Hallo liebe Leute, wir haben im Unternehmen eine Maschine angeschafft, mit der es möglich ist Niederdruckplasmen zu erzeugen. Sie soll vor dem Vakuumverguss eingesetzt werden in der Hoffnung, dass sich die Vergussmasse besser mit den Materialien verbindet. Der Hersteller hält sich bei der richtigen Konfiguration der Maschine etwas bedeckt. Ebenso ist es schwierig im Internet Erfahrungen zu finden. Es bleibt also nichts anderes übrig über Versuche selbst Erfahrungen zu sammeln. Über die Maschine haben wir die Möglichkeit ein Plasma aus industriellen Sauerstoff oder aus Tetraflourmethan zu erzeugen. Es kann die Wattzahl der Mikrowelle und die Menge des Gases variiert werden. Nun meine Frage: gibt es hier jemanden, der Erfahrungen mit der Plasmaaktivierung hat? Vllt jemand der ebenfalls so eine Maschine vor dem Vakuumverguß einsetzt? Wenn ja, da bin ich für jeden Ratschlag zum Thema, Menge des Gases, Dauer und Höhe der Wattzahl bei der Mikrowelle dankbar. Vielen Dank und liebe Grüße P.S.: Wenn es das falsche Forum ist, dann bitte verschieben.
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Wie groß ist denn die Prozesskammer? Welchen Maximalen Flow lassen denn die MFCs zu? Wie groß ist die RF Leistung der Generatoren? In der Halbleiterei wird ja auch mit Plasma geätzt, nur sind dort naturgemäß die Anforderungen etwas anders.
Arsch N. schrieb: > Der Hersteller hält sich bei der richtigen Konfiguration der Maschine > etwas bedeckt. Wenn ihr gutes Geld bezahlt habt, dann kann man auch ordentliche Anleitungen erwarten, oder wollen die für ne Schulung noch extra Geld? Wenn noch keine Rechnung bezahlt wurde, wäre doch ein Druckmittel vorhanden. > Ebenso ist es schwierig im Internet Erfahrungen zu > finden. Kommt drauf an, seit wann die Maschine am Markt ist. Wenn man dann nicht mal Hersteller und Typ nennt, wie soll euch da dann einer helfen? > Es bleibt also nichts anderes übrig über Versuche selbst > Erfahrungen zu sammeln. Auch eine Möglichkeit Geld zu verbrennen.
Viel erfahrung nicht. Aber das ist auch svhwierig, weil es so viele variablen gibt. Am besten ist wirklich testen. dazu eignen sich testflüssigkeiten unterschiedlicher oberflächenspannung. Die zusammenhänge werden dir schnell klar und nur du kannst das perfekte rezept für deine Werkstoffe finden.
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Das CF4 wird in freie Radikale gespalten, die Fluor-Ionen ätzen wie Flussäure Oxidschichten und Metalle. Der atomare Sauerstoff brennt alles Organische weg. Mit CF4 entfernst du chemisch innerte Oxidschichten. Auch Siliziumoxid und Aluminiumoxid, denen du außer mit Flussäure kaum beikommen kannst. Du bekommst damit verschmutzte Metalloberflächen blank. Mit O2 entfernst du organische Verunreinigungen, wie Öl- und Lackreste, Fingerabdrücke usw. Mit O2 und einem ca. 10-25% Anteil von CF4 als Booster brennst du organisches Zeugs runter und entfernst dann gleich noch die Oxidschichten. Als Innendruck in der Prozesskammer würde ich so um die 5 mT für erste Versuche anpeilen. Den Plasmagenerator würde ich nicht vonn Null auf Hundert einschalten, wenn es nicht explizit erlaubt ist, sondern 33%, nach 3-5s auf 66% und dann nach weiteren 3-5s auf 100%. Bei induktiver Einkopplung der RF kann es ansonsten in der Matcher-Box zu Überschlägen kommen, wenn man gleich vonn Null auf Hundert geht. Dann brennt zunächst noch kein Plasma und die Spannung steigt fast ins Uferlose. Mit Mikrowelleneinkopplung habe ich keine Erfahrung, aber ein Ramp kann scherlich nicht schaden :-)
Zonk schrieb: > Das CF4 wird in freie Radikale gespalten, die Fluor-Ionen ätzen wie > Flussäure Oxidschichten und Metalle. > Der atomare Sauerstoff brennt alles Organische weg. > Mit CF4 entfernst du chemisch innerte Oxidschichten. Auch Siliziumoxid > und Aluminiumoxid, denen du außer mit Flussäure kaum beikommen kannst. > Du bekommst damit verschmutzte Metalloberflächen blank. > Mit O2 entfernst du organische Verunreinigungen, wie Öl- und Lackreste, > Fingerabdrücke usw. > Mit O2 und einem ca. 10-25% Anteil von CF4 als Booster brennst du > organisches Zeugs runter und entfernst dann gleich noch die > Oxidschichten. > Als Innendruck in der Prozesskammer würde ich so um die 5 mT für erste > Versuche anpeilen. Den Plasmagenerator würde ich nicht vonn Null auf > Hundert einschalten, wenn es nicht explizit erlaubt ist, sondern 33%, > nach 3-5s auf 66% und dann nach weiteren 3-5s auf 100%. Bei induktiver > Einkopplung der RF kann es ansonsten in der Matcher-Box zu Überschlägen > kommen, wenn man gleich vonn Null auf Hundert geht. Dann brennt zunächst > noch kein Plasma und die Spannung steigt fast ins Uferlose. Mit > Mikrowelleneinkopplung habe ich keine Erfahrung, aber ein Ramp kann > scherlich nicht schaden :-) Das sind doch schonmal ordentliche Hinweise :) Vielen Dank. Bei den bisherigen Tests hat sich noch kein Unterschied gezeigt. Ziel war es zu testen, ob die Vergussmasse an den gewünschten Kabeln besser haftet, wenn die vorher mit Plasma behandelt werden. Aber da haftet nichts. Weder nach einer O2-, CF4- oder beides-Behandlung. Die Zeit war auch, meines erachtens sehr lang. 30 min sollten ja genug sein. Noch die von Zonk gewünschten Parameter: Kammergröße: (40x40x50) cm (BxHxT) Flow O2: bis 990 sccm Flow CF4: bis 84 sccm Mikrowelle: bis 1200W
Den MFCs und der Leistung nach zu urteilen hat die Kammer gegenüber einer Kammer für 300 mm Wafer Ca. halbe Größe. O2 mit CF4 Aktivierung sollte um die 2 min langen. Allerdings bezieht sich das auf wenige my Lack. Wobei bei Halbleiters eher konservativ gefahren wird, sonst ist die nächste Ebene gleich mit weg! Was für ein Plastwerkstoff wollt ihr denn anätzen? Mit Teflon PE oder Silicon wirst Du eher kein Glück haben.
Zonk schrieb: > Mit Teflon PE oder > Silicon wirst Du eher kein Glück haben. Einspruch: "Seitdem Plasmaätzanlagen in der Leiterplattenfertigung eingesetzt werden, können die Lochwände abwasserfrei und umweltschonend aufbereitet werden" Gilt für PTFE-Basismaterial. Was nicht heissen soll das wäre trivial. Georg
Ok, mal was anderes, wie behandelt ihr die Abgase vom Plasmaätzer? Die CF4 Spaltprodukte kann man ja nicht mal einfach in die Umwelt blasen. Für sowas gibt es kombinierte Abluftverbrenner/Kombiwäscher. Mit einer heißen Erdgasflamme wird das CF4 ZU CO2 und Flusssäure verbrannt, die dann mit Wasser in einer Rieselkolonne ausgewaschen wird. Damit die Flusssäure nicht die Apparatur zerlegt, wird mittels ph Sonde Natronlauge zudosiert und der ph Wert leicht alkalisch gehalten. Wobei für euch u.U. auch eine Absorbertonne reichen könnte. Wo das restliche Geraffel chemisch gebunden wird.
Zonk schrieb: > Was für ein Plastwerkstoff wollt ihr denn anätzen? Mit Teflon PE oder > Silicon wirst Du eher kein Glück haben. Meine Tests belaufen sich mometan auf Silikon- und PTFE-Kabel und Nachbehandlung von Platinen. Bei uns geht es nicht in erster Linie um das Ätzen sondern um das Aktivieren. Aktivierung darum, dass sich das Material besser mit der Vergussmasse verbindet um so Teilentladungen vorzubeugen. Ich habe heute Silikon- und PTFE- Kabel mit einem 1 zu 5 Plasma 5min behandelt (1 Teil CF4 und 5 Teile O2). Anschließend habe ich unbehandelte und behandelte Teile in ein Wasserbad gegeben um dann zu Prüfen, ob das Wasser besser haftet. Deine Aussage kann ich so ein wenig untermauern, denn einen Unterschied konnte man nicht wirklich erkennen. Allerdings habe ich auch folgendes gelesen: "Vor allem Kunststoffoberflächen werden mit diesen Prozessen angeätzt. Die Ätzung ist bei schwer lackier- und verklebbaren Kunststoffen wie POM oder PTFE sehr wichtig. Durch die vergrößerte Oberfläche wird eine bessere Klebehaftung erreicht." Das widerspricht sich ein wenig. Außerdem habe ich den Test gemacht und eine Platine mit Kolophonium in den gleichen Versuch gepackt. Meiner Meinung nach ließ sich das Kolophonium danach nochmals besser mit Platinenreiniger entfernen, als ohne Behandlung. Mal noch eine andere Frage: kann man fertig bestückte Platinen mit komplexen ICs in die Maschine packen ohne dass die Funktionalität kaputt geht?
Arsch N. schrieb: > Mal noch eine andere Frage: kann man fertig bestückte Platinen mit > komplexen ICs in die Maschine packen ohne dass die Funktionalität kaputt > geht? Wenn du das lange genug machst, liegen die ICs, will heissen die Chips und die Bonddrähte, nackt vor dir. Wird manchmal zum Reengineering benutzt. Aber wenn das ganze sowieso wieder vergossen wird... Georg
Hast Du schon mal einen Teelöffel in die Mikrowelle gepackt? ;-) Ich weiß jetzt nicht, wie die Plasmakammer konstruktiv aufgebaut ist und die Mikrowellenstrahlung zu den Bauelementen gelangen kann. Probiere das sicherheitshalber erst mal mit dem einsfuffzig Arduonoclone aus China. Wenn der es überlebt, stehen die Chancen gut :-)
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