Ich habe mir den folgenden Beitrag auf Mikrocontroller durchgelesen: https://www.mikrocontroller.net/articles/Leiterbahnabst%C3%A4nde dort wird für den den niedrigsten verschmutzungsgrad folgendes angegeben 250V = 0.56mm 320V = 0.75mm Nun frage ich mich aber wie das im praktischen gehen soll Folgendes IC ist für den Betrieb bis 320V geignet, was ja bedeuten würde das 0.75mm nötig währen! http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/hv507.pdf Wenn man sich aber nun das Datenblatt anschaut, kommt das IC im Package "80 QFP", der pin Abstand liegt bei 0.5mm. Macht in meinen Augen keinen Sinn! Geschweige davon, das es IC's für 200V sogar im QFN oder BGA gib, wo der Abstand noch kleiner ist. Versteh ich die Angaben falsch, oder halten sich all diese hunderten Markenherstellern nicht an die Normen?
eventuell kannst du eine isolationsfräsung dazwischen setzen. Mfg Valentin
> Macht in meinen Augen keinen Sinn!
Spielt keine Rolle, da der Sinn nicht "gemacht" wird.
lochrasterer schrieb: > eventuell kannst du eine isolationsfräsung dazwischen setzen. > > Mfg > Valentin Isolierfräsungen bei QFP?
Ja, das ist lustig :-) Wobei es drauf ankommt, ob das Basisisolierung oder verstärkte Isolation ist. Und auf die entsprechende Produktnorm. Vielleicht ist das ja bei manchen Sachen zulässig. Ich kenne das Problem von Kerkos, 0805, 1kV: http://de.farnell.com/kemet/c0805x102kdractu/kondensator-mlcc-x7r-1nf-1kv-0805/dp/1855318 Das geht auch nicht so wirklich. Zumindest nicht so, wie unser SMD-Bestücker das Paddesign verlangt. Ich denke, sowas setzt voraus, dass das Board mit Isolierlack lackiert wird. Da gibts durchaus welche, die entsprechende Durchschlagsfestigkeiten haben. Frag doch mal den Hersteller, die Antwort würde mich auch interessieren.
Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. http://de.farnell.com/stmicroelectronics/stp3n150/mosfet-n-kanal-to-220/dp/1456344
Johnny S. schrieb: > Versteh ich die Angaben falsch, oder halten sich all diese hunderten > Markenherstellern nicht an die Normen? Nein Du wendest Die Norm falsch an. Die gilt nur für Netzspannungen (L gegen N Leiter) mit entsprechenden Überspannungen. Für gut stabilisierte Spannungen gibt es sicher andere Abstände. Peter D. schrieb: > Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. L+N hängen hoffentlich nicht am MOSFET sondern über der Last. Gruß Anja
Johnny S. schrieb: > Versteh ich die Angaben falsch, oder halten sich all diese hunderten > Markenherstellern nicht an die Normen? Du musst unterscheiden zwischen technischen Isolationsabständen und VDE-Normen. Technisch reichen 0,1 mm pro 100V locker aus. Sobald jedoch Netzsspannung im Spiel ist, gelten die VDE-Normen, welche deutlich höhere Abstände fordern.
> 0,1 mm pro 100V locker aus
Naja kleine Ungenauigkeit oder Schmutz und schon wird es locker Kacke.
@ Peter Dannegger (peda) >Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. >http://de.farnell.com/stmicroelectronics/stp3n150/... Niemand behauptet EXPLIZIT, daß diese Bauteile in Luft und verschmutzter Umgebung alle Normen erfüllen. Bei vielen Bauteilen wird IMPLIZIT angenommen, daß diese die Grenzwerte nur in einer Vergußmasse oder in Isolieröl erfüllen. Aber das schreiben halt die allerwenigsten Hersteller hin. Gleiches gilt für maximale Verlustleistungen etc. Beitrag "Re: Dicker MOSFET, dünnes Anschlusspin?"
@ Johnny SGT (sgt_johnny) >Folgendes IC ist für den Betrieb bis 320V geignet, was ja bedeuten würde >das 0.75mm nötig währen! >http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/hv507.pdf >Wenn man sich aber nun das Datenblatt anschaut, kommt das IC im Package >"80 QFP", der pin Abstand liegt bei 0.5mm. Erst einmal muss man eine eindeutlige Sprache schaffen. Bei diesem IC ist das PinRASTER 0,5mm, also der Abstand Mitte-Mitte! (Maß e in der Zeichnung auf Seite 6). Bei einer Pinbreite von ca. 0,3mm (Maß b) bleiben 0.2mm Abstand zwischen zwei benachbarten Pins. >Macht in meinen Augen keinen Sinn! Dann denk mal nach. >Versteh ich die Angaben falsch, Ja. >oder halten sich all diese hunderten >Markenherstellern nicht an die Normen? Das ist bei diesem IC gar nicht nötig, denn auch wenn er 300V Ausgangsspannung schaltet, so wird er nicht zur Schutztrennung zwischen Netzspannung und Schutzkleinspannung benutzt. Außerdem ist der IC so wie er ist nicht für verschmutzte und feuchte Umgebung gebaut, sondern nur für eine saubere Platine im Laborumfeld. Wenn die Umgebung rauer wird, braucht man Schutzlacke oder ein hermetisch dichtes Gehäuse für die Platine.
Anja schrieb: > Peter D. schrieb: >> Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. > L+N hängen hoffentlich nicht am MOSFET sondern über der Last. Na wenn der FET aus ist, dann liegen schon die tausend+ Volt über dem FET. soul e. schrieb: > Du musst unterscheiden zwischen technischen Isolationsabständen und > VDE-Normen. Geht es bei VDE nicht um den Abstand zwischen einem Stromkreis, den ein Mensch berühren kann, und einem mit einer gefährlichen Spannung? Und nicht um Abstände innerhalb eines Stromkreises? Auch ein netztaugliches Relais öffnet seine Kontakte nicht auf 7,5mm, hat aber zwischen Steuerkreis und Lastkreis sehr wohl diesen Abstand. MfG Klaus
Klaus schrieb: > Geht es bei VDE nicht um den Abstand zwischen einem Stromkreis, den ein > Mensch berühren kann, und einem mit einer gefährlichen Spannung? Und > nicht um Abstände innerhalb eines Stromkreises? Es geht um beides. Auch innerhalb eines Kreises gibt es sinnvolle Abstände zwischen L + N. Ströme von L nach N sind in der Regel nicht strombegrenzt. Bei Überspannung (auf dem Netz sind 2-4kV induktive Abschaltspitzen üblich) und zu geringen Abständen wird ein Lichtbogen mit hoher Energie gezündet. Da kannst Du dann nur noch hoffen daß irgendeine Sicherung fliegt. > Auch ein netztaugliches Relais öffnet seine Kontakte nicht auf 7,5mm, > hat aber zwischen Steuerkreis und Lastkreis sehr wohl diesen Abstand. Das ist nochmal was anderes. Ein normales Relais (also kein Schütz) oder auch ein FET hat keine Sicherheitsfunktion. Wenn der Kontakt durch Überspannung einen Lichtbogen zündet fließt halt ein durch die Last begrenzter Strom. Der Lichtbogen verlöscht in der Regel beim nächsten Null-Durchgang. Gruß Anja
Anja schrieb: > L+N hängen hoffentlich nicht am MOSFET sondern über der Last. Es reicht völlig, wenn die Platine bei 1500V in Rauch aufgeht. Mir war das jedenfalls zu riskant und ich hab die teuren TO-247 genommen. Selbst die verstoßen noch gegen die üblichen Designregeln. Warum können die nicht TO-263 mit nur 3 Anschlüssen herstellen, d.h. den Mittelstummel weglassen? Oder ein asymmetrisches Pinning (S,G nebeneinander und zu D einen großen Abstand). Und viele Keramiks ab 3kV dürfte man eigentlich auch nur mit Ausfräsung darunter bestücken.
Die Ausfräsung UNTER dem Bauteil verlängert die Kriechwege AUF dem Bauteil NICHT!
Hi, Klaus schrieb: > Geht es bei VDE nicht um den Abstand zwischen einem Stromkreis, den ein > Mensch berühren kann, und einem mit einer gefährlichen Spannung? Und > nicht um Abstände innerhalb eines Stromkreises? GEnau das ist es. Natürlich muss man auch abseits der Schutztrennung innerhalb des "heißen" Schaltungsteils noch einige Sicherheitsaspekte zwingend beachten. Aber es ist dennoch etwas ganz anderes! Zuumal es bei bestimmten Produkten ja gar nicht so unüblich ist das die Versorgungsspannung der Elektronik direkt aus den 230V ohne jegliche Trennung gewonnen wird. Z.B. mit Kondensatornetzteil und Z-Diode. Das geht problemlos, dann muss halt die gesamte Elektronik (auch der vermeintliche 5V Niederspannungsteil) als Netzspannungsführend angesehen werden. Je nach Steckrichtung des Anschlussteckers in der Steckdose ist er das ja definitiv auch! Selbst im Normalbetrieb. Anja schrieb: > Da kannst Du dann nur noch hoffen daß irgendeine Sicherung fliegt. Nein, auf keinen Fall HOFFEN! Wenn "hoffen" notwendig ist, dann liegt ein grober Designfehler vor. Wenn die Beurteilung ergibt das durch die Verfügbare Energiemenge die Gefahr eines Brandes durch massiven Überstrom besteht, dann MUSS MAN DAFÜR SORGEN das auf jeden Fall eine Sicherung den Stromkreis unterbricht. Also eine für Spannnung und Nennstrom ausreichend dimensionierte Sicherung vor dem kritischen Schaltungsteil vorsehen und die Gefahr ist keine mehr. Falk B. schrieb: > Die Ausfräsung UNTER dem Bauteil verlängert die Kriechwege AUF dem > Bauteil NICHT! Das kann man gar nicht deutlich genug sagen! Davon abgesehen muss man natürlich auch unterscheiden "woher" die Spannung kommt und welche Energie im Worst Case bereitsteht. Es ist ja doch ein Himmelweiter Unterschied ob es sich bei 230V um direkt aus dem Versorgungsnetz entnommene Spannung handelt wo im Fehlerfall problemlos einige hundert Ampere (kurzzeitig) fließen können oder ob diese 230V mittels eines Step-Up aus 3v Batteriespannung gewonnen werden wo selbst bei direktem Kurzschluss fast kein Strom fließen kann. Die bei einem Fehler zur Verfügung stehende Energie ist ein sehr wichtiger Faktor bei der Auslegung von Schutzmaßnahmen. Viel wichtiger als die bloße Spannung! Gruß Carsten
>Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. http://de.farnell.com/stmicroelectronics/stp3n150/... Interessant, dass diesem TO220 auch 140W an Verlustleistung zugemutet werden. Es gibt ja auch TO247 FETs die sind mit 200A Drainstrom, vom Gehause limitiert auf 120A, spezifiziert. Auch mit Verlustleistungen von 200W. Die Physik selbst bewegt sich anderswo. 5V an 100nm, in einem chip, macht eine Feldstaerke von 5kV pro mm
@ lizenzierter Funkloch Bohrspezialist (Gast) >>Noch krasser sind MOSFET für 1500V im TO-220, etwa 0,7mm Pinabstand. > http://de.farnell.com/stmicroelectronics/stp3n150/... >Interessant, dass diesem TO220 auch 140W an Verlustleistung zugemutet >werden. In der Theorie im Labor. Real ist das nicht mal 1/3 davon. https://www.mikrocontroller.net/topic/goto_post/3905083 >Es gibt ja auch TO247 FETs die sind mit 200A Drainstrom, vom Gehause >limitiert auf 120A, spezifiziert. Auch mit Verlustleistungen von 200W. Dito.
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