Wozu die Isolationsschicht unter dem Gate bei MOS-Transistoren

[Hamza O. (lazooooo)]

Hallo Leute,

ich bin auf der Suche nach der Antwort, was die genaue Funktion der 
Isolationsschicht unter dem Gate bei einem MOS-Transistor ist. Immer 
lese ich, dass dieser vorhanden ist, aber eine eindeutige Funktion habe 
ich nicht rauslesen können.

Könnt Ihr mir da bitte helfen? Wofür sie gut ist, wieso es überhaupt 
einen an dieser Stelle gibt?


Danke,
Hamza

[Michael B. (laberkopp)]

Warum überhaupt einen Gate-Anschluss als dritten Anschluss,
wenn man ihn mit einem oder gar beiden der anderen Anschlüsse
Drain und Source direkt elektrisch verbindet ? Dann könnte man
doch den Gate-Anschluss einsparen. Das solltest du unbedingt
patentieren lassen.

[Herbert (Gast)]

Hamza O. schrieb:
> ich bin auf der Suche nach der Antwort, was die genaue Funktion der
> Isolationsschicht unter dem Gate bei einem MOS-Transistor ist.

Die Isolationsschicht macht das Gate überhaupt zum Gate. Durch das Gate 
lässt sich der Widerstand der Drain-Source Strecke variieren.

[Bit Wurschtler (Gast)]

Hamza O. schrieb:
> ich bin auf der Suche nach der Antwort, was die genaue Funktion der
> Isolationsschicht unter dem Gate bei einem MOS-Transistor ist. Immer
> lese ich, dass dieser vorhanden ist, aber eine eindeutige Funktion habe
> ich nicht rauslesen können

Dies ist nötig um durch ein statisches elektrisches Feld Leistungslos 
die Leitfähigkeit der DS-Strecke zu beeinflußen. Deshalb 
FeldEffekt-Transistor.
Ladung am gate bewirkt durch Influenz eine Ab-/Aufschnürung des 
SD-Kanals. Beim Bipo beeinflußt man die Laitfähigkeit der pb-strecke 
durch Ladungsträger Injektion. Es ist also beim Bipo ein Stromfluß zu 
verzeichnen und damit Leistung.

[Bodo (Gast)]

Hallo Hamza,

die Frage ist, anders als es einige Antworten hier andeuten, durchaus 
berechtigt.

Michael B. schrieb:
> Warum überhaupt einen Gate-Anschluss als dritten Anschluss,
> wenn man ihn mit einem oder gar beiden der anderen Anschlüsse
> Drain und Source direkt elektrisch verbindet ?

Herbert schrieb:
> Die Isolationsschicht macht das Gate überhaupt zum Gate.

Zwar stimmt es, dass es beim MOSFET eine Isolationsschicht geben muss, 
eben weil es ein MOSFET ist, aber generell kann ein FET auch ohne 
Isolator aufgebaut werden. Nur weil kein Isolator vorhanden ist, ist das 
Gate auch nicht gleich mit Drain oder Source verbunden oder kein "Gate" 
mehr.
Ein Sperrschicht-FET, MESFET oder HEMT hat auch keinen Gateisolator und 
funktioniert trotzdem. Das Arbeitsprinzip ist aber das gleiche.

Bit Wurschtler schrieb:
> Dies ist nötig um durch ein statisches elektrisches Feld Leistungslos
> die Leitfähigkeit der DS-Strecke zu beeinflußen.

Die Betonung liegt auf leistungslos. Mit dem Isolator verringert man den 
Leckstrom vom Gate beträchtlich (um Größenordnungen). Mit der Dicke des 
Isolators kann man aber bspw. auch die Einsatzspannung und/oder die 
Gatekapazität des FET einstellen.

[W.A. (Gast)]

Hamza O. schrieb:
> was die genaue Funktion der Isolationsschicht unter dem Gate bei einem
> MOS-Transistor ist.

Die Oxidschicht beim MOSFET hat die gleiche Funktion wie die 
Sperrschicht beim JFET. Sie dient als Isolation zwischen Gate und Kanal.

[Axel S. (a-za-z0-9)]

Bodo schrieb:
> die Frage ist, anders als es einige Antworten hier andeuten, durchaus
> berechtigt.

Keineswegs. Die Frage ist ungefähr so sinnvoll wie die Frage, warum man 
die Räder bei einem Auto so anbringt, daß sie bis zur Straße reichen.

[Mani W. (e-doc)]

Hamza O. schrieb:
> ich bin auf der Suche nach der Antwort, was die genaue Funktion der
> Isolationsschicht unter dem Gate bei einem MOS-Transistor ist. Immer
> lese ich, dass dieser vorhanden ist, aber eine eindeutige Funktion habe
> ich nicht rauslesen können.

Der Märchenonkel weiß sicher eine Antwort auf diese Frage...

[Joachim B. (jar)]

Hamza O. schrieb:
> ich bin auf der Suche nach der Antwort

warum ist ein MOS Transistor ein FET, was bedeutet FET?
Wenn du das beantwortest kennst du die Lösung.