Hallo, wo kommt der "2te Knick" einer Diodenkennlinie her und wie lässt sich diesr physikalisch erklären? Gruß
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Ist ein Link auf das Datenblatt dieser speziellen Diode zuviel verlangt?
Es handelt sich um eine "Silicon epitaxial planar type": www.semicon.panasonic.co.jp/ds4/DA2JF80_E.pdf
Diode schrieb: > wo kommt der "2te Knick" einer Diodenkennlinie her und wie lässt sich > diesr physikalisch erklären? Da kommt man von der Silversterparty hein, schaut nichtsahnend ins Forum und dann so eine Frage... Diode schrieb: > Es handelt sich um eine "Silicon epitaxial planar type": Diese Bezeichnung bezieht sich nur auf den mechanischen Aufbau der Diode. (Schichtaufbau). Ist heute so ziemlich das verbreiteste was es gibt. Die bekannten Universaldioden 1N4001(...7) sind genauso Epitaxialtypen wie 1N4148 oder viele Z-Dioden usw... Und auch bei Transistoren/IC usw. ist das eine 0815 Herstellungsmethode... Das sagt also herzlich wenig über die Diode aus. NAch dem Datenblatt scheint das eine schnelle und gleichzeitig recht Spannungsfeste Diode zu sein die bei 800V immer noch mit 1A Pulsbelastung /200mA Dauerbelastung klarkommt. Bei einem Ct von 0,6pf (Die vom Spannungsbereich ähnliche 1n4007 liegt da mal locker Faktor 20 drüber) In diese Ausführung schon nicht mehr 0815 und daher schon wohl im Aufbau etwas besonders... Auch die hohe Vorwärtsspannung spricht da für einige Besonderheiten. Aber Anwendung ist wohl doch als Schaltdiode, daher sind das wohl tatsächlich Technologiebedingte Nebeneffekte und keine gewollten "Knickstellen" die gezielt hineindesignt worden sind. Daher: Mal ins Blaue geschossen, die Grundlagenvorlesung Halbleiterbauelemente liegt mittlerweile doch schon ein paar Jährchen zurück. Und es waren halt auch nur Grundlagen. Danach nur noch Anwendung. Könnte es vielleicht etwas mit der Reduktion der "mittleren freien Weglänge" zu tun haben? Ich meine da war etwas in der Richtung. Bei Metallen gibt es ja den Effekt das bei einer Ehöhung der Energie diese Strecke erst sinkt (mehr Kollisionen, wirkt sich Dämpfend aus) und dann wieder steigt. Würde man eine solche Kurve mit einer Kurve des Generationsprozesses überlagern, so könnte man je nach Skalierung eine Kurve ähnlich dem Datenblatt erhalten. Normalerweise ist der GEnerationsprozess aber derart überwiegend das man diesen Effekt bei Halbleitern wohl nicht beachten muss. Wenn man aber jetzt mal annimt das diese Diode einen besonderen Aufbau hat, z.b. besonders kleine PN Übergangsgangsfläche, dann KÖNNTE da vielleicht doch am ende ein deutlich sichtbarer Zusammenhang bestehen. Aber wie geschrieben: Ist nur eine Vermutung (von einem halb-Blauen) ins Blaue hinein. Aufgrund von "Damit man es mal gehört hat" in einer Vorlesung von vor vielen Jahren. Also mit VIEL Vorsicht zu genießen. Kann auch sein das da nur die Kombination von Müdigkeit und "geistreicher Getränke" aus mir spricht und ich mich morgen am Kopf packe ;-) Aber evtl. meldet sich hier ja noch einer der sich im Studium wirklich mit MAterialwissenschaften befasst hat und gesichertes Beitragen kann. Auch wenn das Wissen ums WARUM im Job oder Hobby jetzt nicht wirklich irgendwelchen Unterschied für die Anwendung der Bauteile macht (Man muss die Daten halt bewerten können, aber nicht wissen warum die Daten jetzt genau so sind wie sie sind), so bin ich doch neugierig geworden... Gruß Carsten
Der zusätzliche Knick bei mittleren Strömen könnte vom Widerstand eines schwach dotierten Bahngebiets kommen. Wegen der hohen Spannungsfestigkeit ist davon auszugehen das die Dotierung da eher klein ist, schon fast in Richtung PIN. Bei genügend Strom werde auch da dann so viel Minoritätsladungsträger eingeschwämmt dass die Leitfähigkeit steigt.
Ohne Gewährleistung: Im unteren Teil der Kennlinie (bis ca 1mA) ist der durch den Bahnwiderstand die Kontakte und die Bondung erzeugte ohmsche Spannungsanteil noch gering. Also der exponentielle Verlauf einer idealen Diode. Bei etwa 1mA biegt die Kennlinie nach rechts ab, weil da der Spannungsanstieg eine lineare Komponente hat, entsprechend einem ohmschen Widerstand, bedingt durch die Leitfähigkeit des Si-Materials ohne wesentliche Beteiligung von injizierten Trägern. Ab 100 mA steigert sich die Leitfähigkeit des Materials, durch die wachsende Trägerinjektion in die der Sperrschicht beachbarten Bereiche. Es beginnt wieder ein Stück entsprechend der e-Kurve. Bei noch höheren Strömen kommt wieder die "ohmsche" Kennline, dann bedingt durch die Zuleitungen zum Tragen.
Eine Diode mit 3,5V Flußspannung besteht aus mehreren Einzeldioden in Reihe und dann überlagern sich deren Kennlinien. Eine einzelne Si-Diode hat typisch 0,5 .. 0,7V Flußspannung.
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