Hallo zusammen, um einen MOSFET N-Channel als Schalter zu dimensionieren, würdet ihr ihn mit z.B. Faktor 5 übersteuern? Bzw. wie gross darf UGS maximal sein? Die Angabe Threshold im DB ist ja nur die Spannung wo der FET zu leiten beginnt. Gibt es eine maximale Spannungsangabe für UGS? Danke für eure Hilfe! Gruss Fabian
> wie gross darf UGS maximal sein? Meistens +-20V, selten +-30V. > Gibt es eine maximale Spannungsangabe für UGS? Na klar. > würdet ihr ihn mit z.B. Faktor 5 übersteuern? Ich befeuer FETs immer mit allem was da ist. 12-18V. Oder 5V bei LL-FETs.
Fabian schrieb: > Gibt es eine maximale Spannungsangabe für UGS? Ja, die gibt es auch. Ganz vorne bei den "Absolute Maximum Ratings". Und davon sollte man ausreichend weit wegbleiben...
Lothar M. schrieb: > Ja, die gibt es auch. Ganz vorne bei den "Absolute Maximum Ratings". Und > davon sollte man ausreichend weit wegbleiben... Danke, das mache ich jetzt auch. Ich nehme die "typical Threshold" Spannung und multipliziere mit Faktor 5. Dann bin ich sicher im guten Bereich. Gruss Fabian
Warum 5 und nicht 4 oder 6? Ist doch selten willkürlich. Was sagt das Datenblatt zu Faktor 5?
faktor 5 schrieb: > Warum 5 und nicht 4 oder 6? > Ist doch selten willkürlich. Was sagt das Datenblatt zu Faktor 5? Ist eine Faustregel. Von Faktor 5 bis 8 ist (meistens) OK...
Fabian schrieb: > nehme die "typical Threshold" Spannung und multipliziere mit Faktor 5 Das ist aber nicht "fünffache Übersteuerung". > multipliziere mit Faktor 5. Dann bin ich sicher im guten Bereich. Ich sehe mir da immer die entsprechenden Diagramme weiter hinten im Datenblatt an. Da bekomme ich dann eher ein "Gefühl", was gut und ausreichend ist...
Lothar M. schrieb: > Das ist aber nicht "fünffache Übersteuerung". Was ist dann "fünffache Übersteuerung?
Fabian schrieb: > Danke, das mache ich jetzt auch. Ich nehme die "typical Threshold" > Spannung und multipliziere mit Faktor 5. Dann bin ich sicher im guten > Bereich Was ist'n das für kommisches Faustregel? Normarweise schaltet jeder MOSFET bei 10V U_gs fast durch. Im sicherem Bereich sollte's zw. 12V und 18V liegen.
Fabian schrieb: > um einen MOSFET N-Channel als Schalter zu dimensionieren, > würdet ihr ihn mit z.B. Faktor 5 übersteuern? Im Gegensatz zu Bipolartransistoren gibt es bei MOSFET keinen allgemeingültigen festen Übersteuerungsfaktor. > Bzw. wie gross darf UGS maximal sein? Das steht im Datenblatt. Wenn man einen MOSFET als Schalter benutzt, kann man verschiedene Strategien wählen um die Verluste klein zu halten. Wenn selten geschaltet wird (das meint alles außer PWM) dann sind die Umschaltverluste zweitrangig und man gibt dem MOSFET alles an Spannung was man zur Verfügung hat bzw. was er verträgt. Wenn man hingegen oft und/oder schnell schalten will, dann wird man dem MOSFET nicht mehr Gatespannung geben als er braucht. Sonst steigen die Verluste nämlich wieder. Und zwar zum einen die Verluste in der Ansteuerschaltung selber, aber auch die Verluste im MOSFET, weil er dann langsamer schaltet. Um zu wissen, wieviel Gatespannung "genug" ist, schaut man idealerweise in ein Diagramm R_ds_on vs. U_gs. Da sieht man dann, daß der R_ds_on oberhalb einer gewissen Gatespannung kaum noch weiter fällt. Für normale MOSFET liegt diese Spannung bei ca. 10V, für logic-level Typen eher bei 5V oder bei ganz neuen sogar nur um 3V.
Fabian schrieb: > Ich nehme die "typical Threshold" > Spannung und multipliziere mit Faktor 5. Du solltest die Spanung anlegen, bei der RDSon gemessen wurde (denn das hat der Hersteller dann überprüft). Nur dann ist der maximale im Strom mit dem der MOSFET beworben wurde auch zulässig (bei ausreichender Kühlung). Meist 10V, bei LogicLevel auch 4.5V, bei empfindlichen MOSFETs auch manchmal 2.5V.
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