als BSP BC337, der kann theoretisch so um 800mA schaffen > (wahrscheinlich eher so um 700mA) ??? Wenn bei den Grenzwerten ("Absolut maximum ratings") ein Kollektorstrom IC = 800 mA angegeben ist, dann sind auch 800.00 mA zulässig. Dass man das i.d.R. nicht ausnutzen sollte, steht auf einem anderen Blatt - aber "schaffen" wird es der Transistor allemal. (Der Transistor "schafft" sogar noch wesentlich mehr - aber das hat dann für ihn tödliche Folgen...) > Man kann aber auch durch C-E nur 20mA durchjagen. Sicher, richtig. Und? > Oder nimmt man immer der kleinste Wert? Man orientiert sich am Wert für den Kollektorstrom, der in der geplanten Anwendung fließen wird. Wenn Du also mit diesem Transistor 100 mA schalten möchtest, kannst Du für die weitere Rechnung von hfe = 100 ausgehen. Wenn Du 300 mA schalten möchtest, solltest Du nur hfe = 60 ansetzen, und wenn Du z.B. 600 mA schalten möchtest, vielleicht nur mit (geschätzt) hfe = 40 rechnen. Für andere Transistortypen gelten natürlich andere Werte.
Christian schrieb: > Jetzt halt die Frage, wo genau finde ich den? Ich nehme an, > dass es hFE wäre. Ja. "hfe" ist die Vorwärts-Stromverstärkung in Emitterschaltung. h - "Hybridparameter" (--> Vierpoltheorie) f - "forward" e - "emitter" > Unter hFE Classification: In der oberen Zeile sind warscheinlich > die Spannung 16,25 und 40v angegeben Nein! Das sind die Ausmessgruppen für die Stromverstärkung. "16" steht für "ungefähr 160fach" (Bereich 100 - 250), "25" steht für "ungefähr 250fach" (Bereich 160 - 400), und "40" steht für "ungefähr 400fach" (Bereich 250 - 630). > und was sind dann hFE1 und hFE2. Habe ich in meinem vorigen Beitrag schon erklärt. > Oder ist hFE1 unsere Stromstärke aus dem Collector? Nein, nie! Niemals!
den Datenblatt ist von FAIRCHILD und dort gibt es keine Diagramme. Achso d.h. hFE1 und hFE2 sind quasi 2 Punkten (1-Vce=1v, Ic=100mA und 2-Vce=1, Ic=300mA), bei denen die Messungen durchgeführt wurde und anhand von denen wurde die Tabelle hFE Classification erstellt. Muss man den Wert immer Anhand von einer Tabelle schätzen? oder gibt es vielleicht eine Formel mit deren man den Wert genau ausrechnet? Kennt jemand vielleicht einen BSP, wo es genau berechnet wurde, am besten noch im Bezug auf irgendeinen Datenblatt (Bauteil). Am liebsten nicht im Form einer trockenen Theorie, sondern ein BSP mit dem Lösungsweg.
Wie gesagt: für h_FE ist immer individuell. Für jeden Kollektorstrom verschieden und vor allem einer großen Exemplarstreuung unterworfen. Da müsste der Hersteller schon jeden Transistor ausmessen. Das ist aus naheliegenden Gründen wenig sinnvoll. Wenn man den Transistor in Sättigung betreiben kann, nimmt man einfach ein zu kleines h_FE an und schaut ob man den resultierenden Basisstrom aufbringen kann. Sind die 10mA denn für dich in Ordnung?
Noch mal DANKE an alle Beteiligten Die Werte (hFE) liegen bei 60-630, d.h. je größer der Wert desto größer wird ein Widerstand gewählt und desto weniger Strom lässt er durch. Das kann z.B. vorteilhaft sein, wenn das Steuergerät nur wenig Strom auf Pins verträgt. Dass es bei dem Faktor 60 immer durchschaltet, habe ich schon kopiert. Das Einzige, was ich noch nicht verstehe, ob der Transistor auch bei kleineren Strömen durchschaltet z.B. Wenn ich jetzt 800mA C-E nehmen, dann z.B. durch 170 teile, kommt dabei 4,7 mA Dann 5v - 0,7 (sättigungsvoltage)=4.3v R=4,3/0,0047A=915 Ohm Wird der Transistor überhaupt bei der solchen Stromstärke (4,7mA oder gar bei 630 = 1,3mA) durchschalten oder man kann es nur durch Rumprobieren rausfinden? PS: Und die Sättigungsvoltage (Vce(sat)) ist immer im Datenblatt eingegeben? oder sollte man es auch per Hand ausrechnen (optimieren)? 0,7V ist doch max, d.h. es könnte auch kleiner sein oder etwa nicht?
lächler schrieb: > Was wäre denn ein "unechter" Transistor? Ein TO-3-Gehäuse in dem ein BC547 verbaut ist und der mit MJ15026 bedruckt ist. So ähnlich wie ein 4700µF-Kondensator mit aufgedruckter Spannungsfestigkeit von 40V in dem ein Kondensator selber Kapazität steckt, der aber nur 16V Spannungsfestigkeit hat. Lässt sich beliebig kompliziert treiben und auch 4-fach-Operationsverstärker in denen nur 2 funktionieren.
Christian schrieb: > Noch mal DANKE an alle Beteiligten die haben sich alle solche Mühe gegeben, aber du dankst es nicht: > Die Werte (hFE) liegen bei 60-630, welche Werte für was und wen? (mal so diffus) JA > d.h. je größer der Wert desto größer > wird ein Widerstand gewählt welcher Widerstand, der Basiswiderstand, der Collectorwiderstand der Emitterwiderstand? > und desto weniger Strom lässt er durch. Ist Stromfluss nicht auch eine Folge von Spannungsdifferenz? nur mit dem R erklärt sich das nicht. > Das kann z.B. vorteilhaft sein, wenn das Steuergerät nur wenig Strom auf > Pins verträgt. > Dass es bei dem Faktor 60 immer durchschaltet, habe ich schon kopiert. ist das wirklich so, schaltet der dann durch oder fängt er gerade an zu leiten? ist also noch eine Ecke weg von Uce sat > Das Einzige, was ich noch nicht verstehe, ob der Transistor auch bei > kleineren Strömen durchschaltet z.B. welche kleineren Ströme? Basis, Collector ? (bitte benenne doch was du meinst, hellsehen kann keiner) > Wenn ich jetzt 800mA C-E nehmen, dann z.B. durch 170 teile, kommt dabei > 4,7 mA > Dann 5v - 0,7 (sättigungsvoltage)=4.3v > R=4,3/0,0047A=915 Ohm üblicherweise kommt ein Transistor nur in die Sättigung wenn er massiv übersteuert wird (all you can eat) deswegen rechnet man nicht mit der einfachen Stromverstärkung oder wenn dann nimmt man diesen gerechneten Strom x3 oder x5 -> IC = 0,8A / ß oder hfe 170 -> 4,7mA das mal 3 bis 5 für die Sättigung -> 15-25mA > Wird der Transistor überhaupt bei der solchen Stromstärke (4,7mA oder > gar bei 630 = 1,3mA) durchschalten oder man kann es nur durch > Rumprobieren rausfinden? durchschalten wird er so nicht, er wird wohl Strom fliessen lassen, aber lange nicht in der Sättigung sein. > PS: Und die Sättigungsvoltage (Vce(sat)) ist immer im Datenblatt > eingegeben? oder sollte man es auch per Hand ausrechnen (optimieren)? > 0,7V ist doch max, d.h. es könnte auch kleiner sein oder etwa nicht? schon wieder eine Angabe ohne Bauteilbenennung, was soll man da antworten? ja/nein/vielleicht? such dir was aus.
@Joachim B. Es geht nach wie vor um BC337, etwas weiter oben habe ich sowohl die Schaltung als auch die Tabelle aus dem Datenblatt von BC337 hinzufügt "welcher Widerstand, der Basiswiderstand, der Collectorwiderstand der Emitterwiderstand?" -Na welchen wohl, natürlich von Basis. "welche kleineren Ströme? Basis, Collector ? (bitte benenne doch was du meinst, hellsehen kann keiner)" - Basis, was den sonst. Das muss ich doch nicht extra 100 mal aufschreiben. "üblicherweise kommt ein Transistor nur in die Sättigung wenn er massiv übersteuert wird (all you can eat) deswegen rechnet man nicht mit der einfachen Stromverstärkung oder wenn dann nimmt man diesen gerechneten Strom x3 oder x5 -> IC = 0,8A / ß oder hfe 170 -> 4,7mA das mal 3 bis 5 für die Sättigung -> 15-25mA" -Aha ok, woher kommt dieser Faktor 3-5? Gibt es eine Formel dafür? d.h. wenn ich z.B. I_c 800mA (12v) dann durch Faktor (hFE) z.B. 60 teile , kommt 13,3mA . Dann wie du schreibst, multipliziert man es mit 3 -5. Da kommt jede Menge dabei raus. 3=40mA, 4=53mA, 5=66mA. Ist das nicht etwas zu viel des Guten?
Christian schrieb: > Das Einzige, was ich noch nicht verstehe, ob der Transistor > auch bei kleineren Strömen durchschaltet z.B. Ach DER! Ja, DER schaltet bei kleinen Strömen, aber DER da nicht! "Wenn ich einen Apfel im Garten pflücke - werde ich davon satt?" - Naja, das hängt sowohl von Deinem Hunger als auch von der Größe des Apfels ab, nicht wahr? Und die Größe des Apfels wiederum hängt nicht nur an der Sorte, sondern auch am Boden, der Witterung und dem Zufall. Deine Fragestellung ist unsinnig; deshalb kann man keine gute Antwort geben. Die allermeisten Kennwerte von Transistoren sind nicht nur temperatur- und spannungs- abhängig, sondern streuen auch von Exemplar zu Exemplar. Nimm fünf verschiedene Transistoren desselben Typs, und Du wirst fünf verschiedene Stromverstärkungen messen. Nur ganz wenige Kenngrößen sind recht genau vorhersagbar (die Steilheit gehört z.B. dazu, oder die Basis-Emitter- Spannung). > Wenn ich jetzt 800mA C-E nehmen, dann z.B. durch 170 > teile, kommt dabei 4,7 mA Nie im Leben. Bei 800 mA verstärkt das Ding nicht mehr 170fach. Du musst froh sein, wenn 100fache Verstärkung erreicht wird. > Wird der Transistor überhaupt bei der solchen Stromstärke > (4,7mA oder gar bei 630 = 1,3mA) durchschalten Löse Dich mal bitte von dem "Durchschalten". Bipolartransistoren sind stromgesteuert; ein bestimmter Basisstrom hat einen bestimmten Kollektorstrom zur Folge. Erhöhst Du den Basisstrom um 10%, erhöht sich auch der Kollektorstrom um UNGEFÄHR 10%. Das geht solange, bis der Transistor in der Sättigung ist, d.h. bis der Strom aufgrund der äußeren Beschaltung nicht weiter steigen kann. Dann sagt man, der Transistor ist "durchgeschaltet". Der Faktor, um den der Kollektorstrom größer ist als der Basisstrom, ist die Stromverstärkung. Gewöhne Dich daran, dass Du diesen Faktor NICHT genau kennst! Ach so... um Deine Frage zu beantworten: Wenn Dein Transistor 200fach verstärkt, und Du schickst 0.05 mA in die Basis, dann fließen 10 mA durch den Kollektor. Ja. Das ist so. > oder man kann es nur durch Rumprobieren rausfinden? Ja. Das ist aber unsinnig. > PS: Und die Sättigungsvoltage (Vce(sat)) ist immer im > Datenblatt eingegeben? In der Regel steht ein Maximalwert im Datenblatt, ja. > oder sollte man es auch per Hand ausrechnen (optimieren)? Daran kannst Du nichts optimieren; das ist ein Kennwert des Transistors - der gilt aber nur für die Messbedingungen, die im DaBla stehen. Du kannst höchstens einen dickeren Transistor wählen, denn Ic * Vce_sat ist die Verlustleistung, die am Transistor abfällt und ihn ins Schwitzen bringt. > 0,7V ist doch max, d.h. es könnte auch kleiner sein oder > etwa nicht? Ja. Bei geringen Kollektorströmen IST Vce_sat auch deutlich kleiner. 500 mA ist für so einen kleinen TO92-Transistor schon relativ viel; da sind seine Daten nicht mehr so dolle.
Christian schrieb: > Es geht nach wie vor um BC337, etwas weiter oben habe ich sowohl die > Schaltung als auch die Tabelle aus dem Datenblatt von BC337 hinzufügt > -Aha ok, woher kommt dieser Faktor 3-5? Gibt es eine Formel dafür? Wissen aus der Praxis als Pengwert, nicht absolut gültig und nie am Rand. > d.h. wenn ich z.B. I_c 800mA (12v) dann durch Faktor (hFE) z.B. 60 teile > , kommt 13,3mA . Dann wie du schreibst, multipliziert man es mit 3 -5. > Da kommt jede Menge dabei raus. 3=40mA, 4=53mA, 5=66mA. Ist das nicht > etwas zu viel des Guten? aha da ist es wieder: VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage -> IC = 500 mA, IB = 50 mA 0.7V wie wir sehen ist schon bei 500mA für VCE sat der IB bei 50mA d.h. du hast gerade mal eine Stromverstärkung von 10 für Sättigung, bei 800mA gehts noch weiter runter, du kannst also an den Transistorgrenzen niemals mit einer Verstärkung von 60 rechnen, nicht mal mit 10, für 800mA gibt es zu Recht nicht mal Angaben, ich habe noch Transistoren in Erinnerung die erreichen bei IC max gerade mal eine Verstärkung von 1.
"Nie im Leben. Bei 800 mA verstärkt das Ding nicht mehr 170fach. Du musst froh sein, wenn 100fache Verstärkung erreicht wird." Genau das wollte ich erfahren und wie kommt man auf diese Zahl (hFE)? Warum gerade 100 und nicht 120 oder gar 80?
Christian schrieb: > -Aha ok, woher kommt dieser Faktor 3-5? Gibt es eine Formel > dafür? Nein, wüsste ich nicht. Der Faktor 3...5 ist ein Erfahrungswert. > d.h. wenn ich z.B. I_c 800mA (12v) dann durch Faktor (hFE) > z.B. 60 teile, kommt 13,3mA. Ja. > Dann wie du schreibst, multipliziert man es mit 3 -5. Ja. > Da kommt jede Menge dabei raus. 3=40mA, 4=53mA, 5=66mA. Ja :-) > Ist das nicht etwas zu viel des Guten? Jein... Folgendes: 1) Bipolartransistoren haben einen bestimmten optimalen Kollektorstrom. Dieser ist typabhängig. Bleibt man unter dem optimalen Kollektorstrom, wird der Transistor nur geringfügig schlechter. (Die Stromverstärkung nimmt langsam ab, die Transitfrequenz sinkt deutlich.) Überschreitet man aber den optimalen Kollektorstrom, wird der Transistor ziemlich drastisch schlechter: Die Stromverstärkung geht schnell in den Keller, und auch die Transitfrequenz wird schnell schlechter. Folgerung: Man bleibt lieber UNTER dem optimalen Strom, als ihn zu überschreiten. Einem Transistor, der maximal 800 mA aushält, mutet man HÖCHSTENS 400 mA zu. Oder anders formuliert: Man wählt den Transistor lieber zu groß als zu klein. Siehe dazu z.B. http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand 2) Die Angaben zur Stromverstärkung im DaBla sind entweder a) MINDESTWERTE oder b) TYPISCHE Werte. Das Fairchild-DaBla zum BC337 ist gut - dort sind Mindestwerte angegeben. Für Ic = 300 mA findet man hfe = 60. Ich würde hier einen geringen Sicherheitsfaktor von 2 oder höchstens 3 wählen und mit einer hfe = 20...30 rechnen. Da kommt also eine Basisstrom von 10 mA ... 15 mA heraus. Wenn das DaBla nur TYPISCHE Werte für die Stromverstärkung angibt, sollte man den Sicherheitsfaktor erhöhen. 3) 800 mA schaltet man nicht mit einem Transistor, der MAXIMAL 800 mA aushält. Wenn man 800 mA schalten will, dann wählt man einen Transistor, der 2 A oder mehr aushält. Als willkürlich herausgegriffenes Beispiel: Der MJE15030 von ONSEMI (erhältlich z.B. bei Reichelt) hat im Bereich bis 3 A eine Mindest-Stromverstärkung von 40. Das Diagramm (Figure 9 auf Seite 4) sagt, dass bei Ib = 40 mA Vce_sat = 0.2 V erreichbar ist.
Mir geht es nicht direkt um 800mA durchzuschalten. Eher die Grenze zu kennen bei dem man einen Transistor normal betreiben könnte. Und da es immer wieder in diversen Tutorials, wo solche standart Typen (BC337, BC 547 usw) genutzt werden, schon einen fertigen Wert für Ib oder Basis Widerstand genannt wird, nicht aber wie sie dazu kommen. Deswegen wollte ich es halt wissen, aber es war anscheinend nur die Spitze eines Berges und weiter unten geht es richtig zur Sache. Ob jetzt bei Versuchen ein oder anderen Transistor daran glauben muss, ist nicht wirklich ein Problem. Aber einen Mikrocontroller, mit dem es gesteuert wird, würde ich gerne schützen.
Christian schrieb: > "Nie im Leben. Bei 800 mA verstärkt das Ding nicht > mehr 170fach. Du musst froh sein, wenn 100fache > Verstärkung erreicht wird." > > Genau das wollte ich erfahren und wie kommt man auf diese > Zahl (hFE)? Erfahrungsbedingter Schätzwert :) > Warum gerade 100 und nicht 120 oder gar 80? Weil 100 eine glatte Zahl ist, 120 oder 80 aber nicht! :) Löse Dich mal bitte von diesem Zahlenfeteschismus. Der Wert ist eine grobe Schätzung. Folgendes: Betrachte die Tabelle "hfe Classification". Die Minimalwerte für hfe1 sind dort 100, 160 und 250. Diese Werte gelten für 100 mA. Für 300 mA sind angegeben: 60, 100, 170. Die 300-mA-Werte sind also ca. 60% der 100-mA-Werte. Wenn man jetzt mit demselben Faktor 60% von 300 mA auf 900 mA extrapoliert, erhält man 36, 60 und 102. Als Tabelle: 100 mA 100 160 250 300 mA 60 100 170 900 mA 36 60 102 Das ist völlig unwissenschaftlich, sagst Du? Ja, richtig :)
Ok, danke dir. Ich studiere halt Informatik und mit solchen Sachen hatte ich bis jetzt nicht zu tun. Das Einzige, was uns erklärt wurde, wie theoretisch so ein Transistor funktioniert. Und da mich nicht nur das Programmteil interessiert, versuche jetzt die Grundlagen aufzubauen. Zuerst Transistor, dann wahrscheinlich Mosfet, danach Relays (zwischen durch Dioden, Spulen usw.) Ps: Dann versuche ich jetzt die ganze Information zu verdauen ;)
Christian schrieb: > Mir geht es nicht direkt um 800mA durchzuschalten. Eher > die Grenze zu kennen bei dem man einen Transistor normal > betreiben könnte. Ja... ich denke, ich habe Dich schon richtig verstanden. Der Artikel http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand beschreibt das schon ganz richtig: Der Transistor sollte MINDESTENS doppelt so viel aushalten können, wie man schalten möchte. Wenn er drei- oder fünfmal soviel verträgt, schadet das auch nicht. Das Problem ist: Trotz aller Unterschiede haben viele Bipolartransistoren grundsätzlich ähnliche Kennlinien. Mit etwas Erfahrung weiss man, in welchem Bereich der Transistor "gut" und ab wo er "schlecht" ist. Das kann man einem anderen aber nur relativ schlecht erklären, weil dazu relativ viel Grundlagenwissen notwendig ist. > Und da es immer wieder in diversen Tutorials, wo solche > standart Typen (BC337, BC547 usw) genutzt werden, schon > einen fertigen Wert für Ib oder Basis Widerstand genannt > wird, nicht aber wie sie dazu kommen. Ja... das ist der Fluch des impliziten Wissens: Man weiss, wie es geht, kann es aber nicht erklären... :) > Deswegen wollte ich es halt wissen, aber es war anscheinend > nur die Spitze eines Berges und weiter unten geht es richtig > zur Sache. Hihi... :) Ja, das ist richtig. Wenn man ungefähr weiss, wie der Bipolartransistor physikalisch funktioniert, kann man auch die teilweise sehr mageren Daten- blätter interpretieren - und dann weiss man auch, was ein bestimmter Transistor im Schalterbetrieb leisten kann. Ohne das Hintergrundwissen wird das sehr viel schwieriger.
Christian schrieb: > Ok, danke dir. Ich studiere halt Informatik Ohh... das kommt in den besten Familien vor :) > und mit solchen Sachen hatte ich bis jetzt nicht zu tun. > Das Einzige, was uns erklärt wurde, wie theoretisch so > ein Transistor funktioniert. Hmmja... Also, Du solltest nicht vergessen, dass auch Elektrotechnik ein richtiges vollständiges Studium ist. :) Das ist ein riesengroßes Feld. > Und da mich nicht nur das Programmteil interessiert, versuche > jetzt die Grundlagen aufzubauen. Zuerst Transistor, dann > wahrscheinlich Mosfet, danach Relays (zwischen durch Dioden, > Spulen usw.) Das ist sehr löblich. Hardware-Leute sind sehr dankbar, wenn die Software-Menschen mit den Gesetzen von Ohm und Kirchhoff auch etwas anfangen können. > Ps: Dann versuche ich jetzt die ganze Information zu verdauen ;) Viel Erfolg. - Vor allem: Rom ist auch nicht in einem Tag erbaut worden. Ich weiss nicht, ob es Dir hilft, aber ich finde den Tietze/Schenk ("Halbleiter-Schaltungstechnik") sehr brauchbar. Dort sind die wesentlichen Kernpunkte der Theorie in einer für mich nützlichen Reihenfolge dargestellt.
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