Hallo Zusammen, ich habe mal in einem Zusammenhang gehört/gelesen, dass Flash-Speicher unter -40°C aufgrund von physikalischen Effekten irreparablen Schaden bei Schreibvorgängen nehmen. Also, dass die Zellen beim Schreiben dann kaputt gehen. Mich interessiert das Thema, aber ich finde leider keine Quelle, in der das mal fachlich dargelegt ist, was da genau dazu führt, wenn es denn überhaupt so ist. Soweit ich weis geht es um Durchschläge beim Floating Gate. Egal ob NAND oder NOR-Architektur. Um sachdienliche Hinweise bin ich sehr dankbar :-) Ralf
Dazu wirst Du wohl tief in die Halbleiterphysik eintauchen muessen...
Ralf schrieb: > in einem Zusammenhang gehört/gelesen, dass Flash-Speicher > unter -40°C Erste Hinweise, https://www.eeweb.com/blog/eli_tiomkin/industrial-temperature-and-nand-flash-in-ssd-products "NAND is subject to two competing factors relative to temperature. At high temperature, programming and erasing a NAND cell is relatively less stressful to its structure, but data retention of a NAND cell suffers. At low temperature, data retention of the NAND cell is enhanced but the relative stress to the cell structure due to program and erase operations increases."
Hallo, hier gibt es schon mal welche, die bis -55°C spezifiziert sind: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/sm28vlt32-ht.pdf Eine größere Auswahl Flash-IC gibt es für Operating Temp. bis -40°C. Da ist nicht anzunehmen, dass die bei unter -40°C gleich kaputt gehen. Gruß Öletronika
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