Guten Abend, Bitte steinigt mich nun nicht. Ich habe gestern mehrer Stunden versucht die Grundlagen der Elektrizität zu begreifen. Dementsprechend niedrig ist also mein Fachwissen. Sinn der sache (von der Neugierde mal abgesehen) ist, das ich eine Schaltung bauen möchte. Diese Schaltung besteht aus einem Mikrocontroller welcher auf Befehl 5 Volt Schaltstrom erzeugt. Dieser wird durch einen Widerstand gedrosselt. Anschließend soll er einen (Logic Level) MOSFET transistor "schalten" also Leitfähig machen. Um eine größere Last (12V 5,8 A) gegen Gnd zu schalten Source ist an GND geschlossen Drain an (-) einen Abnehmer (Signalhorn) welcher 12 Volt und ca. 5,8 Ampere ver/braucht Der Abbnehmer (+) an +12 Zwischen Gate und Widerstand +5v kommt noch ein hochohmiger Wiederstand an GND um Gate wieder gegen 0 zu schalten sobald kein Schaltstrom mehr fließt. Ich habe zuerst das Prinzip eines Bipolaren Transistors verinnerlicht. Eine Npn Schaltung . Nur die Frage welche für euch sicher sehr simpel ist, ich jedoch keine Antwort finden. Bei einer Npn schaltung wird der Schaltstrom sozusagen verhundert facht (oder mehr Faktor steht dort immer im Datenblatt) bzw. der Transistor lässt das 100 fache des Schaltstromes fließen.(sofern nich schon übersteuert) Ich kann also ganz einfach berechnen welchen Wiederstand ich verbauen muss, um schaltstrom X zu erhalten welcher dann mittels Transistor, Last strom Y passieren lässt. Einfach durch 100 (ggf noch -Transistor Wiederstand ) Wie aber funktioniert das beim MOSFET ? Is es egal wie viel mA ich als schaltstrom verwende ? Welchen Wert verwendet man in diesem Fall am ehesten und warum ? Gibt es hier einen Ähnlichen Faktor, weshalb finde ich diesen nicht im Datenblatt bzw. wie ermittel ich diesen. Kurzum: Welcher Schalstrom muss an einem beliebigen Logic Level MOSFET gate anliegen damit 12v und 5,8 A Last geschaltet werden. Entschuldigung wenn euch eine solch einfache Frage beleidigt aber es ist mir wichtig und nirgendwo finde ich eine verständliche Antwort. Ich sehe immer einen Faktor zb 4,5 v bei dem der Mosfet langsam zu leiten beginnen soll. Ich habe doch aber vor und hinter dem Wiederstand 5 volt nur die mA kann ich verändern also die Menge der Freien Elektronen im Querschnitt pro Zeiteinheit nicht aber die Spannung sprich Kraft oder Geschwindigkeit der Elektronen (Volt) (Richtig? Wie gesagt bin erst dabei mir ein Grundverständiniss zu erarbeiten) Ja ich habe das Prinzip des Mosfet noch nicht ganz begriffen. Ein vergleich zum Bipolaren n-transistor wäre auch hilfreich. Vielen lieben Dank für eure Aufmerksamkeit und ggf Antwort. lg Tim
Tim schrieb: > Is es egal wie viel mA ich als schaltstrom verwende ? Fets sind Spannungsgesteurt, es fließt nur ein Gatestrom beim jedem Umschaltvorgang, da die Gatekapazität umgeladen werden muss. Im durchgeschalteten Zustand fließt in das Gate (fast) keinen Strom hinein.
Tim schrieb: > Wie aber funktioniert das beim MOSFET ? Er reagiert auf die SPANNUNG, 5V reichen dem LogicLevel zum vollen Einschalten. > Dieser wird durch einen Widerstand gedrosselt. Nö. Da durch den Widerstand vom uC zum MOSFET kein Strom fliesst, ist der Spannungsabfall am Widerstand 0, also wird da nichts gedrosselt. Man kann den Widerstand problemlos weglassen. > Bei einer Npn schaltung wird der Schaltstrom sozusagen verhundert facht > (oder mehr Faktor steht dort immer im Datenblatt) bzw. der Transistor > lässt das 100 fache des Schaltstromes fließen.(sofern nich schon > übersteuert) > Ich kann also ganz einfach berechnen welchen Wiederstand ich verbauen > muss, um schaltstrom X zu erhalten welcher dann mittels Transistor, > Last strom Y passieren lässt. > Einfach durch 100 (ggf noch -Transistor Wiederstand ) Nö. Du willst den Bipolartransistor voll durchschalten und nicht im Analogbetrieb mit mehreren Volt Spannungsabfall verhungern lassen. Der hFE Stromverstärkungsfaktor gilt nur im Analogbetrieb. Im Schaltbetrieb gilt die Stromverstärkung, die im UCEsat Diagramm steht, meist IB=IC/10. Daher taugen bipolare Transistoren für deine 5.8A nicht, dein uC liefert keine 580mA. > Drain an (-) einen Abnehmer (Signalhorn) welcher 12 Volt und ca. 5,8 > Ampere ver/braucht Hoffentlich ist noch eine (5A) Diode von Drain nach +12V, damit beim Abschalten der Signalhorns der Strom noch abfliessen kann, die Freilaufdiode.
Michael B. schrieb: > Nö. Da durch den Widerstand vom uC zum MOSFET kein Strom fliesst, ist > der Spannungsabfall am Widerstand 0, also wird da nichts gedrosselt. Man > kann den Widerstand problemlos weglassen. AUA!!! Natürlich fließt ein Strom vom µC zum MosFet. Und zwar so lange, bis die Gatekapazität umgeladen ist. Und das können je nach Impedanz der Spannungsversorgung und MosFet auch schon mal ein paar Ampere sein. Und damit dieser Strom den Ausgang des µC nicht zerstört, kommt da auch ein Widerstand hin, der so berechnet ist, das er den Gatestrom so weit begrenzt, das der maximal erlaubte Strom der Ausgangsstufe des µC fließt. Sonst bräuchte man in Schaltungen in denen große MosFet bei hohen Frequenzen zum Einsatz kommen, keine speziellen Treiberstufen, die die Leistung zum Schalten des MosFet aufbringen können. Wenn die Gatekapazität erst mal umgeladen ist, dann fließt immer noch ein Leckstrom, der aber in den meisten Fällen vernachlässigbar klein ist. Frank
Frank B. schrieb: > Und damit dieser Strom den Ausgang des µC nicht zerstört, kommt da auch > ein Widerstand hin, der so berechnet ist, das er den Gatestrom so weit > begrenzt, das der maximal erlaubte Strom der Ausgangsstufe des µC > fließt. Unsinn. Ein uC Ausgang begrenzt den Strom schon von ganz alleine, siehe Abschnüreffekt des (dortigen Ausgangs-) MOSFETs Dein Widerstand ist bloss ein Angstwiderstand. uC halten das aus. Was sie nicht mögen, ist, wenn viele Ausgänge in diesem strombegrenzenden Anschnüreffekt hängen, weil dann die Wärmeentwicklung zu hoch wird. Der kurzzeitige "Kurzschluss" durch das Umladen des Gates ist für keinen uC ein Problem. > Sonst bräuchte man in Schaltungen in denen große MosFet bei hohen > Frequenzen zum Einsatz kommen, keine speziellen Treiberstufen, die die > Leistung zum Schalten des MosFet aufbringen können. Die braucht man, wenn man SCHNELL umschalten will, so dass die 20mA des uC Ausgangs nicht ausreichend wären, und natürlich wenn man MOSFETs hat die 10V benötigen, weil sie kein LogicLevel sind. Das Wichtige, den Widerstand vom Gate nach Masse, damit der MOSFET aus ist so lange der uC den Pin noch als Eingang und damit hochohmig geschaltet hat, den hat er drin. Es gibt Gründe für Gate-Widerstände, die aber allesamt nichts mit der Strombelastbarkeit des Ausgangs zu tun haben und hier unrelevant sind: http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.1
Michael B. schrieb: > http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.1 Ich zitiere hier einfach mal den entsprechenden Absatz: >Wenn man nicht so schnell umschalten will (für Motoren und Glühlampen reicht >eine eher langsame PWM ab 100Hz die man so nebenbei softwareerzeugen kann) >kann man auf die Idee kommen, LogicLevel MOSFETs (also solche, die bereits >bei 4.5V soll durchgesteuert sind) direkt an einen PortPin eines uC oder >Ausgang eines CMOS-ICs zu hängen. Da aber das durchschalten beispielsweise >von +5V auf einen entladenen Kondensator (die Gate-Kapazität) wie ein >Kurzschluss wirkt, fliesst dann Strom ausserhalb des absolute maximum >ratings des ICs. Daher findet man an dieser Stelle oft einen Gate- >Widerstand um den Strom auf das erlaubte Maximum zu begrenzen. Allerdings >müsste der Gate-Widerstand um 220 Ohm haben, was selbst bei 100 Hz die >Umladezeit einer 1nF Gate-Kapazität schon deutlich beeinflusst, so daß >viele Entwickler den Widerstand auf 10 Ohm reduziern. Damit geht der >Ausgang doch in die Abschnürbereich und der Widerstand verhindert genau >nix. Die Ausgangsfets des µC sollen eben nicht in die Abschnürung geraten. Wenn man das ein mit geringer Frequenz macht, kann man Glück haben und die Ausgangsstufen überleben das eine Weile. Nicht umsonst stehen in den Datenblättern sogenannte absolute maximum ratings. Deiner Theorie nach schreiben die Hersteller diese also nur mal eben so zum Spaß in die Datenblätter rein? >DC Current per I/O Pin ................................ 40.0 mA >Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause >permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional >operation of the device at these or other conditions beyond those indicated >in the operational sections of this specification is not implied. Exposure >to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device >reliability
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Michael B. schrieb: > Frank B. schrieb: >> Und damit dieser Strom den Ausgang des µC nicht zerstört, kommt da auch >> ein Widerstand hin, der so berechnet ist, das er den Gatestrom so weit >> begrenzt, das der maximal erlaubte Strom der Ausgangsstufe des µC >> fließt. > > Unsinn. > > Ein uC Ausgang begrenzt den Strom schon von ganz alleine, > siehe Abschnüreffekt des (dortigen Ausgangs-) MOSFETs > > Dein Widerstand ist bloss ein Angstwiderstand. Nein, dieser Widerstand ist kein Angstwiderstand. Neben dem Begrenzen des Stromes durch die Ausgangsstufe des MC sorgt er auch dafür, das die Betriebsspannung des MC nicht einbricht dadurch, das er den Lade- und Entladestrom des Gates auf vernünfitge (und berechenbare) Werte begrenzt. Wir hatten gerade einen Kandidaten, der ganz zum Schluss 'gestanden' hat, das er seine wacklige Schaltung aus dem USB Port eines Rechners gespeist hat. Kein Wunder ist es dann, wenn bei einer Spitze von z.B. 20mA Gatestrom die Speisung einbricht.
Simpliziert kannst Du einen FET am Ausgang erst mal als Kondensator betrachten. Beim Übergang von low auf high wird der Kondensator geladen. Ist der Bursche aber granatenvoll, geht nichts mehr rein. Umgekehrt sieht es beim Übergang von high auf low aus. Da wird der Kondensator entladen. Viele Probleme sind mit dieser zurechtgestümperten Sichtweise lösbar. Schau' auch mal in die Artikelübersicht. Da werden so Sachen wie das richtige Schalten - auch von Induktivitäten - beschrieben.
Man sollte vielleicht noch erwähnen, dass die Dauer des Ladestromes im (einstelligen) Mikrosekundenbereich liegt. Wenn bei so einem kurzen Puls die Speisung einbricht, hat man wohl an den Abblockkondensatoren gespart. Manche tun hier so, als wenn wegen dem Umladestrompules der Controller, das Board, das Zimmer, das Haus und der Stadtteil sofort unter lautem Knall in Flammen aufgehen. Mach einen 220 Ohm Widerstand in die Gatezuleitung und gut ist. Und falls die Last induktiv ist (Relais oder Motor) vergiss bloss die Freilaufdiode nicht.
Tim schrieb: > Bitte steinigt mich nun nicht. Keine Bange, bin selbst auch nur einfacher Bastler. > Source ist an GND geschlossen > Drain an (-) einen Abnehmer (Signalhorn) welcher 12 Volt und ca. 5,8 > Ampere ver/braucht Source an Ground ist (beim N-Kanal) schonmal gut, ansonsten wäre ein Schaltplan hilfreich, da "Drain an (-)" wieder verwirrend ist. Ich denke aber, du meinst dein "Abnehmer" sitzt zwischen Drain des FETs und der positiven Versorgungsspannung, der Transistor fungiert also als sogenannter Low-Side-Schalter. Richtig? > Zwischen Gate und Widerstand +5v kommt noch ein hochohmiger Wiederstand > an GND um Gate wieder gegen 0 zu schalten sobald kein Schaltstrom mehr > fließt. Ein Pulldown vom Gate nach Ground also. Gut. > Nur die Frage welche für euch sicher sehr simpel ist, ich jedoch > keine Antwort finden. Wie sagt der Kaiser? "Schaun' ma amoi!" > Ich habe zuerst das Prinzip eines Bipolaren Transistors verinnerlicht. > Bei einer Npn schaltung wird der Schaltstrom sozusagen verhundert facht Genau, im Linearbetrieb beim Bipolartransistor kommt das so hin. > Ich kann also ganz einfach berechnen welchen Wiederstand ich verbauen > muss, um schaltstrom X Ja, in dem Fall kann man den Basis-Vorwiderstand berechnen. > Wie aber funktioniert das beim MOSFET ? Komplett anders! Ein Mosfet bruacht keinen Strom am Gate, damit die Drain-Source-Strecke leitend wird. Das Gate ist ein Kondensator, je mehr geladen, desto leitfähig. > Is es egal wie viel mA ich als schaltstrom verwende ? Da es bei dir um eine Schaltanwendung geht (du willst ja deinen "Abnehmer" das Signalhorn nur ein- oder ausschalten), kann man grundlegend sagen: je mehr desto besser. In dem Bereich zwischen "Gatekapazität ungeladen, Mosfet sperrt" und "Gatekapazität vollständig geladen - Mosfet leitet so gut wie er kann" ist nämlich genau der kritische Bereich, in dem am Meisten Leistung über den Fet verbraten wird. Dazu kommt, dass viele Mosfets für den Linearbetrieb nicht sonderlich gut geeignet sind, da es sich im Prinzip um eine Parallelschaltung vieler kleiner Mosfets auf einem Halbleiter- chip handelt. HEXFET von IRF wäre da das paradestichwort, falls dich die Bauelementthematik interessiert. Da kann es dann zu dem Effekt kommen, dass im Linearbetrieb einer der vielen tausenden Mosfets in dem einem Chip wärmer wird als seine Nachbarn. Beim Mosfet ist es dann auch im Gegensatz zum Bipolartransistor noch dazu so, dass er, wenn er heisser wird besser leitet. Dann kriegt er noch mehr Strom, wird noch besser leitend und wird noch etwas heisser. Das geht so lange gut, bis er durchbrennt und sein nächstbester "wärmster Bruder" den Job des "heissesten Einzeltansistors im Chip" übernimmt. Da es aber innerhalb eines Bauelements nicht unendlich viele "nächstbeste warme Brüder" gibt, kann man absehen, dass da schnell ein Ende erreicht wird (und der FET abraucht). Das ist auch einer der Gründe, warum es in der selben Leistungsklasse viel weniger und nur teurere für Verstärkeranwendungen geeignete Feldeffekttransistoren gibt, als "Switscher" (Schalttransistoren). > Welchen Wert verwendet man in diesem Fall am ehesten und warum ? Prinzipiell Null Ohm, um die Gatekapazität möglichst schnell umzuladen, um eben möglichst bald aus dem "gefährlichen Bereich" zu kommen. Oft sieht man in einer Schaltanwendung zwar einen Gatewiderstand, der ist dann meistens für die Unterdrückung elektromagnetischer Emmissionen. Oft ist das bei Schaltnetzteilen so. Dort sind aber wesentlich höhere Schaltfrequenzen im Gange. Auch dort versucht man prinzipiell, das Gate möglichst schnell umzuladen, aber dort passiert das oft einige zig-tausende bis hunderttausende Male Pro Sekunde! Dazu reicht dann aber meistens auch nicht mehr der Strom, den ein Controller-Portpin liefern kann, sondern man setzt eine Treiberschaltung dazwischen. Die kann schnell viel Strom in das Gate pumpen bzw. heraussaugen. die Ansteuerung erfolgt also mit sehr steilen Flanken. Und wenn das so oft pro kurzer Zeiteinheit geschieht, dann kann es passieren, dass die Kombination aus Treiberschaltung, Leiterbahnweg zum Mosfet und Kapazität des FET-Gates einfach beginnt, "Funkstrahlen" auszusenden. Mit einem passend gewählten Gate-Vorwiderstand (oder oft besser mit einer passenden "Spule" bzw. Induktivität in Form einer Ferritperle) kann man die steilen Flanken etwas abrunden und das Ganze strahlt nicht mehr. Das ist dann aber auch wieder ein Kompromiss, weil man mit so einer "Eckenabrundung" wiederum das Gate nicht so schnell umladen kann, man daher also wieder länger im "Gefahrenbereich" ist. Da Du aber wahrscheinlich deine "Tröte" (ich nenn das mal jetzt salopp so) nicht tausendmal in der Sekunde ein- und ausschalten willst, ist das bei dir wohl eher nicht kritisch. Und da die Ausgangsstufe deines Controllers wohl auch keine Power-Treiberstufe ist, erübrigt sich das mit den "scharfen Kanten". > Gibt es hier einen Ähnlichen Faktor, weshalb finde ich > diesen nicht im Datenblatt bzw. wie ermittel ich diesen. Dehalb ist auch das da hinfällig: > Welcher Schalstrom muss an einem beliebigen Logic Level MOSFET gate > anliegen damit 12v und 5,8 A Last geschaltet werden. Empfehlenswert ist jedoch, dass Du eine grundlegende Verlustleistungs- Betrachtung machst. Und guck Dir mal die Diagramme im Datenblatt deines FETs an. Wenn du den MOSFET halbwegs schnell einschältst und nicht dauernd zwischen on und off hinundherschaltest, dann ist deine Verlustleistung über dem Mosfet praktisch nur vom RDS-On und vom Drainstrom abhängig. Wenn Du oft und langsam schaltest, dann kommen die oben genannten Effekte zu tragen. Falls Du's trotzdem genauer wissen willst, dann kann ich die Appnote 1158 von NXP empfehlen: "Understanding power MOSFET data sheets", siehe: http://www.nxp.com/documents/application_note/AN11158.pdf > Entschuldigung wenn euch eine solch einfache Frage beleidigt aber es > ist mir wichtig und nirgendwo finde ich eine verständliche Antwort. Kein Problem, gearde am Anfang wird man ja von der Materie erschlagen und sieht oft vor lauter Bäumen den Wald nicht mehr. > Ich sehe immer einen Faktor zb 4,5 v bei dem der Mosfet langsam zu > leiten beginnen soll. Meinst du damit die Threshold-Voltage? Achtung, sehr gefährlich! V_th (meist als typischer Wert angegeben) ist ein wert, bei dem der FET gradeso ein bisschen leitet. Die Drainströme, die sich da so ergeben sind meistens nur ein paar Milliampere, oft auch nur Microampere! Da steht dann beispielsweise bei einem Logic-Level-Fet V_GS(th) 2V, und durchrinnen tun 100uA! Das entspräche (ich weiss, so 1:1 umrechnen darf man das nicht, aber es ist ein Anhaltspunkt) einem R_DS von 20 KILO-Ohm - Und das, obwohl ganz oben am Datenblatt fett was von 20 MILLI-Ohm R_DS(on) steht. Der wert ist also eher wenig praxisrelevant und taugt eher als Vergleichswert zwischen ähnlichen Transistoren. lieber in's Datenblatt gucken auf das Diagramm V_GS vs. R_DS(on), da steht dann, dass die 20 mOhm bei 6 Volt V_GS bei 25 Grad gelten. Mein Beitrag ist zwar sehr lang geworden, ich hoffe aber doch, er hilft dir etwas. Gruss, MdB
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Fritz G. schrieb: > Manche tun hier so, als wenn wegen dem Umladestrompules der Controller, > das Board, das Zimmer, das Haus und der Stadtteil sofort unter lautem > Knall in Flammen aufgehen. Das jat doch nie einer gesagt. Aber wenn wegen so einem Problem eine ellenlange Diskussion entsteht, weil die Wackelschaltung wackelt, ist das nervig. > Mach einen 220 Ohm Widerstand in die Gatezuleitung und gut ist. Genau - das Leben kann so einfach sein. Mehr wurde ja auch nie verlangt. Das Dings kostet quasi nix und kann gleich dazu benutzt werden, um den MC mit dem MOSFet zu verbinden. Man spart also sogar ein Stückchen Draht oder Leiterbahn :-) Danke an Martin für die gute Erklärung!
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Matthias S. schrieb: > Fritz G. schrieb: >> Manche tun hier so, als wenn wegen dem Umladestrompules der Controller, >> das Board, das Zimmer, das Haus und der Stadtteil sofort unter lautem >> Knall in Flammen aufgehen. > > Das jat doch nie einer gesagt. Ach komm! Du erzählst hier die gleiche Scheiße wie die anderen Merkbefreiten. Der Gatewiderstand ist ein Angstwiderstand. Denn der Grenzwert für den Strom pro Pin gilt natürlich nur für den statischen Fall. Stromspitzen liegen immer höner. Selbst ein offener µC-Ausgang arbeitet auf eine parasitäre Kapazität in der Größenordnung von ~ 1pF. Und wenn man Zeiträume von ein paar ps betrachtet, dann überschreitet der Ausgangsstrom die 40mA "absolute maximum" deutlich. So what? Krieg dich mal wieder ein! Die Betriebsspannung des µC wird mit wenigstens 100nF pro Stromversorgungsanschluß gepuffert. Wie weit soll denn deiner Meinung nach ein MOSFET-Gate von wenigen nF, das von einem µC-Ausgang mit ca. 50R Innenwiderstand umgeladen wird, auf die Betriebsspannung des µC rückwirken? Ca. gar nicht? Na so was! Bloß weil Frank B. und du jetzt geschnallt habt, daß ein MOSFET-Gate sich wie eine Kapazität von ein paar 100pF bis ein paar nF verhält, müßt ihr jetzt nicht gleich alle Neueinsteiger verunsichern. Habt ihr eigentlich noch alle Latten am Zaun?
Fritz G. schrieb: > Manche tun hier so, als wenn wegen dem Umladestrompules der Controller, > das Board, das Zimmer, das Haus und der Stadtteil sofort unter lautem > Knall in Flammen aufgehen. Gatetreiber gibts sogar mit 30A: http://ixysic.com/Products/IGBT-MOSFETDvr.htm soviel zu wenig Strom :-) Für den TP ist das im statischen Fall kein Problem, wenn er nur das Horn schalten will. Wenn er das Signalhorn beispielsweise mit einer 10kHz-PWM steuern möchte, sieht der Fall anders aus. Rechne doch mal nach, wie lange ein ATMEGA braucht, um 100nC aus seinem Port herauszudrücken. Sicher länger als 1µs. Letztlich schaltet man den FET mit einer Ladung im Gate. Und die muss da rein, wofür es Strom braucht. --> Es kommt immer drauf an, was man macht. --> Mit Bauernregeln braucht man in der Elektronik nicht anzurücken.
Es soll sogar Leute geben, die Gatewiderstände von einigen wenigen kOhm verbauen um die Flanken an der Last etwas weicher zu bekommen. Manch ein Halbleiterhersteller verschwendet sogar sinnlos Platz auf dem Chip für Slew Rate Control. Mann, müssen die bekloppt sein! Wer will schon nebenbei UKW-Radio hören ;-)
Karl schrieb: > Mann, müssen die bekloppt sein! Genauso wie die, die die 30A Gatetreiber kaufen, auch die sind total bekloppt. Weil wie soll der arme Treiber die 30A über ein par kOhm treiben? Ich zitire mich mal selber: --> Es kommt immer drauf an, was man macht. Übersetzt: Es gibt in der Elektronik eine so hohe Bandbreite an Anwendungen, dass pauschale Aussagen wie "es gibt keine hohen Gateströme" (ich habe sie als Bauernregeln bezeichent!) sinnlos sind. Schließlich macht es einen "geringfügigen" Unterschied, ob man 1µA statisch oder 1000A mit 100kHz schalten will.
WehOhWeh schrieb: > Wenn er das Signalhorn beispielsweise mit einer 10kHz-PWM steuern > möchte, sieht der Fall anders aus Nicht wirklich. 10kHz sind Kinderkram, auch für einen uC-Ausgang, rechne es einfach mal aus. Die 30A Gate-Treiber verwendet man für Frequenzen über 1MHz.
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