Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Frage zu Spice Diodenmodell mit Temperaturabhängigkeit


von Simulant (Gast)


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Hallo,

ich habe hier ein PSPICE-Modell, welches offenbar aus einem 
Dioden-Modell 1N4148 und einem Widerstand R1 aufgebaut ist, welche beide 
zwischen den Knotenpunkten (1) und (2) liegen.
Wenn ich die Syntax richtig verstehe, dann wird das Diodenmodel 1N4148 
durch zusätzliche Parameter ergänzt, das scheinen die ganzen "+...Werte" 
zu sein,
soweit richtig?

Nun frage ich mich, ob das Modell der Diode einer Temperaturabhängigkeit 
unterliegt oder nicht...

Die Liste der zusätzlichen Parameter umfasst die Werte: TBV1, TBV2, 
TIKF, TRS1 und TRS2 NICHT.
Ist aber das Grundmodell der Diode trotzdem Temperaturabhängig, oder 
muss ich einen dieser zusätzlichen Werte eintragen, bevor ich eine 
Temperaturabhängigkeit beobachten können werde?

Wie würde ein Modell einer Diode mit Temperaturabhängigkeit aussehen?





*Simulator: PSPICE
*
*******************************************
*#
.SUBCKT 1N4148 1 2
*
* The resistor R1 does not reflect
* a physical device. Instead it
* improves modeling in the reverse
* mode of operation.
*
R1 1 2 5.827E+9
D1 1 2 1N4148
*
.MODEL 1N4148 D
+ IS = 4.352E-9
+ N = 1.906
+ BV = 110
+ IBV = 0.0001
+ RS = 0.6458
+ CJO = 7.048E-13
+ VJ = 0.869
+ M = 0.03
+ FC = 0.5
+ TT = 3.48E-9
.ENDS
*

von ArnoR (Gast)


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Simulant schrieb:
> Wenn ich die Syntax richtig verstehe, dann wird das Diodenmodel 1N4148
> durch zusätzliche Parameter ergänzt, das scheinen die ganzen "+...Werte"
> zu sein,
> soweit richtig?

Nein. Die angegebenen Parameter ersetzen die Default-Werte im Modell, um 
die Eigenschaften genau dieser Diode abzubilden.

Simulant schrieb:
> Nun frage ich mich, ob das Modell der Diode einer Temperaturabhängigkeit
> unterliegt oder nicht...
usw...

Warum simulierst du es nicht einfach? Hätte nur ein zehntel der Zeit 
gegenüber dem Aufschreiben der ganzen Fragen dazu gekostet.

von Simulant (Gast)


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Finde ich kein gutes Vorgehen. Ich möchte die Simulationsmodelle 
verstehen, bevor ich sie benutze und möchte anhand der Modelle erkennen, 
welche Simulationsergebnisse ich zu erwarten habe und zwar bevor ich 
simuliere. Es bringt mir nichts, auf den Knopf zu drücken und zu sehen, 
ob es abhängig ist oder nicht, sondern ich möchte beim Anlegen des 
Schaltplans schon wissen, ob meine Modelle der beabsichtigten Simulation 
gerecht werden oder nicht.

Wie öffne ich denn nun die Default-Werte der Diode 1N4148, damit ich 
sehen kann, ob dort eine Temperaturabhängigkeit berücksichtigt wird?

Alles was ich aus der Datei oben entnehme kann, ist dass offenbar die 
Default-Temperaturwerte nicht überschrieben sind... Ob es überhaupt 
berücksichtigt wird sehe ich bis hierin nicht...

von ArnoR (Gast)


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Scheinbar verstehst du die Sache nicht. Es gibt kein Default-Modell der 
1N4148, sondern ein Standard-Modell für Dioden. Da sind bestimmte 
Parameter-Werte drin. Wenn man eine bestimmte Diode modellieren will, 
ersetzt man diese Werte durch die der gewünschten Diode und erhält damit 
das gesuchte Modell. Auch die Temperaturabhängigkeit ist von den 
gewählten Parametern abhängig. Ob die für die gewünschte Diode stimmt, 
zeigt sich am besten durch Versuch und Vergleich mit dem Datenblatt.

Das ist überhaupt das Problem mit den Spice-Modellen. Die Theorie ist 
gut und die Modelle auch, nur die Parameter taugen oft nichts und daher 
gibt es immer wieder große Abweichungen zwischen Simulation und Praxis.

von Simulant (Gast)


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...nun natürlich verstehe ich die Sache nicht - noch nicht!
Ich bin ja auch erst dabei mich in die Thematik ein zu arbeiten.

Also arbeitet Spice mit dem Standardmodell "D" für Diode und ersetzt 
einfach spezielle Parameter, ebenjene, die nach den jeweiligen 
"+"-Zeichen ergänzt sind?
Wie aber kann ich nun abklären was im Standard-Modell als Default 
hinterlegt ist und hat einer von euch zufällig ein temperaturabhängiges 
Diodenmodell, anhand dem ich durch Vergleich weiter komme?

von ArnoR (Gast)


Angehängte Dateien:

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Hier habe ich mal ein passendes Beispiel zu der Problematik.

Im Simulator TINA gibt es verschiedene LED-Modelle, die alle einen 
identischen Wert von 3 für den Parameter "XTI/IS temp. exponent" haben. 
Damit ergibt die Simulation bei allen LEDs einen positiven 
Temperaturkoeffizienten der Flußspannung (grüne Kurve). Tatsächlich sind 
aber alle TK negativ. Das ergibt eine böse Überraschung, wenn man den TK 
zur Temperaturkompensation verwenden will.

Bei der CQX35 passt ein händisch geänderter Parameter-Wert von 40 ganz 
gut zur Realität (rote Kurve, etwa -2mV/K). Bei anderen LEDs muss ein 
anderer Wert eingesetzt werden.

von ArnoR (Gast)


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Simulant schrieb:
> Also arbeitet Spice mit dem Standardmodell "D" für Diode und ersetzt
> einfach spezielle Parameter, ebenjene, die nach den jeweiligen
> "+"-Zeichen ergänzt sind?

Ja.

> Wie aber kann ich nun abklären was im Standard-Modell als Default
> hinterlegt ist

Das steht in der Hilfe zu dem jeweiligen Simulator bzw. in dem Modell 
der "Diode", also keiner speziellen, sondern der Standard-Diode. Oder in 
entsprechenden Quellen wie hier:

http://ecee.colorado.edu/~bart/ecen4375/psphelp.htm

von Helmut S. (helmuts)


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In dem 1N4148-Modell sind die Temperaturparameter bereits in den 
Default-Werten enthalten die nicht in diesem Modell erwähnt werden.
Der paramter dafür heißt EG. Der steht vermutlich auch in PSPICE bei 
1.11

EG=1.11

Wenn du diesen Parametern mit in das Modell nimmst, dann kannst du den 
Temperaturkoeffizienten so anpassen, dass er dem Datenblatt oder deiner 
Messung entspricht. Das ist besonders bei LED-Modellen sinnvoll da deren 
EG-Wert deutlich von 1.11 abweichen.

Die + Zeichen am Zeilenanfang bedeuten, dass diese Zeile eine 
Fortsetzung der vorherigen Zeile ist. Damit kann man beliebig lange 
SPICE-Zeilen machen.

von Simulant (Gast)


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Hab gerade das Spice Manual überflogen.
Der Parameter "EG" wird dort als "activation energy" beschrieben.

Für Silizium nominal bei 1,11 und für Germanium bei 0,67
Das ist tatsächlich der Parameter für die Temperaturabhängigkeit?

von Helmut S. (helmuts)


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Ja.
Nimm eine 1mA Stromquelle und die Diode.
Dann simulieren mit den Kommandos unten. Damit bekommst du die 
Flussspannung für 0°, 20° u.s.w.
Jetzt mal EG auf z.B. 1.5 ändern und nochmals simulieren. Vergleiche die 
Änderung der Flussspannung über der Temperatur.

.OP
.TEMP 0 20 40 60 80 100

von hinz (Gast)


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Simulant schrieb:
> Hab gerade das Spice Manual überflogen.
> Der Parameter "EG" wird dort als "activation energy" beschrieben.

Ja, Freund Arrhenius lässt grüßen. Shockley hat da sozusagen 
abgekupfert.


> Für Silizium nominal bei 1,11 und für Germanium bei 0,67
> Das ist tatsächlich der Parameter für die Temperaturabhängigkeit?

Aber sicher doch.

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