Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET als Analogregler - richtiges Diagramm?


von 7uptrinker (Gast)


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Hallo zusammen,

ich muss einen FET als Analogregler einsetzen. Im Grunde würde ich das 
mit einem Biopolaren machen, geht aber hier nicht (Uce zu hoch).

Maximal fallen an dem FET 5V bei 1A ab --> 5 Watt also.

Ist das Diagramm im Anhang das Richtige für die Entscheidung ob der FET 
geeignet ist (DC-Linie)?

Wäre demnach ja für bis zu 35V OK bei 1A. Entsprechende Kühlung 
vorausgesetzt. Bei mir sind es aber ja nur 5V und 1A - sollte passen 
oder?

Vielen Dank!

Gruß

von Jens G. (jensig)


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>Wäre demnach ja für bis zu 35V OK bei 1A. Entsprechende Kühlung

Nein, ist nicht OK, denn entprechend wirst Du den nicht kühlen können. 
Du müsstest dessen Gehäuse auf 25°C halten können - eher schwierig zu 
realisieren, und somit eher theoretischer Natur.

Aber 1A/5V macht er eher lässig bei entsprechender Kühlung.

Und wieso soll ein bipolarer nicht funktionieren? "Uce zu hoch" verstehe 
ich nicht ...

: Bearbeitet durch User
von 7uptrinker (Gast)


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Vielen Dank Jens!

Es ginge auch mit einem Bipolaren - natürlich. Aber den müsste ich in 
Sättigung betreiben. Und dann blieben immer noch einige mV an ihm 
hängen...

Erklärung warum FET:
Ich habe im dümmst anzunehmenden Fall 4,75V vom Netzteil. Die Vf der 
eingesetzten LED kann max. bis zu 4,4V betragen. Bleiben noch 350mV 
übrig. Davon gehen noch 220mV am Messshunt drauf. Dann sind es nur noch 
130mV. Und die gehen über den FET und die Leiterbahnen etc. verloren...

Man könnte natürlich den Shunt kleiner ausführen, aber dann muss der OP 
wieder besser werden um die gleiche Präzision zu erhalten... Das ist 
dann wieder teurer etc...


Vielen Dank!

Gruß

7up

von Jens G. (jensig)


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>Es ginge auch mit einem Bipolaren - natürlich. Aber den müsste ich in
>Sättigung betreiben. Und dann blieben immer noch einige mV an ihm
>hängen...

Hää? Wieso Sättigung. Und wieso bleiben am Mosfet keine mV hängen?

> Erklärung warum FET:
>Ich habe im dümmst anzunehmenden Fall 4,75V vom Netzteil. Die Vf der
>eingesetzten LED kann max. bis zu 4,4V betragen. Bleiben noch 350mV
>übrig. Davon gehen noch 220mV am Messshunt drauf. Dann sind es nur noch
>130mV. Und die gehen über den FET und die Leiterbahnen etc. verloren...

Tja - irgendwie ein Fehldesign, wenn es so knapp wird ...

>Man könnte natürlich den Shunt kleiner ausführen, aber dann muss der OP
>wieder besser werden um die gleiche Präzision zu erhalten... Das ist
>dann wieder teurer etc...

220mv am Shunt sind überhaupt nicht nötig. 20mV reichen auch, und 
LED-Regelungen müssen üblicherweise nicht genau sein - 10% Abweichung 
sind eher unsichtbar - wozu also genau?.

von Mani W. (e-doc)


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7uptrinker schrieb:
> aber dann muss der OP
> wieder besser werden um die gleiche Präzision zu erhalten... Das ist
> dann wieder teurer etc...

Schon wieder - von Präzision und Kosten reden, aber Null Ahnung...

: Bearbeitet durch User
von Joe F. (easylife)


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7uptrinker schrieb:
> Dann sind es nur noch 130mV. Und die gehen über den FET und die
> Leiterbahnen etc. verloren...

dann sind es doch aber auch nur diese 130mV am fet und nicht 5V...?!

von Axel S. (a-za-z0-9)


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7uptrinker schrieb:
> Erklärung warum FET:
> Ich habe im dümmst anzunehmenden Fall 4,75V vom Netzteil. Die Vf der
> eingesetzten LED kann max. bis zu 4,4V betragen. Bleiben noch 350mV
> übrig. Davon gehen noch 220mV am Messshunt drauf. Dann sind es nur noch
> 130mV.

Dann ist dein ganzes Konzept kaputt. Tonne auf, Konzept rein, Tonne zu.

von 7uptrinker (Gast)


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Hallo zusammen,

ich hab nur darauf gewartet. Ist in diesem Forum ja Pflicht scheinbar.

@ Jens:
Um die <=130mV an einem bipolaren sicherstellen zu können wird der in 
Sättigung gehen müssen bzw. sehr nahe dran sein.

Wieso Fehldesign? Von allen relevanten Parametern wurde gleichzeitig vom 
schlechtest möglichen Fall ausgegangen. Unter diesem Umstand (der wohl 
pro 10000 nur 1x eintreten wird) wird genau das was erreicht werden soll 
immer noch erreicht. Und eine kleine Reserve ist auch noch vorhanden.
Also bitte um Erklärung warum Fehldesign.


Sicher geht es auch mit 20mV. Nur der OP muss dann natürlich 
entsprechend kleine Input Offsets haben. Das ist natürlich zu bekommen. 
Das gibt's auch in einigermaßen flott, aber warum mehr ausgeben wenn 
nicht nötig? Außerdem machen Übergangswiderstände gleich viel mehr aus. 
Die LED wird nicht immer mit 1A gefahren. Das können auch mal nur 70mA 
sein. Da bleibt bei 220mOhm auch nicht mehr viel übrig.

Es ist keine Beleuchtung in diesem Sinn. Hat was mit Bildaufnahmen zu 
tun. Während der Integrationszeit des Bildsensor muss die Helligkeit 
möglichst exakt gleich bleiben. (10% sind hier untragbar)



@ Mani W.:
Ich habe nicht angegeben wie Präzise es sein muss. Dass das kein 
nV-Meter wird ist klar. Aber wo ist eigentlich Dein konstruktiver (und 
natürlich erheblich besserer) Vorschlag?


@ Joe F.:
Schlechtest anzunehmender Fall: LED kurzgeschlossen; Bei einer 
Netzteilspannung von 5,25V (5V +/- 5%) und 1A sieht der FET

5,25V - 1A x 0,22Ohm = 5,03V

Dabei soll er aber nicht zerstört werden und auch deutlich innerhalb 
seiner Limits bleiben.


@ Axel Schwenke:
An welcher Stelle beginnt dieses Konzept denn zu bröseln und wo ist es 
dann endgültig kaputt? Und Dito: Wo ist eigentlich Dein konstruktiver 
(und natürlich erheblich besserer) Vorschlag?




Dem nächsten "alles was nicht ich gemacht habe taugt eh nichts, ich sag 
aber keinem wie es RICHTIG gemacht wird" wird gleich der Wirkungsgrad 
einfallen. Die LED ist für 3-5ms an und dann erst wieder in frühestens 
10s. Da interessiert es nicht wirklich ob der Treiber 70% oder 90% kann.


Gruß

Flo

von Joe F. (easylife)


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7uptrinker schrieb:
> @ Joe F.:
> Schlechtest anzunehmender Fall: LED kurzgeschlossen; Bei einer
> Netzteilspannung von 5,25V (5V +/- 5%) und 1A sieht der FET
>
> 5,25V - 1A x 0,22Ohm = 5,03V
>
> Dabei soll er aber nicht zerstört werden und auch deutlich innerhalb
> seiner Limits bleiben.

Warum?
Du willst dem FET einen Kühlkörper spendieren, nur für den (Fehler-)Fall 
dass die LED kurzgeschlossen ist?

Wenn das der Regelfall sein kann, dann würde ich diesen Fall mit extra 
Hardware detektieren, und den FET gar nicht erst einschalten.

Im Normalfall: 130mV * 1A = angenehme 0.13W
Da bräuchtest du nichtmal einen Kühlkörper.

von Mani W. (e-doc)


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7uptrinker schrieb:
> ich hab nur darauf gewartet.

Wenn Du sowieso alles weißt, wozu fragst Du dann hier?

von Joe F. (easylife)


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7uptrinker schrieb:
> Unter diesem Umstand (der wohl
> pro 10000 nur 1x eintreten wird) wird genau das was erreicht werden soll
> immer noch erreicht.

Bei Medikamenten werden Nebenwirkungen, die bei einem Behandelten von 
10.000 auftreten übrigens als "sehr selten" eingestuft ;-)
Das bedeutet so viel wie: können Sie bedenkenlos schlucken.

Achso, und jetzt lese ich das erst,
wenn dein Puls max. 3ms lang ist, dann brauchst du dich ja auch nicht an 
der DC Linie orientieren.
Bis 10ms gilt bei 5V fast 30A.
Und wenn dein Duty-Cycle quasi 5ms/10s, also 0,05% ist, ist auch die 
mittlere Wärmeleistung entsprechend gering.
Also 0,0005 x 5V x 1A = 2,5mW

Es existiert also kein Problem.

: Bearbeitet durch User
von Mani W. (e-doc)


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Ich denke, der TE weiß alles ganz genau selbst, fragt hier nur,
um im Gegenzug dann Andere aufzumachen und bloß zu stellen -
hätte er gerne!

von Mani W. (e-doc)


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7uptrinker schrieb:
> Wo ist eigentlich Dein konstruktiver
> (und natürlich erheblich besserer) Vorschlag?

Als Beispiel...

von Mani W. (e-doc)


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7uptrinker schrieb:
> Die LED ist für 3-5ms an und dann erst wieder in frühestens
> 10s. Da interessiert es nicht wirklich ob der Treiber 70% oder 90% kann.

Deinen Vogel möchte ich nicht haben!

von Boris O. (bohnsorg) Benutzerseite


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Jens G. schrieb:
> Nein, ist nicht OK, denn entprechend wirst Du den nicht kühlen können.
> Du müsstest dessen Gehäuse auf 25°C halten können…

Wenn ich die 3. Linie nach der 10 auf der horizontalen Achse nach oben 
verlängere, komme ich auf der vertikalen oberhalb der 1 raus – 
Schnittpunkt mit dc-Kurve. Da lässt sich also problemlos ohne Kühlung 
ein ganzer Ampere durchführen. Die 25°C Gehäusetemperatur sehe ich auch 
nicht als Zwang, wenn das nicht gerade ein SOT-23- oder SO-8-Gehäuse 
ist.

Aber ich sehe ein, dass die Fragestellung falsch ist. Im Kurzschlussfall 
ist nicht die Leitfähigkeit des MOSFET entscheidend, sondern die 
Leistung der Quelle und die sich daraus ergebenden abzuführenden 
Verluste.

von MaWin (Gast)


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7uptrinker schrieb:
> sollte passen oder?

Also ich baue LED-Stromregler auch so mit einem MOSFET auf.

ABER: Die Diagramm ist für 10V UGS. Woher bekommst du denn diese 10V ?

Ich nehme lieber LogicLevel MOSFETs, sogar welche spezfiziert für 2.7V 
UGS, damit ich keine zusätzliche hohe Versorgungsspannung brauche.

Und ich lege die Kühlung nicht auf den Kurzschlussfall aus, sondern auf 
die schlechteste Toleranz im Normalbetrieb. Wenn dann ein Teil kaputt 
ist (LED-Kurzschluss) darf der Rest auch kaputt gehen. (es sei denn, das 
ist nur eine Platine an der der Kunde die LED per Kabel anschliesst, 
dann treten Kurzschlüsse so oft auf, daß man sie überleben sollte).

von M. K. (sylaina)


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Boris O. schrieb:
> Die 25°C Gehäusetemperatur sehe ich auch
> nicht als Zwang, wenn das nicht gerade ein SOT-23- oder SO-8-Gehäuse
> ist.

Tja, die 25 °C Gehäusetemperatur sind aber die Randbedingung für die 
Diagramme an denen du dich orientierst. Je dichter du an die Diagramme 
ran gehst desto wichtiger wird es sich an die 25 °C Gehäusetemperatur zu 
halten.

von Jens G. (jensig)


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@ 7uptrinker (Gast)

>@ Jens:
>Um die <=130mV an einem bipolaren sicherstellen zu können wird der in
>Sättigung gehen müssen bzw. sehr nahe dran sein.

Naja, es gibt auch BiPos mit sehr geringer Uce_sat.
Aber klar, Mosfets mit sehr geringem Rdson bzw. hohem Idmax gibt's 
inzwischen wie Sand am Meer ...

Als ich mich übrigens dazu geäusert hatte, war mir noch nicht klar, wozu 
Du überhaupt auf dieses Thema eingehst (daß es hier um eine knapp 
kalkulierte LED-Ansteuerung geht). Da sieht man eigentlich wieder, daß 
eine saubere Problembeschreibung das A und O ist.

>Es ist keine Beleuchtung in diesem Sinn. Hat was mit Bildaufnahmen zu
>tun. Während der Integrationszeit des Bildsensor muss die Helligkeit
>möglichst exakt gleich bleiben. (10% sind hier untragbar)

Die 10% waren auch nur so dahergeredet. Auch mit paar 10mV-Shunt sind 
unter 1% erreichbar. Und wenn es um niedrigen Offset geht, dann nehme 
man halt einen, der weit unter 1mV bleibt (so teuer sind die auch 
nicht).

@Joe F. (easylife)
>Bis 10ms gilt bei 5V fast 30A.
>Und wenn dein Duty-Cycle quasi 5ms/10s, also 0,05% ist, ist auch die
>mittlere Wärmeleistung entsprechend gering.
>Also 0,0005 x 5V x 1A = 2,5mW

>Es existiert also kein Problem.

Genau - es gibt kein Problem.
Wenn es ein rel. offener Aufbau ist, wo Kurzschluß evtl. rel. leicht 
möglich wäre, dann sollte man entsprechend einen KK oder 
Kurzschlußschutz vorsehen. Ansonsten kann man diesen Aspekt auch 
komplett weglassen, und nimmt einfach in Kauf, daß der Mosfet mit hops 
geht, wenn die LED in 1000 Jahren mal kurzschließt.
5W für ein paar ms (selbst eine Sekunde bei z.B. TO220) lassen den 
Mosfet noch rel. kalt.

@Boris Ohnsorg (bohnsorg) Benutzerseite

>Jens G. schrieb:
>> Nein, ist nicht OK, denn entprechend wirst Du den nicht kühlen können.
>> Du müsstest dessen Gehäuse auf 25°C halten können…

>Wenn ich die 3. Linie nach der 10 auf der horizontalen Achse nach oben
>verlängere, komme ich auf der vertikalen oberhalb der 1 raus –
>Schnittpunkt mit dc-Kurve. Da lässt sich also problemlos ohne Kühlung
>ein ganzer Ampere durchführen. Die 25°C Gehäusetemperatur sehe ich auch

"nach der 10 auf der horizontalen Achse " heist Uds>10V.
"vertikalen oberhalb der 1" heist Id>1A
Du hast also >10W - also nix mit ohne KK.

>nicht als Zwang, wenn das nicht gerade ein SOT-23- oder SO-8-Gehäuse
>ist.

Das Diagramm ist aber basierend auf Tc=25°C (also Gehäusetemperatur) ...

>Aber ich sehe ein, dass die Fragestellung falsch ist. Im Kurzschlussfall
>ist nicht die Leitfähigkeit des MOSFET entscheidend, sondern die
>Leistung der Quelle und die sich daraus ergebenden abzuführenden
>Verluste.

Da gibt's nicht einzusehen - es geht nicht um die Leistung der Quelle 
oder Leitfähigkeit des Mosfets, sondern primar um die umgesetzte 
Leistung im Mosfet. Wie leitfähig der Mosfet dabei ist, hängt von den 
schaltungstechnischen Umständen ab. Und die Quelle muß im gewählten 
Arbeitspunkt (Strom/Spannung bzw. deren Ri) einfach nur leistungsfähig 
genug sein, um mindestens den Leistungsumsatz im Mosfet im 
Kurzschlußfall "sicherzustellen"

von Hp M. (nachtmix)


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7uptrinker schrieb:
> Hat was mit Bildaufnahmen zu
> tun. Während der Integrationszeit des Bildsensor muss die Helligkeit
> möglichst exakt gleich bleiben. (10% sind hier untragbar)

Dann stabilisiert man besser die Lichtausbeute als den LED-Strom.
Andernfalls wirst du bald merken, dass LEDs mit steigender Temperatur 
dunkler werden.

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