Power Mosfet Verluste nach dem "klassischen" Modell berechnen

[Fabian R. (flo_rida)]

Hallo,

ich bin gerade dabei mich in einige Paper bezüglich Schaltverluste beim 
MOSFET einzulesen. Dabei habe ich sehr interessante Artikel gefunden, 
wonach der MOSFET nur beim Einschalten eigentlich keine Verluste 
erzeugt.... Aber egal in all diesen Papieren steht, dass man nach der 
"klassischen" Metode wie in der Graphik vorgehen kann. So habe ich jetzt 
auch "Einschaltverluste" berechnet nur würde ich gerne wissen, wie man 
nach dieser Methode die Ausschaltverluste berechnet. Kann mir da jemand 
helfen?

Grüße
Flo_Rida

[Falk B. (falk)]

@ Fabian Rauer (flo_rida)

>MOSFET einzulesen. Dabei habe ich sehr interessante Artikel gefunden,
>wonach der MOSFET nur beim Einschalten eigentlich keine Verluste
>erzeugt....

Das halte ich für ein Gerücht.

> Aber egal in all diesen Papieren steht, dass man nach der
>"klassischen" Metode wie in der Graphik vorgehen kann.

Schrittweise Linear annähern. Das macht am Ende jedes 
Simulationsprogramm, nur deutlich feiner aufgelöst.

> So habe ich jetzt
>auch "Einschaltverluste" berechnet nur würde ich gerne wissen, wie man
>nach dieser Methode die Ausschaltverluste berechnet.

Genau so. Nur dass man eine brauchbare Approximation des 
Ausschaltvorgangs finden muss.

[Fabian R. (flo_rida)]

Falk B. schrieb:
> Nur dass man eine brauchbare Approximation des
> Ausschaltvorgangs finden muss.

Und die würde dann wie aussehen? Also ich meine das Pendant zu der 
Approximation im Bild.

Falk B. schrieb:
> Das halte ich für ein Gerücht.

Ja also was ich da geschrieben habe verstehe ich jetzt auch nicht mehr.

[Falk B. (falk)]

@ Fabian Rauer (flo_rida)

>> Nur dass man eine brauchbare Approximation des
>> Ausschaltvorgangs finden muss.

>Und die würde dann wie aussehen? Also ich meine das Pendant zu der
>Approximation im Bild.

Keine Ahnung!

[Alfred B. (alfred_b979)]

Fabian R. schrieb:
> Dabei habe ich sehr interessante Artikel gefunden,
> wonach der MOSFET nur beim Einschalten eigentlich keine Verluste
> erzeugt....

Da mußt Du wohl ein Dokument über LLC-Resonanzwandler erwischt haben...
Diese kann man so aufbauen und steuern, daß das "Umladen" der 
Ausgangskapazitäten beim bzw. "kurz nach dem" Ausschaltvorgang (Totzeit 
in der idealisierten Grafik) einer der wenigen kaum beeinflußbaren 
Verlustparameter bleibt.

(Weshalb man für LLCs zur weiteren Verlustreduktion FETs mit optimiert 
niedriger Ausgangskapazität aussuchen könnte... war es ein Dokument, das 
sich speziell damit beschäftigt hat? Sowas wie "Primary Side Mosfet 
Selection for LLC ..."?)

Sonst käme mir jetzt nicht in den Sinn, was Du so verstanden haben 
könntest.

[Megawattvolt (Gast)]

> Dabei habe ich sehr interessante Artikel gefunden,
> wonach der MOSFET nur beim Einschalten eigentlich keine Verluste
> erzeugt....

Alfred B. schrieb:
> Sonst käme mir jetzt nicht in den Sinn, was Du so verstanden haben
> könntest.

Er meint sicherlich das Ausschalten. Das kann man in der Tat so 
hinbiegen, dass dabei keine/kaum Verlustleistung entsteht.

[Fabian R. (flo_rida)]

Ja nee, es ging nicht um diese Paper, sondern nur darum, dass ich mal 
die Verluste nach dem "klassischen Modell" und nach dem neuen rechnen 
wollte. Aber ich bin schon fündig geworden. TI rechnet das Ausschalten 
so, wie das Einschlten:
http://www.ti.com/lit/an/slpa009a/slpa009a.pdf#page=6

Und hier das Paper worauf sich meine Ursprüngliche Frage bezog:
http://bbs.dianyuan.com/bbs/u/40/1144128230.pdf

Grüße
Flo_Rida