Unterschied zwischen Mosfet & JFet

[Alex K. (iqliaziz)]

moin Elektronik freunde,

ich habe mir das DB eines Mosfets und JFet angeschaut und finde leider 
keinen unterschied zwischen den beiden.
wie ein Mosfet funktioniert ist mir schon klar, kann mir jemand die 
Funktionsweise eines Jfet erklären (Aufbau, Ansteuerung und Anwendung)?

für eure Hilfe bedanke ich mich schon mal.

LG

[Atzem (Gast)]

Googeln hilft...

https://de.wikipedia.org/wiki/Sperrschicht-Feldeffekttransistor

[Falk B. (falk)]

@ Alex Kai (iqliaziz)

>ich habe mir das DB eines Mosfets und JFet angeschaut und finde leider
>keinen unterschied zwischen den beiden.

Ein MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) hat ein 
isoliertes Gate, sehr ähnliche einem Kondenator. Das kann man bei den 
meisten mit +/-20V ansteuern, wobei der negative Bereich bei N-Kanal 
Anreicherungstypen keine praktische Wirkung hat, der MOSFET ist schon 
bei 0V voll gesperrt (Anreichtungstyp). Bei P-Kanal entsprechend anders 
herum.

Ein JFET (junction field effect transistor) hat kein isoliertes Gate 
sondern eine Diodenstrecke, welche nur mit negativer Spannung 
angesteuert werden kann (N-Kanal). Außerdem gibt es bei JFETs nur 
Verarmunstypen, keine Anreichungstypen.

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET

[Uwe B. (uwe_beis)]

Aber wenn wir schon mal beim Thema sind: Warum sind Leistungs-FETs 
eigentlich immer MOSFETs?

(Wahrscheinlich würde mir langes Absuchen des Webs auch eine Antwort 
bringen, aber 1. nur mir und 2. nicht so schnell wie hier im Forum.)

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Uwe B. schrieb:
> Aber wenn wir schon mal beim Thema sind: Warum sind Leistungs-FETs
> eigentlich immer MOSFETs?

Oft, aber nicht immer, Gegenbeispiel:

  http://www.infineon.com/cms/en/product/power/sicarbide-sic/coolsic-tm-sic-jfet/channel.html?channel=db3a3043372d5cc801377a322ac7554c

[Uwe B. (uwe_beis)]

Interessant! Hätte ich nicht gedacht. Aber:
> The revolutionary CoolSiC™ 1200V SiC JFET family,
> in combination with the proposed Direct Drive Technology
ist auch schon wieder abgekündigt.

[Martin S. (sirnails)]

Was wohl aber am SiC liegt. Ein Werkstoff, der nicht halb so gut zu 
handhaben ist, wie man sich erhoffen würde.

[Lurchi (Gast)]

MOSFets gibt es fast nur auf Silizium Basis. Bei anderen Halbleitern hat 
man da eher JFETs, BJTs oder ähnliches. Silizium bildet halt so ein 
schönes Oxid als Isolator.

Bei GaN und eventuell auch SiC gibt es die JFETs auch als 
Anreicherungs-typen.

Bei SiC und GaN tut sich noch einiges, so das öfter auch mal Typen durch 
was moderneres ersetzt werden.

[Le_Bassiste (Gast)]

Martin S. schrieb:
> Was wohl aber am SiC liegt. Ein Werkstoff, der nicht halb so gut
> zu
> handhaben ist, wie man sich erhoffen würde.

SiC ist inzwischen ganz hervorragend zu handhaben. bei den genannten 
JFETs von infineon handelt es sich um selbstleitende typen.
das heißt, sie sind voll eingeschaltet wenn sie keine steuerspannung 
(also 0V)am gate haben.
keine gute idee, wenn man eine sicherheitsabschaltung in einem umrichter 
braucht, die auch bei ausfall der versorgungsspannungen funktionieren 
soll...

[Falk B. (falk)]

@ Le_Bassiste (Gast)

>keine gute idee, wenn man eine sicherheitsabschaltung in einem umrichter
>braucht, die auch bei ausfall der versorgungsspannungen funktionieren
>soll...

Crowbar + Schmelzsicherung ;-)