Neue Aufgabe, neue Frage grins
aufgabe a) Source links, Drain rechts ?
aufgabe b) -3V + Usd+3mA*750R = 0 => Uds = -0,75V
-5V + Ugs + 3V = = => Ugs = 2V
Uds > Ugs - Ut ? -0,75V > 2V - 0,7V => nein => Widerstandsbereich
c) ß: ID = ß+((Ugs-Ut-(Uds/2)) * Uds
3mA = ß+((2V-0,7V-(-0,75V/2))* -0,75V
ß = 2,9 mA/V²
ß soll allerdings 2,4mA/V² sein, wo habe ich einen Fehler
gemacht?
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zu a) Gatespannung positiv für Durchlaß => n-Kanal-Mosfet. Source ist bei dem Ding immer Minus. Merkste Dir so, daß beide ein S beinhalten. Also was ist der negative Anschluß im Schaltbild? Dann sollte es Dir bei b) zu denken geben, daß Uds negativ sein soll. Wo soll die Spannung herkommen? Hier müßte schon klar sein, daß ein Fehler vorliegt. Nächster Versuch Deinerseits. :-)
Ich würde in dieser Aufgabe den eklatanten Schreibfehler korrigieren und das Blatt wieder abgeben. Denn wenn ein Lehrer Widerstand mit -e- schreibt, dann wundert mich nicht, dass die Schüler das auch tun... Peter92 schrieb: > wo habe ich einen Fehler gemacht? Bei der Aufgabe a) > aufgabe a) Source links, Drain rechts ? Weil dort "Id" steht? Für mich ist das ein falsch gezeichneter N-Kanal-Anreicherungs-Mosfet mit Source auf der rechten Seite. Der statische Widerstand ist 250 Ohm. Denn mit 1 kOhm Gesamtwiderstand fließen 3mA... Nop schrieb: > n-Kanal-Mosfet. Source ist bei dem Ding immer Minus. Ich hätte da was, wo das genau andersrum ist: http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
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Lothar M. schrieb: > Für mich ist das ein falsch gezeichneter N-Kanal-Anreicherungs-Mosfet > mit Source auf der rechten Seite. Falsch gezeichnet würde ich nicht sagen, nur ungewöhnlich. So würde man das in einem Schaltbild nicht machen, aber für Klausuren ist das sinnvoll. Die Frage hier ist nämlich: Hat der Student wirklich verstanden, was Drain und Source sind? Oder denkt er, Source ist immer unten im Schaltbild?
Nop schrieb: > Merkste Dir so, daß beide ein S beinhalten. > Also was ist der negative Anschluß im Schaltbild? Guter Tipp, danke :) Mit den richtigen D und S komme ich auf Ugs= 2,75V und Uds=0,75V und somit auf ß=2,46mA/V²
Lothar M. schrieb: > Der statische Widerstand ist 250 Ohm. Denn mit 1 kOhm Gesamtwiderstand > fließen 3mA... das wird durch -3V + x*3mA = 0 berechnet und x-750R = statischer Widerstand ? wie kommt man auf den dynamischen?
Lothar M. schrieb: > Ich hätte da was, wo das genau andersrum ist: Welches Bild? Das dritte ist ja ohnehin ein P-Kanal, und bei dem ganz unten wehselt das natürlich je nach Polung. Klar, es mag auch andere Fälle geben. Aber wenn man, wie im Ausgangsbeispiel, einen N-Kanal-Mosfet als Schalter benutzt, dann ist Source am negativeren der beiden Anschlüsse. Kenne ich jedenfalls so. Mal abgesehen davon, daß ich in der Realität die Position vom Lastwiderstand und Mosfet vertauschen würde, weil der (hier nicht verwendete) hochohmige Pulldown vom Gate zum Source dann einfach nach Masse geht.
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Hier sind beide Source Richtung Widerstand und die Drains zu den Spannungsquellen, richtig?
Der Strom fließt im oberen Zweig immer von links nach rechts (weil: 5V > 3V), also ist das negativere Ende immer rechts, und damit auch Source. Wäre jedenfalls mein Ansatz, ohne Garantie auf Korrektheit. Ich würde die Schaltung übrigens erstmal vereinfachen, indem die rechte Spannungsquelle eliminiert wird und dafür von ALLEN Spannungen 3V abgezogen werden. Macht das Rechnen angenehmer.
Nop schrieb: > und bei dem ganz unten wehselt das natürlich je nach Polung. In der Betriebsart, wo der Mosfet durchgeschaltet ist, ist die Source positiver als der Drainanschluss. Peter92 schrieb: > Hier sind beide Source Richtung Widerstand und die Drains zu den > Spannungsquellen, richtig? Nicht ganz...
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Lothar M. schrieb: > Nicht ganz... Wieso nicht? Habe mir gerade schon gedacht, dass es nicht sein kann, weil sich Uds ja im Maschenumlauf 0 ergeben würde. Wie ist es also richtig und vor allem, wieso?
Sehe ich das richtig,dass ID beim linken FET in den Widerstand hinein fließt und der rechte auch, also ID1 wird schon ID2 geschwächt?
Mein Gedanke: S ist beim Rechten FET auf der rechten Seite, drain auf der Seite des Widerstands, da 5V > 3V ?
Peter92 schrieb: > Mein Gedanke: S ist beim Rechten FET auf der rechten Seite, drain auf > der Seite des Widerstands, da 5V > 3V ? Mein Gedanke: die Bauteile sind in Reihe geschaltet. Damit ein Strom fließt, müssen alle gleichen Bauteile in die selbe Richtung zeigen... Peter92 schrieb: > Sehe ich das richtig,dass ID beim linken FET in den Widerstand hinein > fließt und der rechte auch, also ID1 wird schon ID2 geschwächt? Weil es eine Reihenschaltung ist, werden alle Bauteile vom gleichen Strom durchflossen.
Lothar M. schrieb: > Mein Gedanke: die Bauteile sind in Reihe geschaltet. Damit ein Strom > fließt, müssen alle gleichen Bauteile in die selbe Richtung zeigen... Also Source immer rechts, Richtig?
okay, der Strom ID= 0,1V / 75 R = 1,33mA Mit Maschenumlauf: -5V + 2*Uds + 0,1V + 3V = = => Uds1=Uds2 = 0,95V -5V + UGS1 +0,1V + 0,95V + 3V = 0 => Ugs1 = 0,95V -5V + Ugs + 3V = 0 => Ugs2= 2V der Linke FET ist im Sättigungsbereich, der Rechte im Widerstandsbereich links: Uds > Ugs - Ut => 0,95V > 0,95V - 0,7V rechts: Uds > Ugs - Ut => 0,95V > 2V - 0,7V nicht erfüllt somit: ß1 (Links) : 1,33mA = ß/2 * (0,95V - 0,7V) => ß1 = 42mA ß2 (rechts) : 1,33mA = ß * (2V - 0,7V-(0,95V/2))*0,95V ß2= 1,7mA alles korrekt?
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