Gate-charge in LTSpice Modell für NFET

[Michael W. (Gast)]

Hallo !

Ich wollte einmal verifizieren, wieweit das Schaltverhalten eines NFETs 
vom Parameter "Gate Charge" Qg abhängt.
Im vorliegenden Modell verwende ich bestimmte Werte für C(gs), C(jo) und 
C(gdmax, min).

Die Frage:

wie geht Qg konkret in das dynamische Verhalten ein. Ich kann keinen 
Effekt feststellen, wenn ich diesen wert ändere. Es heißt ja, Qg ist die 
Ladung, die benötigt wird, den NFET komplett einzuschalten. Hier habe 
ich Qg=20nC, nach 3nC ist der FET aber komplett durchgeschaltet.

Im weiteren ist mir eigenlich nicht klar, was C(jo) bedeutet. Angeblich 
ist das die Sperrschichtkapazität der Diode zwischen D und S.

Wieso benötige ich die Qg überhaupt, wenn ich ohnehin schon Werte für 
die Kapazitäten habe. Mir ist klar, dass diese spannungsabhängig sind 
und das ganze daher extrem nichtlinear wird, jedoch sehe ich keinen 
roten Faden.

Danke !

[Klaus R. (klara)]

Hallo,
ich denke es ist wohl besser mit Spannung zu pulsen.
mfg klaus

[Helmut S. (helmuts)]

Hallo Michael,
mach es mal wie in dem angehängten Beispiel.
Gruß
Helmut

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Michael W. schrieb:
> Wieso benötige ich die Qg überhaupt, wenn ich ohnehin schon Werte für
> die Kapazitäten habe.

Der Parameter Qg hat keinen Einfluss auf die Simulation. Er dient
lediglich als Information für den benutzer.

Aus dem Manual:

It is possible to annotate a model with a voltage rating and nominal
performance. This information is displayed in the schematic capture GUI
to assist in selecting a device but does not directly impact the
electrical behavior in simulation. The following parameters may be
specified.

  Name  Description                                 Units
  ———————————————————————————————————————————————————————
  Vds   Drain-source voltage rating                   V
  Ron   Nominal on resistance                         Ω
  Qg    Nominal gate charge required to get to Ron    C
  mfg   Name of manufacturer                          -
  ———————————————————————————————————————————————————————

[Michael W. (Gast)]

Danke, das erklärt meine Frage höchst einfach.
LG

[Michael W. (Gast)]

Klaus R. schrieb:
> Hallo,
> ich denke es ist wohl besser mit Spannung zu pulsen.
> mfg klaus

verstehe ich zwar nicht, aber die Antwort ist eh schon da.

LG, Michi

[Helmut S. (helmuts)]

Michael W. schrieb:
> Klaus R. schrieb:
>> Hallo,
>> ich denke es ist wohl besser mit Spannung zu pulsen.
>> mfg klaus
>
> verstehe ich zwar nicht, aber die Antwort ist eh schon da.
>
> LG, Michi

Hallo Michael,
vereinzelt haben Modelle einen Lecktstrom definiert. Da kann es dann 
sein, dass die Simulation bei reiner Stromsteuerung mit einem falschen 
Arbeitspunkt startet.
Gruß
Helmut

[Michael W. (Gast)]

achso, deswegen. das verstehe ich.