Hallo ! Ich habe eine Verständnisfrage, die mich wirklich verzweifeln lässt. Hier ist meine Testschaltung. Ich möchte den n-Channel MOSFET als einfachen Schalter benutzen. V1 steht stellvertretend für einen Mikrocontroller,deshalb auch der Pulldown Widerstand von Gate auf Ground. Wenn ich jetzt vom Ausgang zu Ground die Spannung im durchgeschaltenen Zusatnd messe, messe ich nur 4,8 V (anstatt 12V). Nach meinem Verständniss müssten es 12 V sein. Selbst wenn ich V2 änder komme ich immer auf ein ähnliches Ergebins. Den Mosfet als Spannungsteiler zusehen fällt schonmal weg, da das Messgerät ja einen riesigen Innenwiderstand besitzt. Auch am verwendeten MOSFET scheint es nicht zu liegen, auch mit anderen Typen , selbst mit Bipolartransistoren bekomme ich das gleiche Ergebnis.
Angehängte Dateien:
-
Forum_Schaltplan.png
19 KB
:
Verschoben durch Admin
@Anton Um welchen Typ Mosfet handelt es sich? Wenn ich, das richtig sehe, hast du den Mosfet mit dem Drain Anschluß an 12V direkt angeschlossen. Normalerweise wird der Source bei N-Channel Mosfet an Minus (GND) angeschlossen. Den Verbraucher dann zwischen 12V und Drain. Der 680Ohm ist auch vielzu niedrig, da kann der Mosfet nicht richtig durchschalten. Nimm da mal einen 10K oder 100K Widerstand.
Anton schrieb: > Ich habe eine Verständnisfrage, die mich wirklich verzweifeln lässt. Für das Verständnis ist es günstig, als Grundlage eine vernünftige Darstellung des Problems zu haben. Zeichne deinen Schaltplan doch erstmal systematisch auf, so dass die Potentiale sortiert sind (hohe Spannungen oben, niedrige Spannungen unten) und die Signalverarbeitung in eine Richtung läuft (links nach rechts). Wenn ich jetzt vom Ausgang zu Ground die Spannung im durchgeschaltenen > Zusatnd messe, messe ich nur 4,8 V (anstatt 12V). Der MOSFET wird durch die Spannung zwischen Gate und Source angesteuert. Mit 5V am Gate und 4,8V am Ausgang beträgt die Steuerspannung gerade mal 0,2V. Guck mal ins Datenblatt, was du mit dieser minimalen Spannung für einen Strom steuern kannst :-(
Moin Anton stimmt, Du hängst an einem Verständnis Problem ;-) Wenn es Dich beruhigt das ging mir ähnlich. Folgendes hast Du übersehen: Dein (N-Channel) MOSFET will am Gate eine Spannung größer Source sehen. Daher wird in den Datenblättern auch von Vgs gesprochen. Was Dir gerade passiert ist folgendes: Ausgangspunkt: Gate auf 0V und damit MOSFET nicht leitend. Dein Ausgang (Source) ist somit auch 0V Jetzt legst Du eine Spannung (ca. 5V) am Gate an. Sofort fängt der MOSFET an zu leiten und Du siehst eine Spannung am Ausgang. Der trick ist jetzt: Je näher die Source Spannung (Dein Ausgang) an deine Gate Spannung kommt, desto weniger leitend wird dein MOSFET. Dadurch stellt sich eine Spannung am Source knapp unter der Gate Spannung ein. Um den MOSFET in deiner Schaltung als Schalter zu benutzen solltest du deine Last zwischen 12V Batterie und MOSFET schalten. damit ist dein Source auf 0V fest genagelt und Du kannst mit den 5V ein und wieder aus schalten ;-) Grüße Frank
:
Bearbeitet durch User
Klaus schrieb: > Der 680Ohm ist auch vielzu niedrig, da kann der Mosfet nicht richtig > durchschalten. Das musst du mal erklären. Der 680Ω Widerstand liegt parallel zur 5V Spannungsquelle und hat mit dem MOSFET überhaupt nichts zu tun (solange die Spannungsquelle nicht zusammen bricht).
Wolfgang schrieb: > as musst du mal erklären. > > Der 680Ω Widerstand liegt parallel zur 5V Spannungsquelle und hat mit > dem MOSFET überhaupt nichts zu tun (solange die Spannungsquelle nicht > zusammen bricht). Was gibts da zu erklären? Ich geh mal davon aus, das der Widerstand zum Sperren des Mosfet gedacht wurde im falle, dass das Gate kein definiertes Signal anliegt. ( Tri State ) Der Strom der über den 680ohm Widerstand unsinnigerweise sinnlos verbraten wird habe ich die 10 - 100k vorgeschlagen. Den Widerstand kann und darf man auch weglassen.
Klaus schrieb: > Ich geh mal davon aus, das der Widerstand zum Sperren > des Mosfet gedacht wurde im falle, dass das Gate kein definiertes > Signal anliegt. ( Tri State ) Ich sehe in dem Schaltplan zwei grundsolide Spannungsquelle mit einem Innenwiderstand von idealerweise 0Ω. Da hat der Widerstand gar nichts zu melden, außer dass er mit ein paar cW heizt. Wenn man mal davon ausgeht, dass die Spannungsmessungen zwischen dem vermeintlichen Gnd (Minuspol von 5V- und 12V-Quelle) und den angegebenen Punkt statt finden, wäre es vielleicht nicht schlecht, eine definierte Last zwischen Gnd und Ausgang zu hängen, damit das Potential vom Source sich nicht einzig über irgendwelche Leckströme im Kanal des FET definiert.
Wolfgang schrieb: > ch sehe in dem Schaltplan zwei grundsolide Spannungsquelle mit einem > Innenwiderstand von idealerweise 0Ω Anton schrieb: > V1 steht stellvertretend für einen > Mikrocontroller,deshalb auch der Pulldown Widerstand von Gate auf > Ground. Der eingesetzte Mikrocontroller ist von einem idealen Innenwiderstand weit entfernt. Von dem mal abgesehen würde ich einen P-Channel Logic-Level Mosfet bevorzugen.
@ Klaus (Gast) > Der 680Ohm ist auch vielzu niedrig, da kann der Mosfet nicht richtig > durchschalten. Wolfgang schrieb: > as musst du mal erklären. Klaus (Gast) schrieb: >Was gibts da zu erklären? Er wollte von Dir wissen, wieso Du meinst, der Mosfet könne wegen dem rel. niederohmigen R nicht richtig durchschalten. So pauschal dahingesagt ist das nämlich Blödsinn ...
Anton schrieb: > Hier ist meine Testschaltung. Deine hier gezeigte Testschalung ist unvollständig oder falsch. Wie ist denn die Last angeschlossen? Der eine Punkt ist Source und das andere? Ich nehme mal an es ist der Minuspol von V1 und V2. OK, damit wäre der Stromkreis geschlossen. Was hast Du jetzt für eine Schaltung? Einen Spannungsfolger, Verstärkung <= 1. Dabei wird der MOSFET erst ab einer gewissen Spannung zwischen Gate-Source leitend. Wenn Du an der Last 4,8V misst, dann hast Du eine relativ niedrige Spannung von 0,2V zwischen Gate-Source. Schau Dir mal die Beiträge von Wolfgang und Frank an. Du willst sicher die Last zwischen +12V und Drain schalten. Ansonsten brauchst Du noch eine zweite Stufe dahinter. https://www.mikrocontroller.net/wikifiles/4/4f/Relais_npn.png mfg klaus
Vielen Dank für eure schnelle Hilfe ! Am meisten weitergeholfen hat mir @franksanderdo . Jetzt wo du es mir erklärt hast kommt es mir ganz logisch vor :D. @Klaus : Der niedrige Widerstand ( 680 Ohm) ist tatsächlich sehr niedrig gewählt, jedoch ist das gewollt um so möglichst schnelle Schaltzeiten hinzubekommen ( mit meinem Mosfet im einstelligen Mictosekundenberreich). Als Mikrocontroller benutze ich einen Arduino und der verkraftet das schon ;). Also nochmal Danke ihr seid eine Top Community ! [Closed] (oder so ähnlich)
Klaus schrieb: > Von dem mal abgesehen würde ich einen P-Channel > Logic-Level Mosfet bevorzugen. Und wie möchtest du den P-Kanal MOSFET mit den 5V Steuerspannung sperren? Ohne Zusatzschaltung mit einem NPN Bipolartransistor vielleicht in Emitterschaltung wird das nichts, wenn der FET die 12V high-side schalten soll.
>Der niedrige Widerstand ( 680 Ohm) ist tatsächlich sehr niedrig gewählt, >jedoch ist das gewollt um so möglichst schnelle Schaltzeiten >hinzubekommen ( mit meinem Mosfet im einstelligen >Mictosekundenberreich). Der µC hat doch einen Gegentaktausgang, mit vielleicht paar 10Ohm On-Widerstand. Was soll da der R noch bewirken?
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschalten
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.