Hallo, ich suche einen Gatetreiber für einen N-Kanal Mosfet. Allerdings wäre es sehr gut wenn der Treiber mit einer Versorgungsspannung von 3,3V auskommen würde, da ich einen Mikrocontroller mit dieser Spannung im Einsatz habe. Der Mosfet hat eine maximale Spannung von 120V am Drain-Anschluss. Diese Konstellation habe ich bisher noch nicht gefunden. Als Spitzenstrom würde ein Wert von 600mA ausreichend sein. Vielleicht hatte ja schon mal jemand ein ähnliches Problem. Vielen Dank!!!
Ich habe das Problem mit einem Boost Wandler auf 12V gelöst.
Haste denn überhaupt schon ein N-FET gefunden, der 120V Drain-Source abkann und bei 3,3V am Gate schon voll durchsteuert?
>Haste denn überhaupt schon ein N-FET gefunden, der 120V Drain-Source >abkann und bei 3,3V am Gate schon voll durchsteuert? Der MIC5018 hat bei 3.3V am Eingang ca. 9V am Ausgang.
Dein Post war vor meinem abschicken noch nicht da ;) Aber nettes Teil, mal auf den Merkzettel platzieren.
Mw E. schrieb: > Aber nettes Teil, mal auf den Merkzettel platzieren. Gate Turn On Time = 4,2ms bei 3nF C_L
Hallo, danke für die Antworten. also der MosFet ist fest und nicht veränderbar der: IPD200N15 Datenblatt: ----------- http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB200N15N3+G-DS-v02_07-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff59230602dbb Ich fürchte jedoch "Mw En" hat recht, bei 3,3V schaltet der Mosfet nicht vollständig. Nochmal zum Problem. Es handelt sich hier um einen BuckConverter der über 2 MosFets des genannten Typs verfügt. Diese sollen über zwei PWM-Kanäle eines Mikrocontrollers angesteuert werden. Ich werde mir wohl irgendwie die 12V generieren müssen. Leider habe ich sehr große Platzprobleme....
Hallo, danke für die Antworten. also der MosFet ist fest und nicht veränderbar der: IPD200N15 Datenblatt: ----------- http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB200N15N3+G-DS-v02_07-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff59230602dbb Ich fürchte jedoch "Mw En" hat recht, bei 3,3V schaltet der Mosfet nicht vollständig. Nochmal zum Problem. Es handelt sich hier um einen BuckConverter der über 2 MosFets des genannten Typs verfügt. Diese sollen über zwei PWM-Kanäle eines Mikrocontrollers angesteuert werden. Dazu wird eben ein Highside- und ein Lowsidetreiber evtl. auch ein Halbbrückentreiber benötigt. Ich werde mir wohl irgendwie die 12V generieren müssen. Leider habe ich sehr große Platzprobleme....
Damit fällt also auch der von and.y genannte IC weg. Denn der ist zu langsam für PWM, der wäre nur für einen Schaltausgang geeignet. Sind denn die 2 FETs noch als Halbbrücke ausgeführt? Der eine FET ersetzt dann dabei die Diode (Synchrongleichrichter). Dann stellt das nochmal andere Bedingungen an den Gatetreiber.
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