LT-Spice Simulation: MOSFET abschalten

[Ingo (Gast)]

Hi, ich bin dabei einen Abschaltvorgang eines MOSFETs in Highside 
Anordnung zu simulieren, hierzu ist V1 dauerhaft an V2 schaltet bei 1 ms 
ab. Ich habe willkürlich einen realen MOSFET ausgewählt. Es ergibt sich 
beim Abschalten eine negative Überspannung nach U=L*di/dt (Potential 
zwischen MOSFET und Widerstand), diese habe ich gemessen. Allerdings 
vergrößert sich die Überspannung nicht wenn ich die Induktivität erhöhe. 
Ich habe auch schon andere MOSFETs ausgewählt und den Widerstand, somit 
den Strom verändert. Jedoch erhöht sich die Überspannung trotzdem nicht. 
Was habe ich falsch eingestellt?

[Student (Gast)]

Jetzt mal ins blaue geraten:
http://i.stack.imgur.com/n2vvP.png

Die Interne Diode ist an ihrem Breakdown Limit und wird leitend, 
begrenzt daher die maximale Spannung

[Thomas E. (picalic)]

Student schrieb:
> Die Interne Diode ist an ihrem Breakdown Limit und wird leitend,

Nein, nicht die Body-Diode wird leitend, sondern der Transistor selbst! 
Es ist ein N-Kanal FET, und bei einer Spannung am Gate von 0V und minus 
(Vth) am Source fängt der Transistor an, zu leiten.
Wäre auch ein schlechter Transistor, wenn die Breakdown-Spannung schon 
bei -10V zuschlagen würde!

[LKa (Gast)]

Hi,

wie sind denn deine Simulationtseinstellungen? Also vorf allem die 
maximale Schrittweite?

Dieser negative Spannungspeak ist ja sehr kurz bis die Diode den 
begrenzt. Wenn deine Schrfittweite zu groß ist wird diese Spannung an 
dieser stelle nicht richtig aufgelöst.

[LKa (Gast)]

Ach so am Besten auch mal die Datenpunkte dazu plotten...

[Helmut S. (helmuts)]

Bei einem N-Kanal Mosfet gehört die Steuerspannungsquelle zwischen Gate 
und Source. Mach das mal.
Dazu benötigt man im realen Aufbau einen high-side Treiber. Der wird 
dann in der Tat zwischen Gate und Source angeschlossen. Schaltregler-ICs 
haben den high-side Treiber intern schon eingebaut.

[Ingo (Gast)]

Danke für die schnellen Antworten, das hier ist gewählter Transistor:
.model IPD035N06L3 VDMOS(Rg=1.3 Vto=2.5 Rd=1.45m Rs=889u Rb=1.21m 
Kp=348.8 Lambda=0.01 Cgdmin=28p Cgdmax=3.26n A=2.5 Cgs=9.91n Cjo=5.41n 
M=0.3 Is=15.8p VJ=0.9 N=1.06 TT=30n mfg=Infineon Vds=60 Ron=3.5m Qg=59n)
Ich hoffe danach war gefragt. Wie gesagt habe ich auch bereits andere 
Transistoren ausprobiert, die auch nicht wie gewünscht reagieren.

[Ingo (Gast)]

Der Tipp mit der Spannungsquelle scheint sehr gut zu funktionieren, 
danke nochmal!

[Helmut S. (helmuts)]

Noch ein Tipp. So ein gate driver hat einen Innenwiderstand. Mach da 
doch mal 5Ohm in Serie zur Spannungsquelle. Dadurch wird die 
Ansteuereung realistischer.