Guten Abend liebe Gemeinde, schon oft habe ich hier kompetente Hilfe erhalten - nun ist es wiedereinmal soweit, dass ich welche benötige :) Es geht um den oben angehängten Schaltplan. An dem Punkt rechts von D1 liegen noch knapp 0,7V an. Nun hat eine Simulation ergeben, dass die Diode durchschaltet und der komplette Strom über diese Diode abfliest. Allerdings liegt an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors ja genau die gleiche Spannung an, sodass dieser auch durchschalten müsste. Wo liegt mein Denkfehler? Oder ist es nur Zufall, dass in meiner Simulation die Diode durchschaltet - und in Realität könnte es durch Bauteiltoleranzen anders aussehen? Trotzdem wird mir nicht klar, warum nicht beide (Diode und Transistor) durchsteuern. Ich hoffe ihr könnt mir helfen! Liebe Grüße und Schönen Abend noch!
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EinGast schrieb: > Trotzdem wird mir nicht klar, warum nicht beide (Diode und Transistor) > durchsteuern. Das liegt an den Kennlinien der Bauelemente.
Aber müsste der Transistor auf Grund der anliegenden Spannung nicht auch leitend werden, sodass sich der Strom aufteilt?
Der Strom wird sich schon aufteilen, es fließt also Strom sowohl durch die Diode als auch den Transistor. Wie viel hängt von den Bauteiltypen und deren Temperatur ab. Die Flusspannung der Dioden Transistoren ist nicht immer gleich - die 1N4148 hat z.B. bei gleichem Strom eine deutlich höhere Flussspannung als die 1N4001. In den extremen kann da auch weniger als 1 % für die eine oder andere Seite über bleiben. Durch die Eigenerwärmung wird sich das dann vermutlich auch noch weiter verschieben.
EinGast schrieb: > Aber müsste der Transistor auf Grund der anliegenden Spannung nicht auch > leitend werden, sodass sich der Strom aufteilt? Nur wenn alles ideal wäre. In der Realität schaltet entweder die Diode oder der Transistor durch und wird warm. Die Durchlassspannung sinkt, dadurch wird das "kalte" Bauteil immer weniger/nie durchschalten. Aus dem Grund funktioniert es z.B. auch nicht 2 Dioden parallel zu schalten um den doppelten Strom durchlassen zu können.
Nimm ein echtes Transistormodell (BC547C...) und nicht nur den Default "PNP". Ein paar µA Basisstrom und daher auch ein Kollektorstrom sollten dann zu messen sein (in manchen DB gibt es UBE/Ic bzw. UBE/Ib Kennlinien).
Vielen Dank schonmal dafür! Aber hmmpf, das Stellt mich jetzt vor ein Problem und zwar: Ich verwende folgende Schaltung aus dem Elektronik Kompendium: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/dig/schalt/02060211.gif Ich schalte, je nach Situation, eine, beide oder keine der Dioden gegen Ground. An Ausgang Q möchte ich einen Transistor Schalten. Nun möchte ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden (oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind). Wie ließe sich das am einfachsten bewerkstelligen? Liebe Grüße!
Du könntest z.B. noch einen Spannungsteiler vor die Basis schalten, oder Du schaltest noch eine Diode in die Emitter-Leitung.
Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand? Wenn eine Diode gegen Ground geschaltet ist, fällt die Durchlassspannung am Widerstand und der Basis-Emitterdiode ab. Wenns richtig dimensioniert ist, fällt zu wenig am Transistor ab -> geschlossen. Aber vll gehts auch besser/einfacher.
Thomas E. schrieb: > Du könntest z.B. noch einen Spannungsteiler vor die Basis schalten, oder Das wird mir jetzt gerade nicht so ganz klar...? Flo schrieb: > Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand? Den Basiswiderstand habe ich schon, es ist der R der zwischen Ub und Q liegt ( http://www.elektronik-kompendium.de/sites/dig/schalt/02060211.gif ) Ich Frage mich gerade, ob ich Schottky Dioden für D1 und D2 nehmen könnte. Würden diese nicht "früher" leitend werden und damit dem Transistor den Strom "klauen" ? Vielleicht sehr laienhaft ausgedrückt, aber ich denke, ihr versteht was ich meine. Liebe Grüße
EinGast schrieb: > ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht > durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden > (oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind). Ein MOSFET als Transistor (Ugsth>>Uf)? Flo schrieb: > Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand? Wie groß müsste dieser Widerstand sein, damit bei z.B. Ib=5µA, hfe=500 und damit Ic=2,5mA ein nennenswerter Spannungsabfall (300mV?) eintritt? Und funktioniert dann auch das Einschalten noch?
Hp M. schrieb: > So hat man das früher gemacht: > https://de.wikipedia.org/wiki/Diode-Transistor-Logik Hier würde mir der Spannungsteiler alleine aber auch nicht helfen, um dem Problem der 0,7V an der BE - Strecke (bei durchschalten der Dioden V1 / V2) entgegen zu wirken. Ist es nicht viel mehr so, dass die 2 Dioden V3 und V4 Ube "künstlich erhöhen". Das der Transistor erst durschalten kann, wenn ca. 2,1V hinter R1 anliegen, was aber bei dem Durchsteuern einer der Dioden V1 / V2 verhindert wird, da an diesem Punkt dann nur ca. 0,7V anliegen? Könnte man dann nicht sogar den Widerstand R2 weglassen (um meinem Problem entgegen zu wirken)? Und nochmal zurück zu der Idee Schottky Dioden (bei V1 u. V2) zu verwenden: EinGast schrieb: > Ich Frage mich gerade, ob ich Schottky Dioden für D1 und D2 nehmen > könnte. Würden diese nicht "früher" leitend werden und damit dem > Transistor den Strom "klauen" ? Könnte das klappen? Ich meine mich daran zu erinnern, soetwas mal gelesen zu haben... Liebe Grüße
EinGast schrieb: > Hier würde mir der Spannungsteiler alleine aber auch nicht helfen, Welcher Spannungsteiler denn? In der DTL-Schaltung ist doch gar keiner drin *), ebenso wie in der später gebräuchlichen TTL-Logik. https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor-Transistor-Logik Der Vorteil dieser Schaltkreise ist ja gerade, dass man die Ausgänge solcher Gatter ohne weitere Klimmzüge mit den Eingängen anderer Gatter aus der gleichen Serie verbinden kann. Man kommt so z.B. zu dem RS-Flipflop, das jdm. anders hier im Forum sucht, indem man zwei solche NAND-Gatter (oder auch NOR-Gatter) kreuzweise miteinander verbindet. Den Eingangspegel, bei dem die 1 | 0 Entscheidung stattfindet, hat man bei diesen Schaltkreuisen absichtlich auf etwa +1,4V erhöht, um eine gewisse Unempfindlichkeit gegen elektrische Störimpulse "Rauschen" auf den Signalleitungen zu bekommen. *) P.S.: R2 ist nicht Bestandteil eines Spannungsteilers, sondern beschleunigt das Abschalten des Transistors, wenn kein Stromm mehr über die Dioden V3,V4 kommt. Der Steuerstrom für den Transistor stammt ausschliesslich aus R1 und entfällt, sobald einer der Eingämge auf 0 gezogen wird.
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Wikipedia schrieb: > Wikipedia schrieb: >Wenn die Eingangsdioden V1 und V2 sperren (Eingänge auf High-Potenzial), so >fließt der Strom über den Widerstand R2, der mit dem Widerstand R1 einen >Spannungsteiler bildet. Die auf diese Weise erhöhte Spannung auf der Basis >des Transistors V5 führt zum Durchschalten des Transistors. Diesen Spannungsteiler meinte ich. Und irgendwie hilft mir deine Antwort gerade nicht bei der Lösung meines Problems (oder ich interpretiere sie falsch) und auf die Ideen meines Posts bezüglich Schottky Diode bzw. einfach nur die 2 Dioden in Durchlassrichtung zum Transistor geht die Antwort auch nicht wikrlich ein... Ich möchte nochmal betonen: Ich will hier weder frech noch undankbar erscheinen. Ich möchte einfach nur meine Unwissenheit auflösen.
EinGast schrieb: > Diesen Spannungsteiler meinte ich. Das ist aber falsch. Hast du mein P.S. gelesen? EinGast schrieb: > auf die Ideen meines Posts bezüglich Schottky Diode bzw. einfach nur > die 2 Dioden in Durchlassrichtung zum Transistor geht die Antwort auch > nicht wikrlich ein... Weil Schottky Dioden hier überflüssig sind und auch nicht ohne weiteres zu integrieren waren. Bei den späteren 74S.. und 74LS.. Serie hat man zwar Schottky Dioden verwendet, aber an einer ganz anderen Stelle, nämlich mit B und C des Transistors verbunden, um eine Sättigung des Transistors zu verhindern und so das Abschalten weiter zu beschleunigen.
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Wenn du eh schon LTspice hast, warum probierst du die verschiedenen Varianten nicht einfach aus? Vermutlich würde eine Diode in Serie zur Basis schon reichen, aber sicher ist sicher. Und R3 würde ich auf jeden Fall einbauen - damit wird die nicht nur der Reststrom abgeleitet, sondern der Transistor schaltet auch schneller ab.
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lebam schrieb: > Nimm ein echtes Transistormodell (BC547C...) und nicht nur den Default > "PNP". Was auch immer du unter "PNP" verstehst ... ;-) EinGast schrieb: > Nun möchte ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht > durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen Dann lieber wie im Anhang ...
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EinGast schrieb: > schalte, je nach Situation, eine, beide oder keine der Dioden gegen > Ground. An Ausgang Q möchte ich einen Transistor Schalten. Nun möchte > ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht > durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden > (oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind). Wie schon vor 50 Jahren :) Frage wurde ja schon beantwortet, aber wer spielt nicht mal gern ... Da gabs noch ein paar, mittelpraechtige logik http://www.4qdtec.com/dlc.html
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